카본함유 전자생성층을 구비한 전계 발광 소자 및 그 제조방법
    141.
    发明公开
    카본함유 전자생성층을 구비한 전계 발광 소자 및 그 제조방법 无效
    含碳电子发生层的电致发光显示器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020020091640A

    公开(公告)日:2002-12-06

    申请号:KR1020010030473

    申请日:2001-05-31

    CPC classification number: H05B33/18 B82Y30/00 H05B33/10

    Abstract: PURPOSE: An electroluminescent display with a carbon-contained electron generation layer and a manufacturing method thereof are provided to reduce the driving voltage and improve the generation efficiency of high energy electron by dispersing a carbon nano-tube or a carbon fiber to a fluorescent material or between the fluorescent material and an insulating layer. CONSTITUTION: A lower insulating layer(13) is deposited on a structure of which a glass substrate(11) and a transparent electrode(12) are sequentially layered. An carbon-contained electron generation layer(14) is deposited on the lower insulating layer(13). A carbon nano-tube or a carbon fiber and a fluorescent material(15) is layered on the carbon-contained electron generation layer(14). An upper insulating layer(16) and a metal electrode(17) are sequentially deposited on the fluorescent material(15).

    Abstract translation: 目的:提供具有含碳电子发生层的电致发光显示器及其制造方法,以通过将碳纳米管或碳​​纤维分散到荧光材料上来降低驱动电压并提高高能电子的发生效率,或 在荧光材料和绝缘层之间。 构成:将下绝缘层(13)沉积在依次层叠有玻璃基板(11)和透明电极(12)的结构上。 含碳电子发生层(14)沉积在下绝缘层(13)上。 碳纳米管或碳​​纤维和荧光材料(15)层叠在含碳电子发生层(14)上。 在荧光材料(15)上依次沉积上绝缘层(16)和金属电极(17)。

    형광체 및 그 제조방법
    142.
    发明公开
    형광체 및 그 제조방법 失效
    磷光体及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020020053975A

    公开(公告)日:2002-07-06

    申请号:KR1020000082249

    申请日:2000-12-26

    Abstract: PURPOSE: Provided are phosphor which emits blue, green, and red lights and is excellent in luminous property, and a method for producing the same. CONSTITUTION: The phosphor is produced by the steps of (i) vapor-depositing CaS raw material to substrate treated by desired process using chemical reaction of surface and vapor phase of precursors comprising thin film constituents; (ii) coating luminous center ions of transition metal or rare earth elements on the CaS materials by vapor deposition; and (iii) heat treating the coated CaS materials to dope the luminous center ion with the CaS materials. The luminous center ion is any one selected from the group consisting of Pb, Cu, Ce, Mn, Eu, Tb, Bi, Pr, Sm, Tm, and Yb.

    Abstract translation: 目的:提供发出蓝色,绿色和红色光并且发光性优异的荧光体及其制造方法。 构成:通过以下步骤制备荧光体:(i)通过使用包含薄膜成分的前体的表面和气相的化学反应将CaS原料气相沉积到通过所需方法处理的基底上; (ii)通过气相沉积在CaS材料上涂覆过渡金属或稀土元素的发光中心离子; 和(iii)用CaS材料热处理涂覆的CaS材料以掺合发光中心离子。 发光中心离子是选自Pb,Cu,Ce,Mn,Eu,Tb,Bi,Pr,Sm,Tm和Yb中的任一种。

