公开(公告)号：KR1020080007851A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：KR1020060067022

申请日：2006-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김범석 ,  겟뜨만 ,  이종진 ,  장윤호 ,  안정착

IPC: H04N5/378 ,  H04N5/374

CPC classification number: H04N9/045 ,  H04N2209/046

Abstract: A CIS(CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) Image Sensor) having a color correction block and an image sensing method thereof are provided to interpolate a difference between Gr and Gb of an output image of the CIS through bilinear interpolation, thereby improving shading and color tone error of an image. A low decoder(20) receives a low address and generates selection signals. A pixel array(30) has plural pixels and outputs a reset signal and a sensing signal generated in each pixel. A CDS(Correlated Double Sampling) block(40) receives the reset signal and the sensing signal, performs CDS, and outputs CDS signals. An A/D(Analog to Digital) converter(50) converts the signals, outputted from the CDS block, into a digital image signal and outputs the converted signal. A color correction block(60) receives the digital image signals and color correction parameters and outputs corrected digital image signal.

Abstract translation: 提供了具有颜色校正块及其图像感测方法的CIS（CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器），以通过双线性插值来插值CIS的输出图像的Gr和Gb之间的差异，从而改善着色和颜色 图像的色调误差。 低解码器（20）接收低地址并产生选择信号。 像素阵列（30）具有多个像素并且输出在每个像素中产生的复位信号和感测信号。 CDS（相关双采样）块（40）接收复位信号和感测信号，执行CDS并输出CDS信号。 A / D（模拟到数字）转换器（50）将从CDS块输出的信号转换为数字图像信号并输出​​转换的信号。 颜色校正块（60）接收数字图像信号和颜色校正参数并输出经校正的数字图像信号。

公开(公告)号：KR100787938B1

公开(公告)日：2007-12-24

申请号：KR1020050064417

申请日：2005-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  이용희 ,  박종은

IPC: H04N5/3745 ,  H04N5/357

CPC classification number: H04N5/335

Abstract: 본 발명은 씨모스 이미지 센서에 관한 것이다. 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서는 각각의 영상신호에 대응되는 광전하를 동시에 생성하여 저장하는 다수의 광전하 생성부들과, 그리고 상기 다수의 광전하 생성부들에 저장된 상기 광전하를 순차적으로 전압으로 변환하는 전압변환부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100744134B1

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：KR1020060018885

申请日：2006-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황성인 ,  이용제 ,  안정착 ,  고주현

IPC: H01L27/146

Abstract: A CMOS image sensor and its driving method are provided to stably drive unit cells while decreasing the number of devices required for the unit cells. A CMOS image sensor includes plural unit cells(100) having a 3-transistor structure. Each unit cell has a photodiode(PD) converting light energy into an electric signal, a transmission transistor(T11) transmitting photo charge stored in the photodiode to a floating diffusion region(FD), a driver transistor(T13) connected to the floating diffusion region at a gate electrode, and a capacitive device(110) connected between a control voltage source(200) and the floating region. The device changes a voltage of the floating diffusion region according to level fluctuation of the control voltage source.

Abstract translation: 提供CMOS图像传感器及其驱动方法以稳定地驱动单位单元，同时减少单位单元所需的装置的数量。 CMOS图像传感器包括具有3晶体管结构的多个单位单元（100）。 每个单位单元具有将光能转换成电信号的光电二极管（PD），将存储在光电二极管中的光电荷传输到浮动扩散区域（FD）的传输晶体管（T11），连接到浮动扩散区域的驱动器晶体管（T13） 在控制电压源（200）和浮动区之间连接的电容器件（110）。 该器件根据控制电压源的电平波动来改变浮动扩散区域的电压。

公开(公告)号：KR100744118B1

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：KR1020050122550

申请日：2005-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착

IPC: H04N5/355 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/374 ,  H01L27/14609 ,  H04N5/355 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/361 ,  H04N5/378

Abstract: 본 발명은 이미지 센서에 구비되는 블랙 픽셀 회로를 이용하여, 포토 다이오드를 구비하는 이미지 센서의 포화 레벨을 검출하는 기술에 관한 것이다. 포토 다이오드를 구비하는 이미지 센서의 포화 레벨을 검출하는 회로에 있어서, 본 발명에 따른 이미지 센서의 포화 레벨 검출 회로는 픽셀부, 리셋 노드 및 검출 제어부를 구비한다. 상기 픽셀부는 상기 포토 다이오드와 연결 또는 차단되는 플로팅 디퓨젼(Floating diffusion) 노드를 구비하며, 상기 플로팅 디퓨젼 노드의 전압에 상응하는 전압 신호를 출력한다. 상기 리셋 노드는 상기 플로팅 디퓨젼 노드와 연결 또는 차단되는 노드이다. 상기 검출 제어부는 상기 리셋 노드로 전원 전압 또는 기준 전압을 전달하는 구성 요소이다.
이미지 센서, CIS, 포토 다이오드, 포화 레벨, 검출, 레벨 설정

公开(公告)号：KR100618818B1

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：KR1020040005643

申请日：2004-01-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착

IPC: H04N5/363 ,  H04N5/3745

Abstract: 고휘도 시의 리셋 레벨 감소를 방지하는 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법이 개시된다. 상기 고체 촬상 소자는, 2차원 행렬형태로 배열된 픽셀들 각각에서, 광소자로부터 빛을 감지하여 전기적 신호로 변환한 영상신호를 생성하여 전달 기간에 출력하고, 리셋신호를 생성하여 리셋 기간에 출력하는 픽셀 어레이; 상기 리셋신호의 전압 크기를 체크하여, 그 전압 크기가 정상상태의 일정 레벨 이하로 감소되는 고휘도 상태가 되면 내부 트랜지스터들의 전압 분배에 의하여 상기 리셋 기간에 상기 정상상태의 일정 레벨의 전압으로 보정된 리셋신호를 생성하여 출력하는 리셋 레벨 보정 회로부; 및 상기 리셋 기간에 상기 리셋신호 또는 상기 보정된 리셋신호 중 어느 하나를 입력받고, 상기 입력받은 신호와 상기 영상신호간의 차이에 대응하는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력하는 아날로그-디지털 변환부를 구비한다.

