公开(公告)号：JP2009004778A

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：JP2008153992

申请日：2008-06-12

Applicant: Fei Co ,  エフ・イ−・アイ・カンパニー

Inventor： TOTH MILOS ,  SMITH NOEL

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC classification number: B05C21/005 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0143 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31744 ,  H01J2237/31749

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide for a method and device for fabricating microscale and nanoscale structures. SOLUTION: The method for fabrication of microscopic structures that uses a beam process, such as beam-induced decomposition of a precursor, to deposit a mask in a precise pattern and then a selective, plasma beam is applied, comprising the steps of first creating a protective mask upon surface portions of a substrate using a beam process such as an electron beam, focused ion beam (FIB), or laser process, and secondly etching unmasked substrate portions using a selective plasma beam etch process. Optionally, a third step comprising the removal of the protective mask may be performed with a second, materially oppositely selective plasma beam process. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供用于制造微米级和纳米级结构的方法和装置。 解决方案：应用使用束过程（例如光束诱导的前体分解）以精确图案沉积掩模然后选择性等离子体束的微观结构的制造方法，包括以下步骤： 首先使用诸如电子束，聚焦离子束（FIB）或激光工艺的束工艺在衬底的表面部分上产生保护掩模，并且其次使用选择性等离子体束蚀刻工艺来蚀刻未掩模的衬底部分。 可选地，包括去除保护掩模的第三步骤可以用第二种，实质上相对地选择的等离子体束工艺进行。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP3813128B2

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：JP2003006130

申请日：2003-01-14

Applicant: インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： ガイ・モシュ・コーヘン ,  ジーニー・マデリン・トレウィーラ ,  ジョアンナ・ロスナー ,  スティーヴン・アラン・コーデス

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00

CPC classification number: H01L21/0334 ,  B81C1/00396 ,  B81C1/00428 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/0337

公开(公告)号：JP2006007407A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：JP2004240905

申请日：2004-08-20

Applicant: Samsung Electro Mech Co Ltd ,  三星電機株式会社

Inventor： KIM JONG SAM ,  LEE SUNG JUN ,  LEE RO WOON

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L27/14 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00936 ,  B81C2201/0132

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a MEMS structural body which can improve a yield by preventing an electric short circuit accident when an wafer substrate and a movable portion, to which different polarities are given, are inevitably brought into contact with each other, and which has a low manufacturing cost.
SOLUTION: The MEMS structural body is composed of a wafer base having an oxide film arranged between lower silicon layers, a fixed portion to be integrally connected to the wafer base, and a movable portion arranged on the fixed portion so as to float. The MEMS structural body includes a floating space (R) formed on the lower silicon layer (113) with a constant depth by the dry etching such that the movable portion (100b) is floated by the etching gas supplied from the etching hole which is formed on an upper silicon layer (111) by the primary dry etching, and from which etching hole, an oxide film on the bottom surface is removed by a secondary dry etching, and a short circuit preventing oxide film (112a) remaining on the lower surface of the movable portion (100b) so as to correspond to the lower silicon layer (113) across the floating space (R).
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种MEMS结构体，其可以通过防止在给予不同极性的晶片基板和可移动部分不可避免地彼此接触的电短路事故来提高产量 ，制造成本低。 解决方案：MEMS结构体由具有布置在下硅层之间的氧化膜的晶片基底，与晶片基底一体连接的固定部分和布置在固定部分上以浮动的可动部分 。 MEMS结构体包括通过干蚀刻形成在下硅层（113）上的恒定深度的浮动空间（R），使得可移动部分（100b）由形成的蚀刻孔提供的蚀刻气体浮起 通过主干蚀刻在上硅层（111）上，通过二次干法蚀刻从其上去除蚀刻孔，底表面上的氧化物膜，并且保留在下表面上的短路防止氧化膜（112a） 的可移动部分（100b），以便跨越浮动空间（R）对应于下硅层（113）。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2005535137A