    고휘도 형광체 및 그 제조방법
    143.
    发明授权
    고휘도 형광체 및 그 제조방법 失效
    高亮度荧光体及其制造方法

    公开(公告)号:KR100327105B1

    公开(公告)日:2002-03-09

    申请号:KR1019990026897

    申请日:1999-07-05

    Abstract: 본발명은원자층증착법또는화학증착법을이용하여 PbX(X=S 또는 Se) 박막을형성하는방법과 II-VI족화합물인 CaS, CaSe, SrS, SrSe, ZnS, ZnSe, BaS, BaSe, MgS, MgSe 모재료에상기 PbX(X=S, Se)를첨가하여형광체를제조하는방법에관한것이다. 본발명은특정한반응특성을나타내는 Pb-전구체를반응재료로이용하는바, 상기 Pb-전구체로서테트라알킬(tetraalkyl ; alkyl = methyl, ethyl, propyl, cyclohexyl, isopropyl) 납(lead) 또는테트라-아릴납(tetraaryl lead) 등과같은유기금속화합물을사용하고, 이를 HX(X=S 또는 Se)와반응시켜원자층증착법또는화학증착법으로매우균일한 PbX(X=S, Se) 박막을증착한다. 또한본 발명은 CaS, CaSe, SrS, SrSe, ZnS, ZnSe, BaS, BaSe, MgS 또는 MgSe 중어느하나또는이들이혼합된모재료와 PbX(X=S, Se)가일정한비가되도록증착을수행함으로써 Pb 농도를조절하면서형광체박막을성장하는방법이다. 특히본 발명은형광체제조시, 모재료에 Pb이온을선택적으로특정한상태로첨가함으로써색순도가매우우수한형광체를제조하며, 넓은농도범위의 Pb를포함하면서도색도와휘도가우수한형광체를제조하는것이다.

    고휘도 직류 구동형 청색 전계발광소자
    144.
    发明授权
    고휘도 직류 구동형 청색 전계발광소자 失效
    高亮度蓝色直流电镀显示器

    公开(公告)号:KR100317989B1

    公开(公告)日:2001-12-24

    申请号:KR1019990062392

    申请日:1999-12-27

    Abstract: 본발명은원자층증착법이나화학증착법으로형성된 CaS:Pb 박막을형광막으로갖는직류구동형청색전계발광소자에관한것으로, 투명한유리기판과, 상기투명한유리기판위에형성된투명전극과, 상기투명전극위에형성된 CaS:Pb 의형광막과, 상기형광막위에형성된삽입박막및, 상기삽입박막위에형성된금속전극을포함하는구조를갖는것을특징으로하여구성된다. 이로부터, 본발명에의한직류구동형전계발광소자는종래기술에서이루지못한고순도, 고휘도의청색을발광하는효과가있으며, 특히, 교류구동형박막전계발광소자에비해훨씬낮은전압에서구동하면서충분한빛을발광하므로효율을상대적으로증가시킬수 있게된다.

    다층절연체를갖는전계발광소자
    145.
    发明授权
    다층절연체를갖는전계발광소자 失效
    一种具有多层绝缘体的电致发光器件

    公开(公告)号:KR100292324B1

    公开(公告)日:2001-10-25

    申请号:KR1019980029036

    申请日:1998-07-18

    Abstract: 본 발명은 유리기판에 투명전극, 절연층, 형광층, 절연층, 금속전극 순서로 형성된 이중절연 구조 교류형 박막전계발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 절연층을 알루미늄산화물(Al
    2 O
    3 )과 탄탈륨산화물(Ta
    2 O
    5 )로 번갈아가면서 성장시킴으로써 Al
    2 O
    3 단일 유전체와 비교해서 파괴전계세기는 약간 감소하지만 유전율은 크게 증가하여 최대축적전하량이 증가하였고, 전계발광소자의 구동전압을 낮추며 저 변조전압에서 최대 휘도를 얻었다. 이러한 절연체는 형광층이 두 개 이상 있는 다색 전계발광소자나 실리콘기판 위에 전계발광소자를 만드는 액티브 메트릭스(active matrix)형 전계발광소자의 절연층에도 응용할 수 있다.

