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    Bistable micromechanical switches
    162.
    发明授权
    Bistable micromechanical switches 有权
    双稳态微机械开关

    公开(公告)号：US06239685B1

    公开(公告)日：2001-05-29

    申请号：US09418011

    申请日：1999-10-14

    Applicant: Thomas Robert Albrecht ,  Timothy Clark Reiley

    Inventor： Thomas Robert Albrecht ,  Timothy Clark Reiley

    IPC: H01H3746

    CPC classification number: G11C23/00 ,  B81B3/0024 ,  B81B2201/016 ,  B81B2201/032 ,  G11B5/40 ,  G11B19/04 ,  H01H1/0036 ,  H01H1/20 ,  H01H37/52 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0084 ,  H01H2037/008

    Abstract: A bistable micromechanical switch that includes a substrate, at least two anchor points formed on the substrate, and a beam structure that includes a two-material beam attached to at least two anchor points. The two-material beam has a first portion, a second portion and a center portion. The first portion of the two-material beam is formed from a first layer of a first material and a second layer of a second material such that the first layer of the first portion is proximate to the surface of the substrate and the second layer of the first portion is remote from the surface of the substrate. The first material has a first coefficient of thermal expansion and the second material has a second coefficient of thermal expansion such that the second coefficient of thermal expansion is greater than the first coefficient of thermal expansion. The second portion of the two-material beam is formed from a first layer of the second material and a second layer of the first material such that the first layer of the second portion is proximate to the surface of the substrate and the second layer of the second portion is remote from the surface of the substrate. The beam structure has a first and a second stable state such that the center portion of the beam structure is deflected toward the surface of the substrate for the first stable state and is deflected away from the surface of the substrate for the second stable state.

    Abstract translation: 一种双稳态微机械开关，其包括基板，形成在基板上的至少两个锚定点以及包括连接到至少两个锚定点的双材料梁的梁结构。 双材料梁具有第一部分，第二部分和中心部分。 双材料束的第一部分由第一材料的第一层和第二材料的第二层形成，使得第一部分的第一层靠近衬底的表面，并且第二层的第二层 第一部分远离基板的表面。 第一材料具有第一热膨胀系数，第二材料具有第二热膨胀系数，使得第二热膨胀系数大于第一热膨胀系数。 双材料束的第二部分由第二材料的第一层和第一材料的第二层形成，使得第二部分的第一层靠近基板的表面，并且第二层的第二层 第二部分远离基板的表面。 梁结构具有第一和第二稳定状态，使得梁结构的中心部分朝向基板的表面偏转第一稳定状态，并且偏转离开基板的表面用于第二稳定状态。

    METHOD FOR MANUFACTURING THERMAL BIMORPH DIAPHRAGM AND MEMS SPEAKER WITH THERMAL BIMORPHS
    164.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING THERMAL BIMORPH DIAPHRAGM AND MEMS SPEAKER WITH THERMAL BIMORPHS 审中-公开
    用热二极管制造热二极管膜和MEMS扬声器的方法

    公开(公告)号：WO2016029357A1

    公开(公告)日：2016-03-03

    申请号：PCT/CN2014/085204

    申请日：2014-08-26

    Applicant: GOERTEK INC.

    Inventor： ZOU, Quanbo ,  WANG, Zhe ,  TAO, Jifang ,  QIU, Guanxun

    IPC: H04R31/00 ,  H04R7/00 ,  H04R7/06 ,  H04R9/06

    CPC classification number: H04R19/02 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0197 ,  H04R7/06 ,  H04R19/013 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R2307/025 ,  H04R2307/027

    Abstract: Providing a method for manufacturing a thermal bimorph diaphragm and a MEMS speaker with thermal bimorphs, wherein the method comprises the steps of: thermally oxidizing a substrate (1) to obtain an insulating layer (2) thereon and providing a metal layer (3) on the insulating layer (2); providing a sacrificial layer (4) on the metal layer (3); providing a first thermal bimorph layer (5) on the sacrificial layer (4); providing a second thermal bimorph layer (6) on the first thermal bimorph layer (5); providing a metal connecting layer (7) at the positions on the metal layer (3) where the sacrificial layer (4) is not provided; forming corresponding back holes (16) on the substrate (1) and the insulating layer (2) and releasing the sacrificial layer (4); forming a warped thermal bimorph diaphragm with the first thermal bimorph layer (5) and the second thermal bimorph layer (6) after the sacrificial layer (4) is released. With the MEMS speaker with thermal bimorphs, the problems of high production cost, complicated wafer process and limitations on sound performance improvements are solved.

    Abstract translation: 提供用于制造具有热双压电晶片的热双压电晶片和MEMS扬声器的方法，其中该方法包括以下步骤：对衬底（1）进行热氧化以在其上获得绝缘层（2）并在其上提供金属层（3） 绝缘层（2）; 在所述金属层（3）上提供牺牲层（4）; 在所述牺牲层（4）上提供第一热双压电晶片（5）; 在所述第一热双压电晶片层（5）上提供第二热双压电晶片（6）。 在不设置牺牲层（4）的金属层（3）上的位置设置金属连接层（7） 在基板（1）和绝缘层（2）上形成对应的后孔（16）并释放牺牲层（4）; 在所述牺牲层（4）被释放之后，与所述第一热双压电晶片（5）和所述第二热双压电晶片层（6）形成翘曲的热双压电晶片。 使用具有热双压电晶片的MEMS扬声器，解决了高生产成本，复杂的晶片工艺和声音性能改进的限制的问题。

    METHOD OF FABRICATING MEMS DEVICES WITH ELECTRICAL COMPONENTS IN THEIR SIDEWALLS
    167.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING MEMS DEVICES WITH ELECTRICAL COMPONENTS IN THEIR SIDEWALLS 审中-公开
    将MEMS器件与其电气元件组合在一起的方法

