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    Microsystème électromécanique comprenant une poutre se déformant par flexion
    142.
    发明公开
    Microsystème électromécanique comprenant une poutre se déformant par flexion 审中-公开
    Mikroelektromechanisches System mit einem sich biegendem Balken

    公开(公告)号：EP1705151A1

    公开(公告)日：2006-09-27

    申请号：EP05292363.8

    申请日：2005-11-08

    Applicant: STMICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

    Inventor： Casset, Fabrice ,  Segueni, Karim ,  De Grave, Arnaud ,  Abele, Nicolas

    IPC: B81B3/00 ,  H03H9/24

    CPC classification number: H03H9/2463 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  H03H3/0076 ,  H03H9/2447

    Abstract: Un microsystème électromécanique comprend une poutre (1) et une électrode (10) couplée par une interaction électrostatique avec la poutre. La poutre est adaptée pour subir des déformations élastiques par flexion et possède un motif de section sensiblement constant. La poutre (1) est constituée de plusieurs pans (P1-P4) s'étendant sur la longueur de la poutre (L), et ayant chacun une épaisseur inférieure à une dimension extérieure du motif de section (w, t). Une fréquence de vibration par flexion de la poutre est alors accrue par rapport à une poutre pleine de mêmes dimensions extérieures. Un tel microsystème est adapté pour des applications à durées de transition très courtes, ou pour réaliser des oscillateurs et des résonateurs à haute fréquence.

    Abstract translation: 该系统具有适于通过弯曲进行弹性应变并且在垂直于纵向方向（D）的平面中具有截面图案的微束（1）。 微束包括沿着微束的主要部分延伸的部分（P1-P4）。 这些部分沿着平行于方向（D）的线彼此连接。 这些部分的厚度小于截面图案的外部尺寸。 这些部分具有外形尺寸为60×60微米的方形形状。 该微束具有2.1兆赫的弹性弯曲应变频率。 还包括以下独立权利要求：（1）包括微机电系统的断续器（2）包括微机电系统的加速度计（3）包括微电机械系统（4）的振荡器 ）包括微机电系统的谐振器（5）用于制造微机电系统的方法。

    Manufacturing method of a MEMS structure using a porous silicon layer
    143.
    发明公开
    Manufacturing method of a MEMS structure using a porous silicon layer 审中-公开
    Herstellungsverfahrenfüreine MEMS Struktur，die eineporöseSiliziumschicht benutzt

    公开(公告)号：EP1683757A1

    公开(公告)日：2006-07-26

    申请号：EP05024649.5

    申请日：2005-11-11

    Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

    Inventor： Lee, Chang-seung ,  Ha, Byeoung-ju

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/0092 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/0115

    Abstract: A method of manufacturing a MEMS structure including forming a porous layer having a predetermined thickness on the top surface of a substrate over an area where a cavity is to be formed; forming the cavity by etching the substrate below the porous layer; forming a membrane layer on the top surface to seal the cavity; and forming a structure on the upper side of the membrane layer. After forming a cantilever structure on the membrane layer and etching the membrane layer, a cantilever structure is produced in a floating state over the cavity. Also, at least one inlet hole and outlet hole can be formed in the porous layer and the membrane, thereby providing a sealed fluidic channel.

    Abstract translation: 一种制造MEMS结构的方法，包括在要形成空腔的区域上的衬底顶表面上形成具有预定厚度的多孔层; 通过在多孔层下方蚀刻基底来形成空腔; 在顶表面上形成膜层以密封空腔; 并在膜层的上侧形成结构。 在膜层上形成悬臂结构并蚀刻膜层之后，在空腔上以悬浮状态产生悬臂结构。 此外，可以在多孔层和膜中形成至少一个入口孔和出口孔，从而提供密封的流体通道。

    Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing
    144.
    发明公开
    Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing 有权
    Herstellung vonDünnschichtresonatorendurchFreiätzungvon Oberseiten darunterliegender Membranen

    公开(公告)号：EP1180494A3

    公开(公告)日：2003-03-26

    申请号：EP01306284.9

    申请日：2001-07-20

    Applicant: Agere Systems Guardian Corporation

    Inventor： Chan, Edward ,  Kim, Jungsang ,  Huggins, Harold Alexis ,  Soh, Hyongsok

    IPC: B81B3/00 ,  H03H9/17 ,  H03H3/02

    CPC classification number: H03H9/173 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00142 ,  B81C2201/014 ,  H03H3/02 ,  H03H2003/021

    Abstract: A new bulk resonator may be fabricated by a process that is readily incorporated in the traditional fabrication techniques used in the fabrication of monolithic integrated circuits on a wafer. The resonator is decoupled from the wafer by a cavity etched under the resonator using selective etching through front openings (vias) in a resonator membrane. In a typical structure the resonator is formed over a silicon wafer by first forming a first electrode, coating a piezoelectric layer over both the electrode and the wafer surface and forming a second electrode opposite the first on the surface of the piezoelectric layer. After this structure is complete, a number of vias are etched in the piezoelectric layer exposing the surface under the piezoelectric layer to a selective etching process that selectively attacks the surface below the piezoelectric layer creating a cavity under the resonator.

