公开(公告)号：KR20100005908A

公开(公告)日：2010-01-18

申请号：KR20080066015

申请日：2008-07-08

Applicant: KOREA ELECTRONICS TELECOMM ,  KWANGJU INST SCI & TECH

Inventor： LEE MYUNG LAE ,  LEE JONG HYUN ,  YUN SUNG SIK ,  JEONG DAE HUN ,  HWANG GUNN ,  CHOI CHANG AUCK ,  JE CHANG HAN ,  AN JAE YONG

IPC: H01L29/00

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a micro vertical structure is provided to improve the performance of an MEMS device such as an electrostatic sensor and an optical element by minimizing form defects and footing phenomenon. CONSTITUTION: An insulating layer pattern(220a) and a hollow space are formed in order to prevent footing phenomenon by patterning an insulating layer(220) after forming the insulating layer on a first crystalline silicon substrate. After welding a second crystalline silicon substrate(230) on the dielectric layer pattern, the second crystalline silicon substrate is etched through a deep reactive ion etching method along the crystal plane of the vertical direction to the second crystalline silicon substrate. A micro vertical structure(230a) with a side vertically to the second crystalline silicon substrate is formed by etching the etched side surface of the second crystalline silicon substrate through a crystalline wet etching method.

Abstract translation: 目的：提供微垂直结构的制造方法，以通过最小化形状缺陷和基础现象来改善诸如静电传感器和光学元件的MEMS装置的性能。 构成：为了防止在第一晶体硅衬底上形成绝缘层之后对绝缘层（220）进行构图，防止基脚现象形成绝缘层图案（220a）和中空空间。 在电介质层图案上焊接第二晶体硅衬底（230）之后，通过深反应离子蚀刻方法沿着与第二晶体硅衬底的垂直方向的晶面蚀刻第二晶体硅衬底。 通过结晶湿蚀刻方法蚀刻第二晶体硅衬底的蚀刻侧表面，形成具有垂直于第二晶体硅衬底的一侧的微立体结构（230a）。

公开(公告)号：KR1020040008143A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：KR1020037012232

申请日：2002-03-21

Applicant: 무라타 일렉트로닉스 오와이

Inventor： 쿠이스마,하이키 ,  라덴페라,유하 ,  뮤티카이넨,리스토

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0817

Abstract: 본 발명은 실리콘 센서 구조물 및 실리콘 센서의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 따라, 단결정 실리콘 웨이퍼(10) 속에 적어도 하나의 스프링 엘리먼트 부분(7)과 상기 적어도 하나의 스프링 엘리먼트 부분(7)에 접속된 적어도 하나의 관성 질량체(8)가 개구부를 에칭함으로써 형성된다. 본 발명에 따라, 실리콘 웨이퍼의 깊이 방향으로 연장되는 개구부 및 트렌치(8)가 검식 에칭 방법에 의해 제조되며, 스프링 엘리먼트 부분(7)의 스프링 상수를 제어하기 위해 사용되는 에칭 프로세스는 습식 에칭 방법을 기초로한다.

公开(公告)号：KR1020030097874A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：KR1020037014923

申请日：2002-04-05

Applicant: 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드

Inventor： 말라메츠데이비드

IPC: G01P15/08

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0181 ,  B81B2203/058 ,  B81C2201/0133 ,  G01P1/006 ,  G01P15/097

Abstract: 구조물을 현수하고 격리하는 장치 및 방법이 제공된다. 상기 장치는 지지구조에 연결되도록 구성된 제1 및 제2 단부가 있는 제1 연장형 굴곡부, 및 상기 지지구조로부터 격리되는 구조에 연결되도록 구성된 제1 및 제2 단부가 있는 제2 연장형 굴곡부를 포함한다. 상기 제2 굴곡부의 제1 및 제2 단부 중간의 부분은 상기 제1 굴곡부의 제1 및 제2 단부 중간의 부분과 상호연결된다. 상기 스트레인 경감 구조는 가속도 측정기에 사용될 수 있다. 구조는 H 또는 X자 형태를 가질 수 있고, 레그 또는 다리가 상기 연장형 굴곡부를 나타낸다.

