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公开(公告)号：CN104303262B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280038081.3
申请日：2012-06-29
Applicant: 因文森斯公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L23/10 , B81B2201/0264 , B81B2201/047 , B81B2207/115 , B81C1/00238 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C2203/0792 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G02B26/0833 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在此披露了一种用于提供其中一部分暴露在外部环境下的MEMS设备的方法和系统。该方法包括将一个操作晶片粘合到一个设备晶片上以形成一个其中介电层被布置在这些操作晶片和设备晶片之间的MEMS衬底。该方法包括平版印刷地在该设备晶片上限定至少一个压铆螺母柱并将该至少一个压铆螺母柱粘合到一个集成电路衬底上以在该MEMS衬底和该集成电路衬底之间形成一个密封腔。该方法包括在该操作晶片、压铆螺母柱或集成电路衬底中限定至少一个开口以使该设备晶片的一部分暴露在外部环境下。
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公开(公告)号：CN103221333B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201180055630.3
申请日：2011-09-16
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81C1/0023 , H01L23/481 , H01L2224/131 , H01L2924/1461 , H05K1/18 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本文涉及多晶片微机电系统(MEMS)封装。在一示例中，多晶片MEMS封装可以包括：控制器集成电路(IC)，所述控制器集成电路配置成耦合到电路板；MEMS IC，所述MEMS IC安装到所述控制器IC的第一侧；硅通孔，所述硅通孔穿过所述控制器IC在所述第一侧和所述控制器IC的第二侧之间延伸，所述第二侧与所述第一侧相反；并且其中，所述MEMS IC耦合到所述硅通孔。
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公开(公告)号：CN102243125B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110008491.0
申请日：2011-01-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01L9/04
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B3/0078 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127
Abstract: 本发明的目的在于获得一种能够提高膜片的破坏耐压的半导体压力传感器。包括：第一半导体基板(3)，该第一半导体基板(3)形成有在厚度方向上的一个表面开口的凹部(2)；第二半导体基板(4)，该第二半导体基板(4)配置为与第一半导体基板(3)的一个表面相对；以及第一氧化硅膜(6)，该第一氧化硅膜(6)介于第一半导体基板(3)和第二半导体基板(4)之间，形成有连通凹部(2)与第二半导体基板(4)之间的贯通孔(5)，若从与贯通孔(5)及凹部(2)的开口相对的一侧来看，贯通孔(5)的边缘部的至少一部分位于凹部(2)的开口边缘部的内侧。
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公开(公告)号：CN106517079A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610191890.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0054 , B81B3/0051 , B81B7/0048 , B81B7/008 , B81B2201/0264 , B81C1/00325 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , B81C3/001
Abstract: 一种MEMS器件具有：支撑基部，具有与外部环境接触的底表面；传感器管芯，为半导体材料并且集成微机械检测结构；传感器框，布置在传感器管芯周围并且机械地耦合到支撑基部的顶表面；以及帽，布置在传感器管芯上方并且机械地耦合到传感器框的顶表面，帽的顶表面与外部环境接触。传感器管芯从传感器框被机械地去耦合。
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公开(公告)号：CN106458575A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024337.9
申请日：2015-05-08
Applicant: 因文森斯公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2201/0292 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/16152 , H04R1/04 , H04R19/04 , H04R29/004 , H04R2201/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本文披露一种包括至少一环境感测器以及至少一MEMS声敏感测器的集成封装件。该封装件包含一分享端口，用于将该两个感测器暴露于该环境中，其中，该环境感测器测量该环境的特性，该声敏感测器测量声波。该端口将该环境感测器暴露于气流以及将该声敏感测器暴露于声波。该声敏感测器的一个实施例为一麦克风，该环境感测器的一个实施例为湿度感测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104944359B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410113757.1