    公开(公告)号：WO2010139034A2

    公开(公告)日：2010-12-09

    申请号：PCT/BG2010/000007

    申请日：2010-06-01

    Applicant: AMG TECHNOLOGY LTD. ,  STAVROV, Vladimir

    Inventor： STAVROV, Vladimir

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2203/0742

    Abstract: The method of fabricating devices for microelectromechanical systems (MEMS) with electrical components in their sidewalls is applicable for the production of microstructures with various electrical and mechanical properties that can be used for sensing in different technical areas. The method consists of three stages and through numerous repetitions of processes of creation of protective layers, photolithographical patterning, consecutive etching processes and doping via high temperature ion diffusion performed over non-deformable semiconductor basic structures, for example monocrystalline Silicon basic structures, it gives opportunity of building of electrical components in the sidewalls of MEMS devices. The electrical components so obtained can have equal or different parameters and can be disposed in parts of or the whole sidewalls of such devices. With MEMS devices realized according to the claimed method measurements with considerably increased accuracy, precision and sensitivity can be made.

    Abstract translation: 制造具有其侧壁中的电气部件的微机电系统（MEMS）的装置的方法适用于具有各种电气和机械特性的微结构的生产，所述微观结构可用于不同技术领域的感测。 该方法由三个阶段组成，通过多次重复制备保护层，光刻图案，连续蚀刻工艺和通过在非可变形半导体基本结构上执行的高温离子扩散（例如单晶硅基本结构）的掺杂过程，它给予机会 在MEMS器件的侧壁中构建电气部件。 如此获得的电气部件可以具有相等或不同的参数，并且可以设置在这些装置的部分或整个侧壁中。 利用根据所要求保护的方法实现的MEMS器件，可以显着提高精度，精度和灵敏度。

    MICROMECHANICAL COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A MICROMECHANICAL COMPONENT
    168.
    发明申请
    MICROMECHANICAL COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A MICROMECHANICAL COMPONENT 审中-公开
    微机械结构和方法微机械结构

    公开(公告)号：WO2009089946A3

    公开(公告)日：2010-01-21

    申请号：PCT/EP2008065572

    申请日：2008-11-14

    Applicant: BOSCH GMBH ROBERT ,  BENZEL HUBERT ,  SCHELLING CHRISTOPH

    Inventor： BENZEL HUBERT ,  SCHELLING CHRISTOPH

    IPC: B81B3/00 ,  G02B26/08

    CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/032 ,  B81B2201/038 ,  B81B2201/042 ,  G02B26/0825 ,  G02B26/0858

    Abstract: The invention relates to a micromechanical component (10) comprising a support (12) having a recess (14) on a surface of the support (12); a membrane (16) which covers the recess (14) to at least some degree; at least one active element (24) with voltage connections arranged on the membrane (16); the active element (24) being designed to vary its spatial extension when a voltage is applied to the active element (24) and to deform the membrane (16); and a microelement (22), arranged on the membrane (16), which can be adjusted by way of a deformation of the membrane (16) due to the application of voltage to the active element (24). The invention further relates to a method for producing a micromechanical component (10) and to a method for operating a micromechanical component (10).

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有在支架的一个表面上的保持器（12）配有一微机械部件（10）（12）形成的凹槽（14）; 的膜（16）连接所述凹部（14）至少部分地覆盖; 至少一个在所述膜（16）布置成与电压端子有源元件（24）; 其中所述有源元件（24）适于在施加电压以改变所述有源元件（24），其空间膨胀和变形膜（16）; 和布置成一个，其是可调节由所述膜（16）的变形而通过将电压施加到所述有源元件（24）的膜（16）的微元件（22）上。 此外，本发明涉及一种用于微机械部件（10）和用于操作的微机械部件（10）的方法的制造方法。

    EINRICHTUNG ZUR ENERGIEUMWANDLUNG, INSBESONDERE PIEZOELEKTRISCHER MIKRO-POWER-WANDLER
    170.
    发明申请
    EINRICHTUNG ZUR ENERGIEUMWANDLUNG, INSBESONDERE PIEZOELEKTRISCHER MIKRO-POWER-WANDLER 审中-公开
    装置进行能量转换，尤其是压电微功率转换器

    公开(公告)号：WO2008025778A1

    公开(公告)日：2008-03-06

    申请号：PCT/EP2007/058952

    申请日：2007-08-29

    Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT ,  ECKSTEIN, Gerald ,  KÜHNE, Ingo

    Inventor： ECKSTEIN, Gerald ,  KÜHNE, Ingo

    IPC: H01L41/113 ,  H02N2/18

    CPC classification number: H01L41/1138 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0127

    Abstract: Es wird eine Vorrichtung, insbesondere ein Mikrosystem, beschrieben, die eine Einrichtung zur Energieumwandlung umfasst. Die Einrichtung zur Energieumwandlung weist eine pie- zoelektrische, mechanische schwingfähige Membranstruktur (3) zur Umwandlung von mechanischer Energie in elektrische Energie und/oder umgekehrt auf, wobei die Membranstruktur (3) in einer Umgebung verkapselt angeordnet ist, die einen vorbestimmten Druck aufweist, der insbesondere geringer als ein isostatischer Druck ist.

    Abstract translation: 它是一种装置，尤其是微描述，其包括用于能量转换的设备。 用于能量转换的装置包括压电zoel​​ektrische，机械振荡膜结构（3），用于将机械能转换成电能和/或反之亦然，其中所述膜结构（3）被布置在封装的环境具有预定压力， 优选比等静压以下。

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