公开(公告)号：CN104022752A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410063348.5

申请日：2014-02-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 衣川拓也 ,  山田明法

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24 ,  H03H3/02 ,  G06F1/16 ,  H04M1/02 ,  H04N5/225

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0118 ,  G01P15/097 ,  Y10T29/49117

Abstract: 本发明提供MEMS振子及其制造方法、电子设备以及移动体，可抑制振动频率的改变和破损。MEMS振子具有：绝缘部；设置于绝缘部的一个面的第1电极、固定部和功能部；以及第2电极，其被设置成至少一部分隔着间隙与第1电极重叠，第2电极与功能部抵接，从固定部起延伸设置。

公开(公告)号：CN103958393A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280055218.6

申请日：2012-11-09

Applicant: 株式会社优利电子

Inventor： 韩龙熙 ,  金衡原 ,  安美淑

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01P15/00 ,  H01L21/48

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00285 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  H01L31/02016 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明涉及MEMS传感器封装及其方法。一种微机电系统(MEMS)传感器封装，包括：第一晶片，其上形成有读出集成电路(ROIC)；第二晶片，其对应于第一晶片设置并在其一侧上具有凹部以及在凹部上制备的MEMS传感器；连结焊料，其沿MEMS传感器周围形成并通过连结第一和第二晶片而密封MEMS传感器；以及盘焊料，其形成为电连接第一晶片的ROIC电路和第二晶片的MEMS传感器。根据本发明，在对其上形成有ROIC的晶片和其上形成有MEMS传感器的晶片进行连结和封装时，通过在内部形成盘焊料以电连接ROIC和MEMS传感器封装件的尺寸可减小并可稳定地提供电信号。

公开(公告)号：CN103852598A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310651898.4

申请日：2013-12-05

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： B·西蒙尼 ,  L·科洛纳多 ,  G·卡萨尼卡

IPC: G01P15/125 ,  B81B7/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: G01P1/00 ,  B81B7/0048 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/058 ,  G01P1/006 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0831

Abstract: 本发明涉及微机电结构，并且更具体地涉及通过采用并调整用于将可移动的检验质量块连接至锚固部的弹性元件来补偿热力学应力影响的系统、装置和方法。检验质量块通过相对于可移动的质量块旋转轴线平移和倾斜而对加速度作出响应。热力学应力在制造、包装和组装的过程中或者在结构的整个寿命内在结构中累积。应力造成了检验质量块上的位移。多个弹性元件连接成支承检验质量块。这些弹性元件的几何形状和结构被调整以减小由热力学应力造成的位移。

公开(公告)号：CN103663344A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310415336.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 快捷半导体(苏州)有限公司 ,  快捷半导体公司

Inventor： 戴维·L·马克斯 ,  B·伯坎肖 ,  J·布雷泽克

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/096 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  H01L23/481 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L28/82 ,  H01L29/84 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及一种包括多材料填充物的改进型硅通孔。一种装置包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大。所述装置可以包括：口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上。所述装置包括：填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。

公开(公告)号：CN102001614B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201010269917.3

申请日：2010-08-27

Applicant: 美商明锐光电股份有限公司

Inventor： 吴华书 ,  钱元晧 ,  钟士勇 ,  曾立天 ,  叶裕德

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0735

Abstract: 本发明提供一种微机电(MEMS)装置与其制造方法。微机电装置组装包括一第一基板，其具有多个电子装置、多个第一接合区域以及多个第二接合区域。微机电装置组装尚包括一第二基板，其与第一基板于多个第一接合区域接合。第二基板上方设置一第三基板，其具有一凹槽区域以及多个托脚结构，且其与第一基板于多个第二接合区域接合。多个第一接合区域提供第一基板与第二基板间的导电路径，而多个第二接合区域提供第一基板与第三基板间的导电路径。

公开(公告)号：CN103245377A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210505202.2

申请日：2012-11-30

Applicant: 亚太优势微系统股份有限公司

Inventor： 吴章文 ,  谢哲伟 ,  叶武振 ,  殷宏林 ,  郗怀威

IPC: G01D21/02 ,  B81B3/00

CPC classification number: G01P1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123