申请日：2014-03-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81B7/0074 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81C1/00182 , B81C1/00214
Abstract: 一种MEMS器件及其形成方法，其中所述MEMS器件，包括：衬底，所述衬底中形成有集成电路；位于衬底上的第一介质层，第一介质层中形成有若干第一金属连接端和第二金属连接端，第一金属连接端和第二金属连接端与集成电路电相连；位于第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层中形成有加速度传感器，加速度传感器与第一金属连接端电连接；位于第二介质层上与第二介质层键合的半导体基底；位于半导体基底和第二介质层中若干第一金属插塞，第一金属插塞与第二金属连接端电连接；位于半导体基底上的压力传感器，压力传感器与第一金属插塞电连接。本发明的MEMS器件实现压力传感器和加速度传感器的集成，并且MEMS器件的体积较小。
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公开(公告)号：CN104169657B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380013497.4
申请日：2013-03-12
Applicant: W.L.戈尔及同仁股份有限公司
Inventor： A·J·霍利达
IPC: F24F7/00
CPC classification number: B81B7/0061 , B01D53/228 , B01D69/12 , B01D71/06 , B23B3/00 , B32B3/266 , B32B37/18 , B32B38/0004 , B81B7/0041 , B81B7/0058 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00293 , H04R1/28 , H04R25/456 , H04R2460/11 , Y10T156/1052 , Y10T428/24331
Abstract: 本发明涉及包括多个排气区域的排气阵列，排气区域包括多孔PTFE基底材料和包括具有多个穿孔的基质材料的无孔材料，其中，基质材料填充多孔PTFE基底的孔，以形成无孔区域，该无孔区域使多个排气区域互连。
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公开(公告)号：CN106276780A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610481536.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01D11/00 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81C1/00309 , B81C2201/0123 , B81C1/00182 , B81B3/0021 , B81B7/02
Abstract: 根据本发明涉及一种用于制造微机械元件的方法以及用此方法制造的微机械元件。所述微机械元件具有传感器衬底和安装在传感器衬底上的罩。为了制造该罩，在罩衬底的正面的表面上在一个被限制的区域设置多个开口，例如呈微孔的形式(直径几微米)。在制造这些开口时应注意，开口在罩衬底内终止，即不完全穿过罩衬底并具有较小的深度。然后将如此加工的罩衬底安装在传感器衬底上，其中，带有多个开口的罩衬底正面朝向传感器衬底。然后将罩衬底的一部分从背面去除，例如通过从背面减薄、磨削工艺或者其他适合于此的半导体工艺。通过从背面去除罩衬底材料来产生通向所述开口的进入口。
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公开(公告)号：CN104422548B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310381786.1
申请日：2013-08-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: G01L9/0073 , B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81C1/00134 , B81C1/00698
Abstract: 一种电容式压力传感器及其形成方法，所述电容式压力传感器包括：基底，所述基底中具有凹槽和位于凹槽底部的刻蚀孔，凹槽和刻蚀孔相互贯穿；位于凹槽侧壁上的环形的第一电极，所述第一电极包括分立的第一子电极和第二子电极；位于刻蚀孔的侧壁以及凹槽内的环形中空的第二电极，凹槽内的部分第二电极与第一电极之间具有第一空腔，第二电极的中空区域为第二空腔；封闭第二空腔顶端开口的第一密封层；封闭第二空腔底端开口的第二密封层。本发明的电容式压力传感器的占据的基底面积小，灵敏度提高。
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公开(公告)号：CN106044698A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610237645.6
申请日：2016-04-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·弗勒梅尔
CPC classification number: G01L9/0073 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C2203/0109 , G01L9/0041 , B81B7/02 , B81C1/00 , B81C1/00261 , B81C3/00
Abstract: 本公开的各种实施例提供了一种用于封装的MEMS器件的系统和方法。根据实施例，器件包括衬底，布置在衬底之上的换能器裸片；布置在换能器裸片之上的盖体；以及将盖体连接到衬底的支撑结构。支撑结构包括被配置为允许在周围环境和换能器裸片之间传递流体信号的端口。
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