公开(公告)号：KR1020030019573A

公开(公告)日：2003-03-06

申请号：KR1020037000506

申请日：2001-07-13

Applicant: 시게이트 테크놀로지 엘엘씨

Inventor： 보우타고우,진,에딘

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B81C1/00103 ,  B81B2203/0346 ,  B81B2203/0361 ,  B81B2203/0376 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00547 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0133 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5346 ,  C04B41/91 ,  G11B5/4813 ,  C04B35/00

Abstract: 본 발명에 따른 디바이스는 디스크 드라이브에 이용되는 접합 소자와 디바이스 상의 패턴과의 결합을 용이하게 한다. 개선된 디바이스는 패턴 내의 하나 이상의 측벽과 디바이스의 표면 사이에 아치형 에지를 포함한다. 아치형 에지는 접합 소자가 디바이스 상에 또는 내에 삽입될 때 일반적으로 발생하는 디바이스의 파단을 최소화한다. 본 발명은 또한 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 디바이스에 대해 패턴 형태의 마스크를 위치시키는 단계, 및 하나 이상의 측벽과 아치형 에지를 형성하여 아치형 에지가 디바이스 상의 표면과 측벽 중 하나 사이로 연장하도록 디바이스의 표면 내에 패턴을 에칭하는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 本发明的装置有助于将配对元件（例如用于磁盘驱动器的致动器）与设备上的图案接合。 改进的装置包括图案中至少一个侧壁与装置表面之间的弓形边缘。 弧形边缘可以最大限度地减少装置的一些破裂现象，这种情况通常发生在将配合元件插入装置上或装置中时。 本发明还涉及一种制造器件的方法。 该方法包括将掩模以相对于器件的图案的形式定位，然后将该图案蚀刻到器件上的表面上以形成至少一个侧壁和弓形边缘，使得弓形边缘在器件上的表面之间延伸 和其中一个侧壁。

公开(公告)号：WO2017016997A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/EP2016/067492

申请日：2016-07-22

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  ARNANO

Inventor： SALVETAT, Thierry ,  AUBERT, Jean-Jacques ,  REY, Alain-Marcel

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/033 ,  H01L41/332

CPC classification number: B81C1/00428 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0135 ,  H01L41/332 ,  H03H3/02

Abstract: Procédé de gravure d'au moins une couche de matériau dur (100), comportant au moins la mise en œuvre des étapes suivantes : - collage direct, sur la couche de matériau, d'un premier masque dur (105) métallique et/ou en semi-conducteur, le premier masque dur étant traversé par au moins une première ouverture (114) débouchant sur la couche de matériau et correspondant à un motif destiné à être gravé dans la couche de matériau; - gravure d'au moins une portion de la couche de matériau au niveau de la première ouverture par la mise en œuvre d'au moins une gravure ionique dans un système ICP, et/ou par la mise en œuvre d'au moins une implantation ionique dans la portion de la couche de matériau et d'au moins une gravure chimique de la portion de la couche de matériau ayant subie l'implantation ionique.

Abstract translation: 至少蚀刻至少一层硬质材料（100）的方法，包括至少实现以下步骤：直接粘合到材料层，金属和/或半导体第一硬掩模（105），第一硬掩模通过 穿过穿过材料层上的至少一个第一孔（114），并且对应于待在材料层中蚀刻的图案; 以及通过在ICP系统中实施至少一个离子蚀刻和/或将至少一个离子注入到所述材料层的所述部分中并且至少一种化学物质来蚀刻具有所述第一孔的所述材料层的至少一个部分 蚀刻已经经历离子注入的材料层的截面。

公开(公告)号：WO2016122945A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/US2016/014143

申请日：2016-01-20

Applicant: INVENSENSE, INC.

Inventor： SMEYS, Peter ,  SHIN, Jong II ,  SHIN, Jongwoo

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/016 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792

Abstract: A MEMS device is disclosed. The MEMS device includes a first substrate. At least one structure is formed within the first substrate. The first substrate includes at least one first conductive pad thereon. The MEMS device also includes a second substrate. The second substrate includes a passivation layer. The passivation layer includes a plurality of layers. A top layer of the plurality of layers comprises an outgassing barrier layer. At least one second conductive pad and at least one electrode are coupled to the top layer. At least one first conductive pad is coupled to the at least one second conductive pad.

Abstract translation: 公开了MEMS器件。 MEMS器件包括第一衬底。 在第一基板内形成至少一个结构。 第一衬底包括至少一个第一导电焊盘。 MEMS器件还包括第二衬底。 第二基板包括钝化层。 钝化层包括多个层。 多个层的顶层包括除气阻挡层。 至少一个第二导电焊盘和至少一个电极耦合到顶层。 至少一个第一导电焊盘耦合到所述至少一个第二导电焊盘。

公开(公告)号：WO2015180555A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：PCT/CN2015/078245

申请日：2015-05-05

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 胡永刚 ,  周国平

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C1/00 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0142