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：JP2004526631

申请日：2003-08-04

Applicant: ユニバーシタット カッセル

Inventor： オステルシュルツ エグバート ,  ゲオルギエフ ゲオルギ ,  カッシング レイナー

IPC: H01L21/3065 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G01Q40/02 ,  G01Q60/18 ,  G01Q70/16

CPC classification number: G01Q70/16 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0132 ,  G01Q40/02 ,  G01Q60/22 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24479

Abstract: 基板（１）、特に半導体基板上の層に少なくとも１つの小開口（１０）を作るための方法が開示されている。 基板（１）は、先端部（４）と側壁（５）をもつ少なくとも１つのテーパ状くぼみ（６）がその上面側に設けられ、基板（１）の上面側（２）は、少なくともくぼみ（６）の領域において、エッチング可能材料でなる層（７）で被覆されている。 本発明によれば、開口（１０）は、層（７）の材料に適合した異方性プラズマエッチング法によって層（７）を選択的に開口することによって上面側（２）から作られ、材料、エッチングガスおよびエッチングパラメータは、その先端部（９）が基板（１）の先端部（４）上に置かれている層（７）の先端部（９）の領域においては、基板（１）の側壁（５）上に置かれている層（７）の側壁（８）の領域におけるよりも大きなエッチングレートが得られるように選択されている。 さらに、較正標準、屈曲ビームおよび本方法に従って製造される他のコンポーネントパーツが開示されている。

Abstract translation: 该方法在施加到半导体衬底（1）上的层（7）中形成有至少一个开口（10），所述开口（10）通过在施加衬底之前在衬底的表面（2）中设置V形凹部（6） 以可蚀刻的材料层进行各向异性等离子体蚀刻，以比凹槽的蚀刻速率更高的蚀刻速率从V形凹部的基底（9）去除材料。 还包括以下独立权利要求：（a）扫描显微镜的校准标准; （b）具有弯曲梁的微机械传感器; （c）用于信号的电/光传输的部件

公开(公告)号：JP2003273369A

公开(公告)日：2003-09-26

申请号：JP2002073960

申请日：2002-03-18

Applicant: Denso Corp ,  株式会社デンソー

Inventor： OOHARA ATSUSHI ,  MUTO KOJI ,  KANO KAZUHIKO

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/0019 ,  B81C1/00579 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0132 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a movable portion from sticking on a portion around itself, in a manufacturing method of a semiconductor device provided with a laminate consisting of a first semiconductor layer and a second semiconductor layer laminated thereon through an insulating layer, and a movable section formed on the second semiconductor layer and being displaceable in response to application of dynamic quantity.
SOLUTION: In this method of manufacturing a semiconductor device, since an etching speed in a trench forming process is higher than that in a movable section forming process, the amount of a protective film formed on the rear surface of the movable portion 20 as a mask can be reduced in a protective film forming process. In this way, in an etching process, even if the etching ions repelled on the surface of a charged oxide film 13 collide with the rear surface of the portion 20, needle-like projections can be prevented from being formed on the rear surface of the portion 20, and the sticking between the section 20 and the film 13 can be suppressed.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Abstract translation: 要解决的问题：为了防止可动部分粘附在其周围的部分上，在通过绝缘层设置有由第一半导体层和第二半导体层层叠的层叠体的半导体器件的制造方法中 以及形成在第二半导体层上并且响应于动态量的应用而可移位的可移动部分。 解决方案：在这种制造半导体器件的方法中，由于沟槽形成工艺中的蚀刻速度高于可移动部分形成工艺中的蚀刻速度，所以形成在可移动部分20的后表面上的保护膜的量 作为掩模可以在保护膜形成过程中减少。 以这种方式，在蚀刻工艺中，即使在带电氧化膜13的表面上排斥的蚀刻离子与部分20的后表面碰撞，也可以防止在其后表面上形成针状突起 部分20，并且可以抑制部分20和膜13之间的粘附。 版权所有（C）2003，JPO