公开(公告)号：KR101900273B1

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：KR1020110070544

申请日：2011-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영환 ,  안정착 ,  이상주 ,  박종은 ,  장영흡

IPC: H04N5/374 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14641

Abstract: 본발명에따른이미지센서는, 밀러효과를통해소스폴로워증폭기로동작하는드라이브트랜지스터의입력캐패시턴스를감소시켜변환이득을증가시킬수 있다. 이를위해, 센싱노드와메탈콘택사이를격리시켜이들간의기생캐패시턴스를최소화하도록배치한다. 출력라인과센싱노드사이의캐패시터는소스폴로워증폭기의피드백캐패시터로작용하며, 상기기생캐패시턴스를상쇄시킬수 있다.

公开(公告)号：KR101861767B1

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：KR1020110067980

申请日：2011-07-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이윤태 ,  안정착 ,  김태찬 ,  김범석 ,  정정훈 ,  정태섭

IPC: H04N5/359 ,  H04N5/361 ,  H04N5/363 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N9/045 ,  H01L27/14603 ,  H04N5/35563

Abstract: 실시예는이미지센서, 이를포함하는이미지처리장치및 이미지처리장치의보간방법에관한것이다. 실시예에따른이미지센서는, 다수의단위픽셀들을포함하고, 다수의단위픽셀들은, 미리설정된기준값보다적은양의전하를축적하는제1 광전변환소자를구비한저조도용픽셀과기준값보다많은양의전하를축적하는제2 광전변환소자를구비한고조도용픽셀을포함한다. 이에의해, 저조도에서는저조도용픽셀에더 비중을두어보간하고, 고조도에서는고조도용픽셀에더 비중을두어보간함으로써기존구조보다더 좋은신호대잡음비를얻을수 있다.

公开(公告)号：KR101848770B1

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：KR1020110097465

申请日：2011-09-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  김태찬 ,  김범석 ,  김진학

IPC: H04N5/357 ,  H04N5/374 ,  H04N5/353

Abstract: 후면조명이미지센서가개시된다. 상기이미지센서는각각이반도체기판의후면(backside)으로입사되는빛에상응하는광 전하를축적하는포토다이오드와상기광 전하를플로팅디퓨전노드로전송하기위한전송트랜지스터를포함하는서로다른종류의복수의픽셀들과, 각각이상기반도체기판의전면에배치되고상기복수의픽셀들각각의상기전송트랜지스터의게이트에접속된복수의전송라인들을포함하며, 상기복수의전송라인들각각으로전송되는전송제어신호는서로다른유효축적시간을갖는다.

公开(公告)号：KR101804268B1

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：KR1020100108327

申请日：2010-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경호 ,  안정착

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687

Abstract: 노이즈차단을위한깊은가드링구조및 잡음방지영역을갖는이미지센서및 그제조방법이개시된다. 본발명의이미지센서는깊은가드링구조및 깊은가드링주변에깊은웰을형성하여인접픽셀에서의노이즈간섭을방지할수 있고, 깊은가드링영역에잡음방지영역을형성하여이온주입층을분리시킴으로써기판의혼색현상(crosstalk)을효과적으로제거가능한이미지센서구조를얻을수 있다.

公开(公告)号：KR101803719B1

公开(公告)日：2017-12-04

申请号：KR1020100104747

申请日：2010-10-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심은섭 ,  안정착 ,  김범석 ,  이경호

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: 인접화소간크로스토크가방지되는후면조사형액티브픽셀센서어레이및 그제조방법, 이를구비한후면조사형이미지센서가개시된다. 본발명의일실시예에따른후면조사형액티브픽셀센서어레이는전면과후면을구비하고, 상기후면으로입사되는빛에응답하여전하를생성하는다수의수광소자들및 인접하는상기수광소자들사이에위치하여화소간경계를형성하는적어도하나의화소분리막을구비하는제 1 도전형의반도체기판, 상기반도체기판의전면측에위치하는배선층및 상기반도체기판의후면측에위치하는광 필터층을포함하고, 상기적어도하나의화소분리막의두께는상기반도체기판내의한 지점으로부터상기후면으로갈수록좁게형성되는것을특징으로한다.

Abstract translation: 其中防止相邻像素之间的串扰的背照式有源像素传感器阵列及其制造方法以及具有该背面照射式图像传感器。 根据本发明实施例的背照式有源像素传感器阵列包括前表面和后表面，并且包括用于响应入射到后表面上的光而产生电荷的多个光接收元件， 位置，以定位在所述半导体衬底的前侧上的布线层，第一导电类型的半导体衬底，包括至少形成包括在位于所述半导体基板的背面侧的光学滤光层的像素之间的边界的像素限定层， 并且至少一个像素限定层的厚度从半导体衬底中的一个点朝向后表面变窄。