Abstract: 一种基于MEMS的传感器的制作方法，包括步骤：在衬底（100）的正面形成浅槽（120）和支撑梁（140）；在衬底（100）的正面形成第一外延层（200）以将浅槽（120）封盖；在第一外延层（200）下形成悬空的网格状结构（160）；在衬底（100）的背面对应浅槽（120）的位置形成深槽（180），使浅槽（120）和深槽（180）连通。基于MEMS的传感器的制作方法在正面形成浅槽时同时形成质量块的支撑梁，使得槽的刻蚀更易控制、工艺更精准，形成的支撑梁一致性和均匀性更好。

公开(公告)号：WO2014008819A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：PCT/CN2013/078525

申请日：2013-06-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 苏佳乐

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C2201/0133 ,  H01L21/30604

Abstract: 一种微机电系统（MEMS）结构及其牺牲层湿法腐蚀方法，所述方法在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏性，进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层。所述方法可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的形貌，尤其是得到直线斜坡形的腐蚀形貌，从而使MEMS结构中的后续层有良好的覆盖性。

公开(公告)号：WO2011015650A3

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：PCT/EP2010061477

申请日：2010-08-06

Applicant: O'MAHONY CONOR ,  O'BRIEN JOSEPH ,  BLAKE ALAN ,  WEBSTER CARLO ,  UNIV COLLEGE CORK NAT UNIV IE

Inventor： O'MAHONY CONOR ,  O'BRIEN JOSEPH ,  BLAKE ALAN ,  WEBSTER CARLO

IPC: A61M37/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00111 ,  A61M37/0015 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0133

Abstract: A method of forming a microneedle device comprises the steps of coating the front and back surfaces of a substrate with a protective masking material, patterning the protective masking material to form a protective mask on the front surface of the substrate and an opening in the protective masking material on the back surface of the substrate, and simultaneously wet-etching both front and back surfaces of the substrate to provide a generally conical microneedle on the front surface of the substrate and a generally conical pit on the back surface of the substrate. The dimensions and location of the protective mask and opening are chosen so that the pyramidal pit extends from the back surface to intersect the front surface of the substrate, generally on, or adjacent to, a surface of the conical microneedle. Thus, a through-hole is formed in the substrate providing fluid communication from a rear of the substrate to a location on the front surface of the substrate, either on the microneedle surface or adjacent to a base of the microneedle.

Abstract translation: 形成微针装置的方法包括以下步骤：用保护性掩蔽材料涂覆基材的前表面和后表面，图案化保护性掩模材料以在基材的前表面上形成保护掩模，并在保护掩模中形成开口 材料，同时湿式蚀刻基板的前表面和后表面，以在基板的前表面上提供大致圆锥形的微针，并且在基板的背面上具有大致圆锥形的凹坑。 选择保护面罩和开口的尺寸和位置，使得金字塔形凹坑从背面延伸以与基底的前表面相交，通常在锥形微针的表面上或邻近圆锥形微针的表面。 因此，在基板中形成通孔，该基板提供从基板的后部到基板的前表面上的位置（在微针表面上或邻近微针的基部）的流体连通。

公开(公告)号：WO2010065518A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：PCT/US2009/066220

申请日：2009-12-01

Applicant: THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK ,  BOLOTIN, Kirill ,  KLIMA, Martin ,  STORMER, Horst ,  KIM, Philip ,  HONE, James

Inventor： BOLOTIN, Kirill ,  KLIMA, Martin ,  STORMER, Horst ,  KIM, Philip ,  HONE, James

IPC: G11C11/18 ,  H01L43/06

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0133 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/19 ,  G03F7/0042 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31678

Abstract: Methods for graphene-assisted fabrication of a surface on a substrate are disclosed herein. In an exemplary method, fabricating an etched surface on a substrate includes, depositing at least one layer of graphene on the surface on the substrate, patterning the deposited layer of graphene, and exposing the surface on a substrate to an acid to etch the surface on the substrate. The method can further include forming the layer of graphene from graphite. In some embodiments, the layer of graphene is formed by mechanically exfoliating the layer of graphene from the graphite. Alternatively, the layer of graphene can be formed by chemically exfoliating the graphene from the graphite, or other carbon materials, and/or utilizing vapor deposition to form the layer of graphene from the graphite, or other carbon materials.

Abstract translation: 本文公开了石墨烯辅助制造衬底上的表面的方法。 在示例性方法中，在衬底上制造蚀刻表面包括：在衬底上的表面上沉积至少一层石墨烯，图案化沉积的石墨烯层，并将衬底上的表面暴露于酸以蚀刻表面上的表面 底物。 该方法还可以包括从石墨形成石墨烯层。 在一些实施方案中，石墨烯层通过从石墨机械剥离石墨烯层而形成。 或者，可以通过从石墨或其它碳材料化学剥离石墨烯和/或利用气相沉积从石墨或其它碳材料形成石墨烯层来形成石墨烯层。