-
公开(公告)号：KR1019970031123A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950042601
申请日：1995-11-21
IPC: H01S5/10
Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 상부 및 하부 표면을 갖는 제 1 도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성된 제 1 도전형의 제 1 클래드층과, 상기 제 1 클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제 1 광도파로층과, 상기 제 1 광도파로드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 제 1 광도파로층 보다 광굴절률이 큰 물질이 양자우물 구조로 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절률이 작은 상기 제 1 광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제 2 클래드층과, 상기 제 2 광도파로층 상부에 소정 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성되며 광굴절률이 제 2 광도파로 보다 작은 서브 릿지와, 상기 서브 릿지의 상부에 서브 릿지 보다 좁은 폭을 갖고 길이 방향으로 게 형성된 제 2 도전형의 제 2 클래드층과, 상기 제 2 클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제 2 도전형의 오믹접촉층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면과 상기 릿지의 오믹접촉층에 형성된 제 1 및 제 2 도전형 전극을 포함한다. 따라서, 고출력 동작시 공진기 내의 광출력 밀도를 낮게하여 고차 모드 발생에 의한 방사 패턴의 변화를 방지하여 레이저 다이오드 모듈에서 출력되는 광량과 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1019960014732B1
公开(公告)日：1996-10-19
申请号：KR1019920025018
申请日：1992-12-22
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0425 , H01S5/12 , H01S5/2081
Abstract: an active layer(32) of a strained quantum well structure and a waveguide layer(33) formed on an InP substrate(31); a p-electrode metal stripe(38) having a width of "r" formed on a ridge comprising a cladding layer(34) and an ohmic contact layer(35); and a dielectric material(39) having an ohmic contact window stripe of "w" where, "w" is smaller than "r", and a p-side bonding pad metal(40) formed on the p-electrode metal stripe(38) in sequence.
Abstract translation: 应变量子阱结构的有源层（32）和形成在InP衬底（31）上的波导层（33）; 在包括覆层（34）和欧姆接触层（35）的脊上形成宽度“r”的p电极金属条（38）; 以及电介质材料（39），其中“w”小于“r”的欧姆接触窗条“w”，以及形成在p电极金属条（38）上的p侧接合焊盘金属 ） 按顺序。
-
公开(公告)号：KR1019960006752B1
公开(公告)日：1996-05-23
申请号：KR1019920024463
申请日：1992-12-16
IPC: H01L33/00
Abstract: The integrated optical source of an optical converter includes a first conductivity type first isolation layer(2) formed on a semiconductor substrate(1), a first undoped multi-quantum well layer(3) having an energy gap narrower than that of the first isolation layer(2), formed on the first isolation layer(2), a first conductivity type second isolation layer(4) formed of the same material as the first isolation layer(2) on the first multi-quantum well layer(3), a second undoped multi-quantum well layer(5) having an energy gap narrower than that of the first multi-quantum well layer(3), formed on the second isolation region(4), a first conductivity type third isolation layer(6) formed on the second multi-quantum well layer(5), a second conductivity type clad layer(9) having an energy gap wider than those of the first, second and third isolation layers(2,4,6), formed on the third isolation layer(6), a heavily doped second conductivity type cap layer(10) formed on the clad layer(9), first and second electrodes(12) formed on a semiconductor laser region and optical converter region on the cap layer(10) and a common electrode(13) formed on the bottom of the substrate(1).
Abstract translation: 光转换器的集成光源包括形成在半导体衬底（1）上的第一导电类型的第一隔离层（2），具有比第一隔离窄的能隙的第一未掺杂多量子阱层（3） 形成在第一隔离层（2）上的由第一多量子阱层（3）与第一隔离层（2）相同的材料形成的第一导电类型的第二隔离层（4） 形成在第二隔离区域（4）上的具有比第一多量子阱层（3）的能隙窄的能隙的第二未掺杂多量子阱层（5），第一导电型第三隔离层（6） 形成在所述第二多量子阱层（5）上的第二导电型覆盖层（9），其具有比所述第一，第二和第三隔离层（2,4,6）的间隙宽的能隙， 隔离层（6），首先形成在覆盖层（9）上的重掺杂的第二导电型覆盖层（10） 以及形成在半导体激光器区域上的第二电极（12）和在盖层（10）上的光转换器区域和形成在基板（1）的底部上的公共电极（13）。
-
公开(公告)号：KR102246610B1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：KR1020190113723
申请日：2019-09-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N21/3581 , G02B26/12
Abstract: 폴리곤미러어셈블리및 스캔장치가제공된다. 폴리곤미러어셈블리는, 회전축으로부터소정의거리로이격되어배치된복수의반사면을포함하는폴리곤미러; 폴리곤미러를회전축을중심으로회전시키는제1 모터; 제1 모터가폴리곤미러를회전시키는동안, 회전축이틸팅(tilting)되도록폴리곤미러를제1 축방향으로이동시키는제2 모터; 및제1 모터의회전속도에대한변화를검출하기위한클럭신호를추출하는클럭신호추출면을포함한다.
