公开(公告)号：CN109311656A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780037218.6

申请日：2017-05-17

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·赖因穆特

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0043 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0154 ,  B81B2203/04 ,  G01L9/0072

Abstract: 本发明涉及一种用于压力传感器设备的微机械构件，具有在衬底(10)撑开并且能够借助于在所述衬底(10)的第一衬底侧和所述衬底(10)的第二衬底侧之间的压力差拱曲的膜片(12)，和摆杆结构(14)，该摆杆结构与所述膜片(12)如此连接，使得所述摆杆结构(14)能够借助于所述膜片(12)的拱曲围绕第一旋转轴线(16)移位，其中，摆杆结构(14)通过杠杆结构(18)与所述膜片(12)如此连接，使得所述膜片(12)的拱曲触发所述杠杆结构(18)围绕平行于所述第一旋转轴线(16)定向并且与该第一旋转轴线间隔开的第二旋转轴线(20)的旋转运动，并且所述杠杆结构(18)围绕所述第二旋转轴线(20)的旋转运动触发所述摆杆结构(18)围绕所述第一旋转轴线(16)的另外的旋转运动。此外，本发明涉及一种压力传感器设备和一种用于压力传感器设备的微机械构件的制造方法。

公开(公告)号：CN104697703B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201410655567.2

申请日：2014-11-18

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： C·S·达沃森 ,  P·T·琼斯

IPC: G01L9/12 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01L27/002 ,  B81B2201/0264 ,  B81C99/003 ,  G01L9/0073 ,  H01L41/08

Abstract: 本发明涉及具有内置校准能力的压力传感器。MEMS压力传感器(70)包括传感单元(80)、测试单元(82)和密封结构(84)。所述测试单元包括测试腔(104)，并且所述密封结构(84)与所述测试腔相通，其中所述密封结构被配置为破裂以将位于所述测试腔(104)内的初始腔压力(51)改变至环境压力(26)。校准方法(180)包含在破裂所述密封结构之前从所述测试单元获得(184)测试信号(186)，并且在所述密封结构破裂之后获得(194)另一个测试信号(196)。所述测试信号被用于计算所述测试单元的灵敏度(200)，所计算的灵敏度被用于估计所述传感单元的所述灵敏度(204)并且所述估计的灵敏度(204)可以被用于校准所述传感单元。

公开(公告)号：CN109205546A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810728951.9

申请日：2018-07-05

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·丹嫩贝格 ,  M·施瓦茨 ,  S·齐默尔曼 ,  S·T·耶格

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0054 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0048 ,  G01L19/0092 ,  G01L2019/0053 ,  G01P15/123 ,  G01P15/18 ,  B81B3/0027 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00134 ,  B81C1/00158

Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器(100)，具有：-传感器框(10)；-借助于至少一个弹簧元件(20)附接到所述传感器框(10)上的压力传感器芯(30)，该压力传感器芯具有压力传感器膜片(31)；和-至少一个布置在所述弹簧元件(20)中的检测装置(21a...21d)，借助于所述检测装置能够检测所述压力传感器芯(30)的至少一个限定的几何加速度偏移。

公开(公告)号：CN108675259A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810482862.0

申请日：2018-05-18

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 周幸叶 ,  冯志红 ,  吕元杰 ,  谭鑫 ,  王元刚 ,  宋旭波

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0027 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00666

Abstract: 本发明提供了一种压力传感器，包括由下而上依次设置的衬底、支架、若干层的薄膜层和电极，支架上设有腔体，电极位于所述薄膜层的两端；所述薄膜层的层数大于1，且所述薄膜层为叉指结构。本发明提供的压力传感器，将薄膜层设置成叉指结构，在较大压力下发生层移，但不会形成裂纹，从而增强抗应变能力，实现高灵敏度、大量程、高稳定性和高可靠性的压力传感器。

公开(公告)号：CN106145025B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510849489.4