Abstract: 一种单体化复合传感器及其封装品，所述封装品包含：一单体化复合传感器、一封盖及一底板。单体化复合传感器包含：一主体、一复合体、至少一连结梁及多个传感元件。复合体包括相连接的一质量块及一薄膜，两者共同界定出至少一空腔。连结梁连结主体与复合体，使复合体可相对于主体作运动。其中至少一个传感元件形成于薄膜位于空腔上的区域。封盖连接于单体化复合传感器的上表面，遮盖复合体及所述连结梁并与复合体及连结梁相间隔，且设有多个穿孔。底板连接于单体化复合传感器的下表面，与封盖位于单体化复合传感器的相反两侧，且与复合体相间隔。

公开(公告)号：CN103221778A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180055845.5

申请日：2011-09-18

Applicant: 快捷半导体公司

Inventor： C·阿卡

IPC: G01C19/5642 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B7/04 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/051 ,  B81B2203/053 ,  B81B2203/055 ,  B81B2203/056 ,  B81B2203/058 ,  B81B2207/094 ,  G01C19/5755 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0848

Abstract: 除其它情况之外，本申请讨论了帽晶片和通孔晶片，所述帽晶片和所述通孔晶片被配置为封装在装置层的x-y面上形成的单质量块三轴陀螺仪。所述单质量块三轴陀螺仪可包括：主质量块部件、中心悬置系统以及驱动电极，其中，所述主质量块部件悬置于单中心支架上，且所述主质量块部件包括向外朝所述三轴陀螺仪传感器的边缘延伸的放射状部分；所述中心悬置系统被配置为将所述三轴陀螺仪悬置于所述单中心支架上；且所述驱动电极包括移动部分和固定部分，所述移动部分连接到所述放射状部分上，其中，所述驱动电极和所述中心悬置系统被配置为使所述三轴陀螺仪关于垂直于所述x-y面的z轴以驱动频率振动。

公开(公告)号：CN103209922A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180053926.1

申请日：2011-09-20

Applicant: 快捷半导体公司

Inventor： J·布雷泽克 ,  约翰·加德纳·布卢姆斯伯 ,  C·阿卡

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B1/00 ,  H01G7/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/096 ,  H01G7/06

Abstract: 本文涉及用于微机电系统(MEMS)传感器的器件层的装置和方法，所述MEMS传感器具有通孔，所述通孔具有减小的并联电容。在一个实例中，器件层可包括衬底，该衬底具有在水平方向上被所述衬底的一部分分隔开的一对沟槽，其中，该对沟槽中的每个沟槽包括包含电介质的第一垂直层和第二垂直层，所述第一垂直层和第二垂直层被包含多晶硅的第三垂直层分隔开。

公开(公告)号：CN101553425B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200780038947.X

申请日：2007-10-18

Applicant: 惠普开发有限公司

Inventor： S·拉马穆尔蒂 ,  D·J·米利根

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00253 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/051 ,  B81B2203/053 ,  B81C1/00142 ,  B81C3/004 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/058

Abstract: 本发明公开了一种形成微机电系统(MEMS)换能器的示范性系统和方法。根据本文公开的一个示范性实施例，该MEMS换能器由两个晶片形成，并且消除了检测质量和挠性件的厚度的相互影响，从而允许它们被独立设计。此外，本示范性系统和方法刻蚀晶片的两侧以限定检测质量和挠性件，从而允许光学对准顶部和底部晶片。

公开(公告)号：CN102792170A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012940.7

申请日：2011-02-24

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 宫武亨 ,  高桥亨 ,  小林俊宏 ,  宇都宜隆 ,  矢泽久幸 ,  大川尚信

IPC: G01P15/125 ,  B81B3/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0828 ,  G01P2015/0837

Abstract: 本发明的目的尤其在于提供能够抑制可动部即可动电极与固定电极层间的电短路的物理量传感器。物理量传感器具备：基材，其具有锚定部(29)及在锚定部上经由弹簧部被支承成能够沿高度方向上变位的可动部(34)；对置部(20)，其与基材在高度方向上对置且固定支承锚定部，并且与可动部在高度方向上空出间隔地对置；固定电极层(28)，其形成在对置部的表面上；突起部(23)，其表面为对可动部限位的限位面；固定支承部(22)，其设置在对置部的表面上；接合部(26)，其由将固定支承部和锚定部间接合的金属层构成。突起部(23)从对置部(20)的表面突出，在下凹的对置部的表面上配置有固定电极层(28)，突起部(23)的表面比固定电极层(28)的表面在高度方向上突出。