Abstract:
PURPOSE: An electrospinning device and a method for manufacturing the aligned nanofiber using the same are provided to control spinning direction of the nanofiber and to fabricate aligned nanofiber. CONSTITUTION: An electrospinning device comprises: a spinning nozzle unit(100), a grounding electrode(200), a first high voltage direct current generator(300), an electric filed lens(400), a second high voltage direct current generator(500), and switching device(600). The spinning nozzle unit discharges a polymer solution which is a nanofiber ingredient. The grounding electrode is placed on an insulation board(201) for collecting spun fibers.
Abstract:
PURPOSE: A thermoelectric device having improved thermoelectric efficiency and manufacturing a method thereof are provided to increase thermoelectric efficiency by using a thermal insulating film having low thermoelectric efficiency. CONSTITUTION: A heat absorbing film(230) is formed on a substrate(210) and absorbs an outer heat source. A leg(240) transfers the heat absorbed through the heat absorbing film to the heat radiation film. A heat radiation film(250) emits the heat which it is transmitted from the leg to outside. Thermal isolation films(220,260) reduce the heat transfer rate at the leg. The thermal isolation film is formed in at least one of the leg lower part and upper part.
Abstract:
PURPOSE: An oxide semiconductor nanofiber manufacturing method for a sensor and a gas sensor using the same are provided to cancel a large variation of electric resistance due to reaction gas suction and oxidation/reduction reaction on the oxide surface. CONSTITUTION: An oxide semiconductor nanofiber manufacturing method for a sensor is as follows. Oxide semiconductor/polymer composite solution is manufactured. The oxide semiconductor/polymer composite solution is applied on a substrate. The substrate on which the oxide semiconductor/polymer composite solution is applied is thermally treated. The step of manufacturing the oxide semiconductor/polymer composite solution is as follows. The oxide semiconductor Lan+1NinO3n+ 1(n=1,2,3) nanofiber is formed. A metal oxide precursor, polymer, and solvent are taken and mixed with a predetermined weight and a volume ratio. The mixed material is stirred above a room temperature to manufacture the oxide semiconductor/polymer composite solution.
Abstract:
PURPOSE: A capacitive environment-harmful gas sensor and a manufacturing method thereof are provided to decrease the number of processes and to ensure easy processing by forming metal electrodes and a micro thin film heater on the same plane. CONSTITUTION: A capacitive environment-harmful gas sensor comprises an insulating substrate(210), a metal electrode(200), a micro thin film heater wire(230), and an oxide detection layer(240). The metal electrode and the micro thin film heater wire are integrally formed on the same plane of the insulating substrate. The oxide detection layer is coated on the metal electrode and the micro thin film heater wire. An electric signal filtering circuit is supplied to the same plane as the metal electrode and the micro thin film heater wire. The electric signal filtering circuit prevents the distortion of electric signals due to the electrical interference of the metal electrode with the micro thin film heater wire.
Abstract:
본 발명은 환경 가스 센서용 나노결정의 복합 산화물 박막, 이를 이용한 환경 가스 센서 및 환경 가스 센서의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노결정 복합 산화물 박막은 서로 독립된 결정상을 갖는 이종 산화물 나노 결정 입자로 이루어지며, 이를 구비한 환경 가스 센서는 고감도, 고선택성, 고안정성 및 저전력의 우수한 특성을 갖는다. 나노결정, 복합 산화물 박막, 환경 가스 센서
Abstract:
A single-layered porous metal oxide sensor and a manufacturing method thereof are provided to improve the gas sensing performance of the metal oxide layer of the sensor by inserting a contact-type heating coil between the insulation diaphragm and the substrate. A single-layered porous metal oxide sensor comprises a substrate(103), multi-stepped electrodes(201) which are located apart from each other on the substrate, a bead structure formed on the substrate so that bead particles are arranged between the electrodes in a single layer, and metal oxide(104) formed on the surface of the bead structure.
Abstract:
본 발명은 고속으로 양자 암호 키를 전송할 수 있는 자동 보상 양자 암호 송수신장치 및 방법에 관한 것으로 양자 암호 송신 장치는 파장 변환부,광 감쇠기, 광 위상 변조기 및 패러데이 미러를 포함하고, 양자 암호 수신 장치는 편광 분할기, 광 커플러, 광필터 및 광자 검출기를 포함하여 단일 광자가 전송되는 양자 경로상의 광섬유의 레일리이 산란에 의한 전송 속도의 한계를 극복하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다. 양자 암호, 양자 키 분배
Abstract:
본 발명은 유기 반도체 트랜지스터에 관한 것으로, 특히 유기 반도체에 손상을 최소화하면서 유기 반도체 위에 전극을 형성하기 위한 전도성 잉크에 관한 것이다. 이 전도성 잉크는 금속 나노 입자와 전도성 고분자를 혼합하여 이루어지며, 직접 인쇄를 이용한 유기 트랜지스터 제작에서 전극 재료로 사용될 수 있다. 본 발명에 따르면, 소자 제작 가격을 획기적으로 줄일 수 있다. 유기 반도체, 전극, 직접 인쇄, 전도성 잉크
Abstract:
강자성체를 전극으로 사용한 전기 발광(electroluminescence) 소자를 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따른 전기 발광 소자는 강자성체로 이루어진 전극을 포함하여 구성된다. 즉, 제1전극과, 제1전극에 대향되는 제2전극, 및 제1전극과 제2전극 사이에 도입되어 제1전극 및 제2전극들에 의해서 주입되는 전하들의 결합에 의해서 발광하는 발광층을 포함하여 구성되고, 제1전극 및 제2전극 중 적어도 어느 하나의 전극은 강자성체로 이루어져 강자성체의 자화 방향에 부합되는 스핀(spin) 방향을 가지는 전하들을 선택적으로 발광층에 주입한다. 이때, 제1전극은 제2전극에 대해서 반대 방향으로 자화 방향을 가지는 강자성체로 이루어질 수 있다.
Abstract:
본 발명은 양극과 음극 사이에 발광층을 갖는 유기물 혹은 고분자 전기 발광소자의 수명 증진 및 구부림성을 부여하기 위한 엔캡슐레이션용 박막 재료에 관한 것으로, 상세하게는 주쇄의 반복단위로서 1종 내지 4종의 펜타에리스리톨 아크릴레이트 모노머를 중합한 호모-폴리머, 2원 코-폴리머, 터-폴리머 또는 테트라-폴리머로 이루어진 고분자 또는 이들 고분자와 이종의 고분자를 물리적으로 혼합한 고분자 블랜드로 이루어진 유기물 혹은 고분자 전기 발광소자의 엔캡슐레이션용 박막 재료에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 박막 재료로써 유기물 또는 고분자 전기 발광 소자를 엔캡슐레이션하기 위한 습식 및 건식 공정으로 이루어진 엔캡슐레이션 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 엔캡슐레이션된 유기 발광소자는 구부림이 가능하며, 대면적의 디스플레이를 제작하는데 이용 가능하다.