    금속황화물박막제조방법및전계발광소자제조방법
    146.
    发明公开
    금속황화물박막제조방법및전계발광소자제조방법 失效
    使用与电子式配线配合的协调化合物作为前体沉积金属化合物的方法和使用其制造电致发光元件的方法

    公开(公告)号:KR1020000021968A

    公开(公告)日:2000-04-25

    申请号:KR1019980041260

    申请日:1998-09-30

    CPC classification number: H05B33/10 C23C16/305

    Abstract: PURPOSE: A methode for depositing a metal compound using a coordination compound combined with an electron donor type ligand as a precursor and a methode for manufacturing an electroluminescence element using the same are provided to deposit a metal compound thin film by using a coordination compound as a precursor. CONSTITUTION: A methode for depositing a metal compound using a coordination compound combined with an electron donor type ligand as a precursor and a methode for manufacturing an electroluminescence element using the same comprises the step of manufacturing a neutral ligand through a surface reaction and a meteorological reaction with a coordination compound and a sulfureted hydrogen(H2S) as a precursor.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用与电子给体型配体结合的配位化合物作为前体沉积金属化合物的方法和使用该方法制造电致发光元件的方法,通过使用配位化合物作为 前体。 构成:使用与电子给体型配体结合的配位化合物作为前体沉积金属化合物的方法和使用该方法制造电致发光元件的方法包括通过表面反应和气象反应制备中性配体的步骤 配位化合物和硫化氢(H2S)作为前体。

    화학기상증착형 원자층 에피택시 장치 및 화학기상증착 장치의 액체소스 증기 공급장치
    147.
    发明授权
    화학기상증착형 원자층 에피택시 장치 및 화학기상증착 장치의 액체소스 증기 공급장치 失效
    用于CVD的CVD和液体源供应装置的原子外观装置

    公开(公告)号:KR100199008B1

    公开(公告)日:1999-06-15

    申请号:KR1019960062350

    申请日:1996-12-06

    Abstract: 본 발명은 화학기상증착형 원자층 에피택시 장치 및 화학기상증착 장치의 외부 액체소스 증기 공급장치에 관한 것으로, 특히, 증착에 사용되는 액체소스를 외부 가열장치에서 가열하여 소스 증기를 생성하는 동시에, 고온 운반 가스 공급장치를 이용하여 고온의 운반가스를 액체소스에 공급함으로써, 고온의 소스 증기를 중도에 응축됨이 없이 증착장치의 반응실로 공급할 수 있도록 구성된 외부 액체소스 증기 공급장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 외부 액체소스 공급장치는, 온도조절장치(6)에 의해 온도를 조절하면서 운반가스를 가열하여 외부 액체소스 모듈(8)에 공급하기 위한 고온 운반가스 공급장치(7)와, 온도조절장치(9)에 의해 온도가 조절되는 한편, 상기한 고온 운반가스 공급장치(7)에 의해 공급된 운반가스에 의해 소스증기를 증착장치의 반응실(10)로 공급하기 위한 외부 액체소스 모듈(8)과, 고온의 운반가스 및 고온의 운반가스와 소스증기의 혼합가스를 단열시켜 공급하도록 하는 가스 공급 튜브(4)를 포함한다. 또한, 본 발명의 외부 액체소스 공급장치는, 운반 가스 공급용 튜브(3)를 통해 공급된 실온의 운반가스를 가열하는 동시에, 액체소스 용기를 가열하여 가스공급용 튜브(4)를 통해 고온의 운반가스와 소스증기의 혼합가스를 공급하기 위한 대류가열형 액체소스 캐비넷(11)과, 운반가스가 캐비넷(11)내에 충분히 오래 머물면서 가열되도록 둥글게 감긴 형상을 지닌 수미터 이상의 긴 스테인레스스틸 또는 구리 튜브(1)와, 캐비넷(11)내에 설치된 열전대 등과 같은 온도센서(9a)에 의해 온도를 연속적으로 측정하면서 캐비넷(11)내의 온도를 유지시키기 위한 온도조절 장치(9)와, 액체소스가 저장되는 액체소스 용기(14)를 포함한다.

