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公开(公告)号：KR102255830B1
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：KR1020140013318
申请日：2014-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 적어도두 개이상의윈도우를디스플레이하고, 디스플레이된윈도우들의적어도하나의경계에위치한센터버튼을디스플레이하고, 센터버튼의이동방향에따라크기가변경될하나의윈도우를결정하고, 결정된윈도우의크기를센터버튼의이동에따라변경하여디스플레이하는단계를포함하고, 결정된윈도우는디스플레이된윈도우위에오버레이되어센터버튼의이동에따라크기가변경되는것을특징으로하는윈도우디스플레이방법이개시된다.
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公开(公告)号：KR102229942B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020140086188
申请日：2014-07-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 멀티채널반도체장치가개시된다. 그러한멀티채널반도체장치는제1 칩으로서기능하기위해제1 채널을가지는제1 다이와제2 칩으로서기능하기위해상기제1 채널과는독립적인제2 채널을가지며, 저장용량및 사이즈가상기제1 다이와동일한제2 다이를구비한다. 상기제1 다이와상기제2 다이간에는서로상대되는칩들로상기제1,2 다이들의내부동작을제어하기위한정보를전달하기위한내부인터페이스가동일패키지내에서배치된다. 본발명에따르면내부인터페이스를통해카운터파트다이로정보가전달된다. 따라서, 제조수율이개선된다.
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公开(公告)号：KR101853874B1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：KR1020110095354
申请日：2011-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C7/1057 , G11C7/1084 , H03K19/0005
Abstract: 메모리장치의동작방법이개시된다. 상기메모리장치의동작방법은 ODT핀으로 ODT 신호를수신하는단계, 및상기 ODT 신호에따라, 명령을이슈하거나 ODT 회로를제어하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170056952A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020150160456
申请日：2015-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/4096 , G11C11/4074 , G11C7/10 , G11C7/22
CPC classification number: G11C7/1057 , G11C7/1066 , G11C7/1072 , G11C7/222 , G11C11/4076 , G11C11/4093
Abstract: 본발명에따른메모리장치에있어서, 복수의데이터신호에대한멀티플렉싱동작을수행하는데이터출력회로를포함하고, 상기데이터출력회로는, 제 1 전원전압을이용하여생성된복수의내부클록신호들을수신하고, 상기제 1 전원전압보다전압레벨이높은제 2 전원전압을이용하여상기복수의내부클록신호들을부스팅함으로써복수의부스팅클록신호들을생성하는클록부스팅버퍼부및 상기부스팅클록신호들에동기하여상기복수의데이터신호를멀티플렉싱(Multiplexing)하여출력하는데이터출력부를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的存储装置包括用于对多个数据信号执行多路复用操作的数据输出电路，并且数据输出电路接收使用第一电源电压生成的多个内部时钟信号 时钟升压缓冲器单元，用于使用具有比第一电源电压高的电压电平的第二电源电压升压多个内部时钟信号以产生多个升压时钟信号， 以及用于输出多路复用数据信号的数据输出单元。
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公开(公告)号：KR101699787B1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：KR1020100000603
申请日：2010-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최정환
IPC: G11C11/407 , G11C8/00 , G11C11/4076 , G11C7/22 , G11C7/10 , G11C8/18 , H03L7/081
CPC classification number: G11C8/00 , G11C7/1051 , G11C7/1066 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C8/18 , G11C11/4076 , H03L7/07 , H03L7/08 , H03L7/0814 , H03L7/0816 , H03L7/0818
Abstract: 외부클럭신호가저주파수를가질때 동작하는지연동기루프와외부클럭신호가고주파수를가질때 동작하는지연동기루프를구비한지연동기루프회로및 이를포함하는반도체장치가개시된다. 지연동기루프회로는제 1 지연동기루프및 제 2 지연동기루프를포함한다. 제 1 지연동기루프는외부클럭신호가저주파수를가질때, 외부클럭신호의지연량을조절하여외부클럭신호에동기된제 1 내부클럭신호를발생한다. 제 2 지연동기루프는외부클럭신호가고주파수를가질때, 외부클럭신호의지연량을조절하여외부클럭신호에동기된제 2 내부클럭신호를발생한다. 따라서, 지연동기루프회로는클럭신호의주파수가바뀔때 동기화시간이짧다.