-
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：KR1020160129541A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020150061839
申请日：2015-04-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10
CPC classification number: G02B6/4201 , H01L31/09 , H01S5/0262 , H01S5/1007
Abstract: 본발명은포토다이오드에관한것이다. 본발명의포토다이오드는비팅신호를입력받고, 적어도두 개로분기되는도파로들, 도파로들각각의수직방향으로배열되며, 도파로들끝단에서일정간격이격되어배치되는흡수층들, 및도파로들의끝단을기준으로형성되며, 흡수층들이상단에배치되는적어도하나의중간층을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种光电二极管。 所述光电二极管包括：至少两个分支波导，被配置为接收跳动信号; 沿垂直方向设置在波导上的吸收层，并且与波导的远端间隔开预定间隔; 以及基于波导的远端形成的一个或多个中间层，并且在一个或多个中间层的上端设置有吸收层。
-
公开(公告)号：KR1020150043064A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：KR1020130122052
申请日：2013-10-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/09
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/02366 , H01L31/18
Abstract: 광크로스토크를줄일수 있는어레이형광검출기를제조하는방법을제시한다. 제시된방법은도핑된기판을준비하는단계, 도핑된기판의일면상에부도체층을성장시키는단계, 부도체층의상면에광검출기어레이제조층을성장시키는단계, 광검출기어레이제조층을식각하여광검출기어레이를제조하되부도체층의일부에까지식각하는단계, 도핑된기판의타면에식각마스크를형성하는단계, 및식각마스크를통해도핑된기판의타면을식각하여도핑된기판의타면에혼 안테나역할을하는어퍼쳐어레이를형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种能够减少光串扰的阵列型光检测器的制造方法。 制造阵列型光学检测器的方法包括以下步骤：制备掺杂的衬底; 在掺杂衬底的一个表面上生长非导电层; 在非导电层上生长光学检测器阵列制造层; 蚀刻光学检测器阵列制造层以制造光学检测器，蚀刻在非导电层的一部分上进行; 在掺杂衬底的另一表面上形成蚀刻掩模; 以及通过通过蚀刻掩模蚀刻掺杂衬底的另一表面，在掺杂衬底的另一表面上形成用作喇叭天线的孔径阵列。
-
公开(公告)号：KR101381235B1
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020100084922
申请日：2010-08-31
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/06258 , H01S5/0612 , H01S5/06256 , H01S5/1096 , H01S5/1215 , H01S5/2222
Abstract: 이중 모드 반도체 레이저 및 이를 이용한 테라헤르츠파 장치가 제공된다. 이중 모드 반도체 레이저는 기판 상의 제 1 회절 격자를 가지는 분포 귀환 레이저 구조부 및 기판 상의 제 2 회절 격자를 가지는 분포 브래그 반사 레이저 구조부를 포함하되, 분포 귀환 레이저 구조부가 발진하는 제 1 파장과 분포 브래그 반사 레이저 구조부가 발진하는 제 2 파장은 서로 다르며, 상기 분포 귀환 레이저 구조부와 상기 분포 브래그 반사 레이저 구조부는 동일한 이득 매질을 공유한다.
-
公开(公告)号：KR101374321B1
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020120109025
申请日：2012-09-28
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명에 따른 비접촉 두께 측정 장치는, 제 1 주파수의 제 1 레이저 광 및 상기 제 1 주파수와 다른 제 2 주파수의 제 2 레이저 광을 발생하는 레이저 발생 소자, 상기 발생된 제 1 및 제 2 레이저 광들을 결합하는 결합기, 상기 결합기로부터 출력된 제 1 광신호를 입력 받고, 상기 입력된 제 1 광신호와 인가된 바이어스에 의하여 테라헤르츠 연속파를 발생하는 테라헤르츠파 송신기, 상기 결합기로부터 출력된 제 2 광신호를 지연시키는 광지연라인, 및 시료를 투과한 상기 테라헤르츠 연속파를 수신하고, 상기 수신된 테라헤르츠 연속파 및 상기 지연된 제 2 광신호를 이용하여 호모다인 방식으로 광전류를 검출하는 테라헤르츠파 수신기를 포함하고, 상기 시료의 두께는 상기 광전류에 대응하는 값이다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
227
records
(took 0.069 seconds)