    전계방출 디스플레이용 발광입자
    148.
    发明公开
    전계방출 디스플레이용 발광입자 失效
    场发射显示器的发射粒子

    公开(公告)号:KR1019980050947A

    公开(公告)日:1998-09-15

    申请号:KR1019960069795

    申请日:1996-12-21

    Inventor: 윤선진 이중환

    Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
    반도체 장치 제조방법.
    2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
    발광층의 발광효율을 극대화하고, 전자의 분산을 용이하게함과 동시에 빛의 전면투과율을 향상시킬 수 있는 전계방출 디스플레이용 발광입자 및 그를 이용한 발광층형성방법을 제공하고자 함.
    3. 발명의 해결방법의 요지
    발광효율을 개선시키기 위한 전계방출 디스플레이용 발광입자에 있어서,분말화된 미세입자 표면에 원자층에피택시층을 코팅한 것을 특정으로 하는 전계방출 디스플레이용 발광입자를 제공하고자 함.
    4. 발명의 중요한 용도
    전계방출 디스플레이용 발광입자 및 그를 이용한 발광층 형성 공정에 이용됨.

    청색 발광 효율 개선을 위한 백색 교류 구동형 박막 전계 발광 소자의 구조
    149.
    发明公开
    청색 발광 효율 개선을 위한 백색 교류 구동형 박막 전계 발광 소자의 구조 失效
    用于提高蓝光发射效率的白色AC驱动薄膜电致发光器件的结构

    公开(公告)号:KR1019980034076A

    公开(公告)日:1998-08-05

    申请号:KR1019960052020

    申请日:1996-11-05

    Abstract: 적색 및 녹색에 비해 아직 상용화에 미흡한 청색 박막 전계 발광 디스플레이의 발광 효율의 단점과 ELD를 구동시키기 위해 필요한 고가의 고전압 IC로 인해 시장 경제성을 저하시키는 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 청색 발광체와 적녹색 발광체의 이중 접합층을 발광체로 구성하여 청색 발광 효율을 개선시키고 절연막도 강유전체와 저유전율 비정질층의 이중 구조를 원자층 에피택시법으로 형성하여 발광에 필요한 전하량을 증대시키며 절연층의 전기적 파괴 특성도 안정시켜 문턱 전압을 낮춤으로써 구동 회로의 저가화를 도모하기 위한 청색 발광 효율 개선을 위한 백색 교류 구동형 박막 전계 발광 소자의 구조가 제시된다.

    고상재료 분자선증착에서의 다결정 박막 저온성장방법
    150.
    发明授权
    고상재료 분자선증착에서의 다결정 박막 저온성장방법 失效
    具有固体源的薄多晶硅薄膜的生长方法

    公开(公告)号:KR100133470B1

    公开(公告)日:1998-04-23

    申请号:KR1019940010562

    申请日:1994-05-14

    Abstract: 본 발명은 고상재료 분자선증착에서 전자빔 용융시 생성되는 하전입자들의 가속을 이용한 Si 및 Si-
    x Ge
    x (x=몰분율) 다결정 박막 저온성장방법에 관한 것으로서, 전자빔 용융법을 사용하는 Si 및 Ge 고상재료 분자선증착장비에서 생성되는 수% 정도의 Si 및 Ge 이온 또는 전자들을 기판에 소정의 전압을 가함으로써 가속하여 계면특성이 우수한 고품위의 다결정 Si 및 Si
    1 -
    x Ge
    x (x=몰분율) 박막을 400℃ 이하의 저온에서 증착하고, 또는 상기 Si 및 Ge 이온들을 기판전극에 (-)전압을 가하여 기판을 향해 가속시킴과 동시에 도판트들을 인 사이츄(in situ) 도핑하여 고농도의 p-형 및 n- 형 불순물을 포함한 다결정 Si 및 Si
    1 -
    x Ge
    x 저온증착기술을 제공하므로써 종래의 분자선증착법 또는 화학증착법과는 달리 운동에너지 및 하전입자에 의한 표면에너지 변화 효과등� � 이용할 수 있어 적합한 박막 특성을 얻을 수 있고, 저온에서 다결정 Si 및 SiGe을 성장하는 기술로 박막 트랜지스터에 응용할 수 있다.

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