Abstract translation: 公开了一种具有当外部时钟信号具有低频率时操作的DLL的延迟锁定环路（DLL）电路，以及当外部时钟信号具有高频率时操作的DLL。 DLL电路包括第一DLL和第二DLL。 当外部时钟信号具有低频率时，第一个DLL调整外部时钟信号的延迟时间，以产生与外部时钟信号同步的第一个内部时钟信号。 当外部时钟信号具有高频率时，第二个DLL调整外部时钟信号的延迟时间，以产生与外部时钟信号同步的第二个内部时钟信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160050194A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140147698
申请日：2014-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/409 , H03K19/0175
CPC classification number: G11C7/1087 , G11C7/1084 , H03K5/1565
Abstract: 차동입력신호들간의정전류흐름을방지하는반도체장치가개시된다. 그러한반도체장치는, 차동입력신호들중의제1 신호를버퍼링하는제1 입력부와, 상기차동입력신호들중의제2 신호를버퍼링하는제2 입력부와, 상기제1 입력부의제1 리피팅노드와상기제2 입력부의제2 리피팅노드사이에연결되어상기제1,2 신호들의듀티변화를방지하는래치를포함한다. 또한, 반도체장치는, 상기차동입력신호들의프리앰블이수신되기이전의타임구간에서, 상기제1,2 리피팅노드들에나타나는상기제1,2 신호들의상태에근거하여상기래치의동작을선택적으로스위칭하는래치컨트롤러를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于防止差分信号之间的直流电流路径的半导体器件。 半导体器件包括缓冲差分输入信号中的第一信号的第一输入部分，缓冲差分输入信号中的第二信号的第二输入部分和连接在第一输入部分的第一重复节点和 第二输入部分的第二重复点，并且防止第一和第二信号的占空比变化。 此外，半导体器件包括一个锁存器控制器，该锁存器控制器在差分输入信号的前导码之前的时间范围内，基于表示第一和第二重复节点的第一和第二信号的状态来选择性地切换锁存器的操作 被收到。 因此，可以防止差分信号之间的直流电流的流动。
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公开(公告)号：KR1020160045715A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：KR1020167004571
申请日：2014-08-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/0488 , G06F3/0481
CPC classification number: G06F3/04886 , G06F3/0481 , G06F3/04842 , G06F3/04845 , G06F3/04883 , G06F2203/04803 , G06F2203/04806
Abstract: 복수개의애플리케이션실행창을용이하게제어하기위한디스플레이방법및 그디스플레이장치가제공된다. 디스플레이장치가화면을디스플레이하는방법은터치스크린상에버튼을표시하는단계와, 버튼이표시되는위치에기초하여터치스크린을복수의영역으로분할하는단계와, 표시된버튼을이동시키는터치입력을수신하는단계와, 터치입력의시작점및 종료점을잇는선분의기울기값을획득하는단계와, 분할된복수의영역중에서기울기값에상응하는영역을선택하는단계및 선택된영역에포함된소정의위치(position)로버튼을이동시키는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101605459B1
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：KR1020090007858
申请日：2009-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최정환
CPC classification number: H03L7/0812
Abstract: 지연고정루프블록에연결된듀티싸이클보정블록의동작불량을효과적으로검출할수 있는지연고정루프회로및 그를채용한반도체메모리장치가개시된다. 그러한지연로정루프회로는, 외부클럭을받아지연고정이이루어진내부클럭을생성하는지연고정루프블록과, 상기지연고정루프블록에연결되어상기내부클럭의듀티싸이클을보정하는듀티싸이클보정블록과, 상기듀티싸이클보정블록의동작에러를검출하기위해상기듀티싸이클보정블록의제1,2 펌핑출력노드에나타나는전압을비교및 래치한결과를외부단자로출력하는에러검출부를구비한다. 본발명의실시예의지연고정루프회로에따르면, 듀티싸이클보정블록의동작불량을효과적으로검출함에의해, 실장에서발생될수 있는불량이제거된다.
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公开(公告)号：KR1020150077785A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166622
申请日：2013-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G06F1/3275 , G06F1/3225 , G11C7/1054 , G11C7/1081 , Y02D10/14
Abstract: 메모리시스템은메모리콘트롤러, 메모리장치및 채널을포함한다. 메모리콘트롤러와메모리장치는적어도하나의광 신호선을포함하는채널을통하여연결된다. 메모리장치는광 신호선상의적어도하나의광 신호와메모리장치의적어도하나의내부전기신호상호간을변환하는제1 변환부및 메모리장치의동작상태에기초하여제1 변환부의전력소모량을조절하는제1 전력제어부를포함한다.
Abstract translation: 存储器系统包括存储器控制器，存储器件和通道。 存储器控制器和存储器件通过包括至少一个光信号线的通道连接。 存储装置包括：第一转换单元，其执行光信号线上的至少一个光信号与存储器件的至少一个内部电信号之间的转换;以及第一功率控制单元，其控制第一转换的功耗 基于存储器件的操作状态的单元。
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公开(公告)号：KR1020150060423A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020130144819
申请日：2013-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04B10/572 , H04B10/506 , H04B10/671 , H04B10/801 , H04J14/0278
Abstract: 광전송변환장치는파장선택기, 광전변환기및 전광변환기를포함한다. 파장선택기는파장제어신호에응답하여수신파장선택신호및 송신파장선택신호를제공한다. 광전변환기는메모리컨트롤러로부터전송되는수신광 신호및 수신파장선택신호에기초하여적어도하나의수신선택파장에상응하는선택광 신호를수신전기신호로변환한다. 전광변환기는송신파장선택신호및 메모리컨트롤러로전송되는송신전기신호에기초하여송신전기신호를적어도하나의송신선택파장에상응하는송신광 신호로변환한다. 광전송변환장치는메모리시스템의데이터전송속도를증가시킬수 있고, 광전송변환장치를포함하는옵티컬디바이스의생산효율성을높일수 있다.
Abstract translation: 光传输转换器包括波长选择器，光电转换器和电光转换器。 波长选择器响应波长控制信号提供接收波长选择信号和传输波长选择信号。 光电转换器基于从存储器控制器发送的接收波长选择信号和接收光信号，将对应于至少一个接收选择波长的选择光信号转换为接收电信号。 电光转换器基于发送到存储器控制器的传输电信号和传输波长选择信号，将传输电信号转换成对应于至少一个传输选择波长的传输光信号。 光传输转换器提高了存储系统的数据传输速度。 提高了包括光传输转换器的光学装置的生产效率。
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