    Abstract translation: 新的体谐振器可以通过容易地结合在晶片上制造单片集成电路中的传统制造技术中的工艺来制造。 谐振器通过在共振器下蚀刻的腔体与晶片分离，使用通过谐振器膜中的前开口（通孔）的选择性蚀刻。 在典型的结构中，谐振器通过首先形成第一电极而在硅晶片上形成，在电极和晶片表面上涂覆压电层，并形成与压电层表面上的第一电极相对的第二电极。 在该结构完成之后，在将压电层下方的表面暴露的压电层中蚀刻多个通孔到选择性蚀刻工艺，该选择性蚀刻工艺选择性地攻击压电层下方的表面，在谐振器下面形成空腔。

    DEVICE ARRANGEMENT
    146.
    发明申请
    DEVICE ARRANGEMENT 审中-公开
    设备安排

    公开(公告)号：WO2017065691A1

    公开(公告)日：2017-04-20

    申请号：PCT/SG2016/050492

    申请日：2016-10-06

    Applicant: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH

    Inventor： SINGH, Navab ,  LEE, Jae Wung ,  MERUGU, Srinivas

    IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00039 ,  B81C2203/0735

    Abstract: Various embodiments may provide a device arrangement. The device arrangement may include a substrate including a conductive layer. The device arrangement may further include a microelectromechanical systems (MEMS) device monolithically integrated with the substrate, wherein the MEMS device may be electrically coupled to the conductive layer. A cavity may be defined through the conductive layer for acoustically isolating the MEMS device from the substrate. At least one anchor structure may be defined by the conductive layer to support the MEMS device.

    Abstract translation: 各种实施例可以提供一种装置配置。 器件布置可以包括具有导电层的衬底。 器件布置可以进一步包括与衬底单片集成的微机电系统（MEMS）器件，其中MEMS器件可以电耦合到导电层。 可以通过导电层限定空腔，用于将MEMS器件与衬底声学隔离。 至少一个锚结构可以由导电层限定以支撑MEMS器件。

    水晶振動装置及びその製造方法
    149.
    发明申请
    水晶振動装置及びその製造方法 审中-公开
    水晶振荡装置及其制造方法

    公开(公告)号：WO2013161554A1

    公开(公告)日：2013-10-31

    申请号：PCT/JP2013/060614

    申请日：2013-04-08

    Applicant: 株式会社村田製作所

    Inventor： 齋藤　善史 ,  八杉　俊行

    IPC: H03H3/02 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H03H9/02 ,  H03H9/10 ,  H03H9/19

    CPC classification number: H01L41/053 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  H01L23/053 ,  H01L41/23 ,  H01L2924/0002 ,  H03H9/1021 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

    Abstract: 　水晶振動子の振動特性が劣化し難い水晶振動装置を提供する。　水晶振動装置１は、基板１０と、キャップ１１と、接合材１３と、水晶振動子２０とを備える。キャップ１１は、基板１０上に配されている。キャップ１１は、基板１０と共に封止空間１５を形成している。キャップ１１は、ドーム型である。接合材１３は、基板１０とキャップ１１とを接合している。接合材１３は、熱硬化性樹脂の硬化物を含む。水晶振動子２０は、封止空間１５内において、基板１０上に配置されている。接合材１３は、キャップ１１の接合材１３と接合される部分の内壁１１ａよりも外側に位置している。

    Abstract translation: 提供一种其中晶体振荡器的振荡特性不会下降的晶体振荡器件。 晶体振荡装置（1）设置有基板（10），盖（11），接合元件（13）和晶体振荡器（20）。 盖（11）设置在基板（10）上。 盖（11）与衬底（10）形成密封空间（15）。 盖（11）具有圆顶形状。 接合元件（13）连接基板（10）和盖（11）。 接合元件（13）包括硬化的热固性树脂。 晶体振荡器（20）设置在密封空间（15）内的基板（10）上。 连接元件（13）比与接合元件（13）接合的盖（11）的一部分的内壁（11a）更靠外侧。

    METHODS AND SYSTEMS FOR CMOS-BASED RADIO-FREQUENCY FILTERS OF MEMS HAVING ORGANIZED SETS OF ELEMENTS
    150.
    发明申请
    METHODS AND SYSTEMS FOR CMOS-BASED RADIO-FREQUENCY FILTERS OF MEMS HAVING ORGANIZED SETS OF ELEMENTS 审中-公开
    具有有组织元素的MEMS的基于CMOS的无线电频率滤波器的方法和系统

    公开(公告)号：WO2013068633A2

    公开(公告)日：2013-05-16

    申请号：PCT/ES2012070788

    申请日：2012-11-12

    Applicant: BAOLAB MICROSYSTEMS SL

    Inventor： MONTANYA SILVESTRE JOSEP ,  LLAMAS MOROTE MARC ANTONIO

    IPC: B81C1/00 ,  H03H3/007

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0771 ,  H03H3/0073 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02299

    Abstract: The invention provides systems and methods for producing a chip comprising a radio-frequency filter which is based on MEMS and is arranged inside an integrated circuit. In one aspect, the systems and methods provide a chip which includes electronic elements formed on a substrate made of semiconductor material. The chip additionally includes an interconnection layer stack which includes layers of conductive material which are separated by layers of dielectric material. A radio-frequency filter is formed inside the interconnection layer stack by applying gaseous HF to the interconnection layers. The radio-frequency filter includes a plurality of resonator elements which are mechanically decoupled.

    Abstract translation: 本发明提供了一种用于制造芯片的系统和方法，该芯片包括基于MEMS并布置在集成电路内的射频滤波器。 一方面，该系统和方法提供一种芯片，其包括形成在由半导体材料制成的基板上的电子元件。 芯片还包括互连层堆叠，其包括由电介质材料层隔开的导电材料层。 通过向互连层施加气态HF，在互连层堆叠内部形成射频滤波器。 射频滤波器包括机械解耦的多个谐振元件。

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