公开(公告)号：WO2017017000A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/EP2016/067495

申请日：2016-07-22

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  ARNANO

Inventor： AUBERT, Jean-Jacques ,  SALVETAT, Thierry ,  REY, Alain-Marcel ,  FOSSE, Philippe

IPC: G04B17/06 ,  G04B45/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/027 ,  C09K11/77

CPC classification number: C09K11/7706 ,  B81C1/00388 ,  B81C2201/0132 ,  C09K11/7769 ,  G04B17/066

Abstract: Ressort spiral (100) apte à être couplé mécaniquement à un balancier, comprenant au moins une lame (102) enroulée en forme de spirale, la lame (102) comprenant au moins l'un des matériaux suivants : grenat d'aluminate de terre rare, alexandrite, langasite, langatate, spinelle, saphir, fluorine, YLF, et dans lequel la lame (102) a une hauteur h comprise entre 100 μm et 150 μm, une largeur e comprise entre 30 μm et 50 μm, et un espacement p entre deux spires voisines du ressort spiral (100) comprise entre 150 μm et 250 μm.

Abstract translation: 能够机械耦合到天平的螺旋弹簧（100）包括至少一个以螺旋形缠绕的叶片（102），叶片（102）包括以下材料中的至少一种：稀土铝酸盐石榴石， 亚历山大，菱镁矿，菱镁矿，尖晶石，蓝宝石，氟，YLF，其中叶（102）的高度h在100μm和150μm之间，宽度e在30μm和50μm之间，间距p在 螺旋弹簧（100）的两个相邻的线圈在150μm和250μm之间。

公开(公告)号：WO2016161670A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：PCT/CN2015/077281

申请日：2015-04-23

Applicant: 上海微联传感科技有限公司

Inventor： 缪建民

IPC: H04R31/00 ,  H04R19/04

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/038 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003

Abstract: 一种MEMS硅麦克风及其制备方法，通过在多孔背极板硅基（1）上方设有单晶硅振膜（2），并由二氧化硅层（9）分离，其通过硅硅键合法与多孔背极板硅基（1）键合，两者形成麦克风的电容结构；另外单晶硅振膜（2）具有残余应力小且一致性好的特点，从而可提高MEMS硅麦克风的灵敏度和良率；振膜（2）上设有弹簧支撑（7）、凸柱（8）、微孔（11）等其它结构，可快速释放振膜（2）的残余应力，同时避免振膜（2）和多孔背极板硅基（1）间吸和可能性，进一步提高麦克风的良率和可靠性，因此，该MEMS硅麦克风结构具有生产工艺简单、灵敏度高、成本低、一致性好、可靠性强等特点。

公开(公告)号：WO2015104086A1

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：PCT/EP2014/075131

申请日：2014-11-20

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： LUTZ, Theresa ,  HEUCK, Friedjof

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil, das wenigstens die folgenden Schritte umfasst: Herausstrukturieren einer Grundstruktur (10) mindestens einer Komponente des mikromechanischen Bauteils aus zumindest einer kristallinen Schicht (12) eines Substrats mittels eines kristallorientierungs-unabhängigen Ätzschritts, und Herausarbeiten mindestens einer Fläche (18) einer definierten Kristallebene (20) aus der Grundstruktur (10) der mindestens einen Komponente mittels eines kristallorientierungs-abhängigen Ätzschritts, wobei der kristallorientierungs- abhängige Ätzschritt ausgeführt wird, für welchen die jeweilige definierte Kristallebene (20), nach welcher die mindestens eine an der Grundstruktur (10) herausgearbeitete Fläche (18) ausgerichtet wird, von allen Kristallebenen die niedrigste Ätzrate aufweist. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein mikromechanisches Bauteil.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于微机械部件的制造方法，至少包括以下步骤：除去由晶体取向无关的蚀刻步骤来图案化的基本结构（10）的基板的至少一个晶体层（12）的微机械部件中的至少一个部件，并且工作了至少一个 所述至少一个部件的基底结构（10）的确定的晶体平面（20）的表面（18）由一个晶体取向相关的蚀刻步骤，其中进行的晶体取向相关的蚀刻步骤中，用于所述相应所定义的晶面（20），根据该至少 一个在基本结构（10）计算出表面（18）对齐，有所有晶面的最低的蚀刻速率。 此外，本发明涉及一种微机械部件。