申请日：2015-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾李全 ,  吴常明 ,  刘世昌

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/0785

Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成电路(IC)器件。该IC器件包括第一衬底，第一衬底具有前侧和背侧。背侧包括延伸至第一衬底内的第一空腔。介电层设置在第一衬底的背侧上，并且包括对应于第一空腔的开口以及远离开口横向延伸并且终止于气体入口凹槽处的沟槽。位于第一衬底的前侧中的凹槽从前侧向下延伸至介电层。凹槽具有邻接下部侧壁的基本垂直的上部侧壁，下部侧壁从基本垂直的侧壁至介电层上的围绕气体入口凹槽的位置处向内锥形化。共形密封剂层布置在第一衬底的前侧上方、沿着基本垂直的上部侧壁和沿着下部侧壁。密封剂层气密密封气体入口凹槽。

公开(公告)号：CN108117035A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710511666.7

申请日：2017-06-27

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： E·杜奇 ,  L·巴尔多 ,  D·朱斯蒂

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2203/032 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792

Abstract: 本申请涉及堆叠裸片间具有电触点的半导体集成器件及相应制造工艺。提供一种集成器件，其具有：第一裸片；第二裸片，沿着竖直轴以堆叠的方式耦合在该第一裸片上；耦合区域，安排在第一裸片与第二裸片的沿竖直轴面向彼此并位于与竖直轴正交的水平平面内的面对表面之间，耦合区域用于机械耦合第一裸片与第二裸片；电接触元件，由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载，这些电接触元件沿着竖直轴成对地对准；以及导电区域，安排在由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载的这些电接触元件对之间，这些导电区域用于电耦合第一裸片与第二裸片。支撑元件安排在第一裸片与第二裸片之间的至少一者的面对表面处并且弹性地支撑对应的电接触元件。

公开(公告)号：CN104249990B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201410314175.X

申请日：2014-06-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体国际有限公司

Inventor： D·法拉里 ,  B·维格纳 ,  L·M·卡斯托尔迪

IPC: B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了包含流体路径的MEMS器件及其制造工艺。一种MEMS器件，其中半导体材料的裸片具有第一面和第二面。在裸片中或在裸片上形成薄膜，并且该薄膜面向第一表面。帽体固定至第一裸片的第一面，并且与薄膜间隔开一定空间。裸片在其第二面上或固定至ASIC，该ASIC集成了用于处理由裸片生成的信号的电路。ASIC继而固定在支撑体上。封装区域覆盖裸片、帽体和ASIC并且将其密封与外部环境隔绝。流体路径被形成为通过支撑体、ASIC和第一裸片，并且将薄膜和裸片的第一面与外部连接，而不要求在帽体中的孔。

公开(公告)号：CN108017037A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201710401428.0

申请日：2017-05-31

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： E·杜奇 ,  M·阿兹佩蒂亚尤尔奎亚 ,  L·巴尔多

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00269 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本申请涉及换能器模块、包括该模块的装置及制造该模块的方法。制造换能器模块的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一MEMS换能器、具体是陀螺仪以及具有悬置薄膜的第二MEMS换能器、具体是加速度计；在所述衬底上形成导电层并且将所述导电层限定为同时提供电气地耦合到所述第一换能器的至少一个导电带以及所述第二MEMS换能器的所述薄膜。

公开(公告)号：CN104969049B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201380061895.3

申请日：2013-10-01

Applicant: 罗伯特·博世有限公司 ,  A·费伊 ,  A·B·格雷厄姆

Inventor： A·费伊 ,  A·B·格雷厄姆

IPC: G01L9/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00182 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073

Abstract: 在一个实施例中，形成MEMS装置的方法包括使得硅晶片设置有基底层和在所述基底层的上表面上方的中间层。在所述中间层中限定第一电极并且在所述中间层的上表面上方设置氧化物部。在所述氧化物部的上表面上设置罩层并且在所述罩层中限定第二电极。所述方法还包括蚀刻氧化物部以形成腔以使得当所述第二电极和所述腔投影到所述中间层上时，所述投影的第二电极包围所述投影的腔。

公开(公告)号：CN104949790B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201510146420.5

申请日：2015-03-31

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫 ,  A.韦斯鲍尔

IPC: G01L9/12

CPC classification number: G01L9/0073 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0052 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/0082 ,  G01L9/08 ,  G01L9/085 ,  H04R1/08 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明涉及动态压力传感器。根据各种实施例，动态压力传感器包括基板、形成在基板中的参考体积、密封参考体积的可挠曲膜、耦合到膜并且被配置为测量膜的挠曲的挠曲感测元件，和被配置为使参考体积内的绝对压力与参考体积外的绝对周围压力均衡的通风孔。