公开(公告)号：WO2015102240A1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：PCT/KR2014/011729

申请日：2014-12-02

Applicant: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： MOON, Myoung Woon ,  LEE, Heon Ju ,  LEE, Jeong Sim ,  KO, Tae Jun ,  OH, Kyu Hwan ,  KIM, Do Hyun ,  YU, Eu Sun

IPC: C03C17/34 ,  C09K3/18 ,  C03C4/00

CPC classification number: C03C17/42 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0132 ,  C03C15/00 ,  C03C2217/76 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/328 ,  C03C2218/33

Abstract: The present invention relates to a glass having a surface with improved water-repellency or hydrophobicity and low reflectance, and a fabrication method thereof. A technology is employed, in which a thin film containing silicon or silicon oxide is formed on the glass surface, the nano-structures are formed by selective etching treatment using a reactive gas such as CF 4 or the like to provide superhydrophobicity and low reflectance properties, and a material with low surface energy is coated onto the nano-structures. The fabrication method of the low-reflective and superhydrophobic or super water-repellent glass may execute deposition and etching processes for the glass having the superhydrophobicity and the low reflectance, and provide excellent superhydrophobicity and low reflectance to the surface of the glass which was difficult to be treated. Also, the method is sustainable due to non-use of a toxic etching solution during these processes. The superhydrophobic and low-reflective glass can be applied to various fields, such as high-tech smart devices, vehicles, home appliances and so forth.

Abstract translation: 本发明涉及具有改善的疏水性或疏水性和低反射率的表面的玻璃及其制造方法。 采用在玻璃表面上形成含有硅或氧化硅的薄膜的技术，通过使用CF 4等的反应性气体的选择性蚀刻处理形成纳米结构体，提供超疏水性和低反射性， 并且具有低表面能的材料被涂覆到纳米结构上。 低反射和超疏水或超疏水玻璃的制造方法可以对具有超疏水性和低反射率的玻璃进行沉积和蚀刻工艺，并且对玻璃表面提供优异的超疏水性和低反射率，这是难以 被处理。 此外，由于在这些过程中不使用有毒蚀刻溶液，该方法是可持续的。 超疏水性低反射玻璃可以应用于高科技智能装置，车辆，家用电器等各种领域。

公开(公告)号：WO2014200328A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：PCT/MY2014/000095

申请日：2014-05-02

Applicant: MIMOS BERHAD

Inventor： MUHAMAD RAMDZAN, Buyong ,  AZLINA, Mohd Zain ,  FADZILAH, Arifin

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0361 ,  B81C2201/0132

Abstract: The present invention relates to a method for forming Si grass structure comprising: forming a silicon well (100); and etching the silicon well to form silicon grass structure (200); characterized in that the step of forming silicon well (100) is conducted using a standard deep reactive ion etching Bosch process using photoresist as the masking material. The present invention provides more surface area of the sensing membrane thus increasing the performance of a sensor.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成硅草结构的方法，包括：形成硅阱（100）; 并蚀刻硅阱以形成硅草结构（200）; 其特征在于，使用使用光致抗蚀剂作为掩蔽材料的标准深反应离子蚀刻Bosch工艺来进行形成硅阱（100）的步骤。 本发明提供了更多的传感膜的表面积，从而提高了传感器的性能。