公开(公告)号：JP2010541002A

公开(公告)日：2010-12-24

申请号：JP2010526859

申请日：2007-09-28

Applicant: クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド

Inventor： イ・ファン・スー ,  ガン・シュイ ,  シェン−ツン・ホアン ,  シャオミン・ヤン ,  ダナ・チェイス ,  タン・ニア・トゥ ,  チア・ウェイ・ヤン ,  チイ・ルオ ,  ブライアン・ジェームズ・ギャリー ,  リオール・コグト ,  ルーチョ・フローレス

IPC: G02B26/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0142

Abstract: より速くエッチングされる部分とより遅くエッチングされる部分とを備えた犠牲構造体を備えたＭＥＭＳは、その犠牲構造体をエッチングすることによってＭＥＭＳ内にキャビティを形成する際に、構造特徴部に対する損傷の減少を示す。 異なるエッチング速度が構造層を機械的に分離することによって、エッチングプロセス中の装置の応力を低下させる。 方法及びシステムも提供される。

公开(公告)号：JP4528771B2

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：JP2006506179

申请日：2004-04-26

Applicant: キャベンディッシュ・キネティックス・リミテッド

Inventor： アンドリュー・ジョン・ウィークス ,  ジャック・ルオ ,  チャールズ・ゴードン・スミス ,  ロベルト・ファン・カムペン

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  H01H59/0009

公开(公告)号：JP4473138B2

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：JP2004560864

申请日：2003-12-12

Applicant: アイシー メカニクス インコーポレイテッド

Inventor： カーリー エル．リチャード ,  サンタナン スレシュ ,  スー ユーヌー

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  G01P1/02 ,  G01P15/08 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0136 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828

公开(公告)号：JP4456310B2

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：JP2001516008

申请日：2000-08-01

Applicant: エーデーシー・テレコミュニケーションズ・インコーポレーテッド

Inventor： ナン・ツァン

IPC: G02B26/02 ,  G02B26/08 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B6/35 ,  H02N1/00

CPC classification number: G02B6/357 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/045 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2203/0136 ,  G02B6/3514 ,  G02B6/3518 ,  G02B6/3544 ,  G02B6/3584 ,  H02N1/008

公开(公告)号：JP2009545881A

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：JP2009522786

申请日：2007-07-23

Applicant: アイディーシー、エルエルシー

Inventor： コサリ、マニシュ ,  サンプセル、ジェフリー・ビー．

IPC: H01L21/302 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00579 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132

Abstract: 【課題】微小電気機械システムデバイスの製造中の表面電荷を低減するための方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの製造中における表面付随電荷の形成および蓄積と、それに付随する有害作用を防止する方法がここに提供される。 いくつかの実施形態において、ここに提供する方法は、イオン化ガスの存在下において犠牲物質をエッチングする。 イオン化ガスは、エッチングプロセスの間に生成される荷電種を中性化し、他のエッチング副産物と一緒にそれらの除去を可能にする。 また、本発明の方法によって形成された微小電気機械デバイスと、そのようなデバイスを包含する視覚ディスプレイデバイスが示される。

公开(公告)号：JP2008514438A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：JP2007533493

申请日：2005-08-30

Applicant: アイディーシー、エルエルシー

Inventor： コサリ、マニシュ ,  チュイ、クラレンス ,  トゥン、ミン−ハウ ,  バティー、ジョン ,  マイルズ、マーク・ダブリュ．

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/053 ,  G02B26/001

Abstract: 【課題】微小電気機械システムデバイス内における構造物の電気機械的動作を制御すること。
【解決手段】
一実施形態においては、本発明は、微小電気機械システムデバイスを製造する方法を提供する。 前記方法は、特徴的な電気機械的反応、及び特徴的な光学的反応を有する膜を具備する第１の層を製造することであって、前記特徴的な光学的反応は望ましく、前記特徴的な電気機械的反応は望ましくないことと、前記電気機械システムデバイスの起動中に蓄積される電荷を少なくとも減少させることによって前記特徴的な電気機械的反応を修正すること、とを具備する。

公开(公告)号：JPWO2004068591A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：JP2004544185

申请日：2003-01-29

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 美香 奥村 ,  美香 奥村 ,  牧夫 堀川 ,  牧夫 堀川 ,  公敏 佐藤 ,  公敏 佐藤

IPC: H01L29/84 ,  B81B3/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L21/28

CPC classification number: B81C1/00095 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

Abstract: 本発明は半導体基板、例えば加速度センサを搭載するシリコン基板と接続される電極を形成するに際し、フォトレジストが覆う段差を低減する技術を提供することを目的とする。そして上記目的を達成するために、犠牲層(4)や半導体膜(50)、固定電極(51)を形成する前に、電極(90)を形成するための開口(80)を形成する。よって厚いフォトレジストを必要としない。

公开(公告)号：JP2005246602A

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：JP2005059514

申请日：2005-03-03

Applicant: Robert Bosch Gmbh ,  ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

Inventor： FISCHER FRANK ,  ARTMANN HANS ,  METZGER LARS ,  HOECHST ARNIM ,  GONSKA JULIAN

IPC: G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01J1/02 ,  G01L7/08 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81B7/0029 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0338 ,  B81C2201/0109

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To effectively prevent intrusion of contaminated particles into a cavity.
SOLUTION: At least one inlet passage 8 to the cavity 10 is formed between an upper layer 6 of a layer system in a region of a diaphragm 9, and a lower layer 2 disposed directly above a first sacrificial layer 1. At least one aperture 7 is provided in the upper layer 6, and at least one aperture 3 is provided in the lower layer 2. The aperture 7 provided in the upper layer 6, and the aperture 3 provided in the lower layer 2 are arranged shifted from each other.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：有效防止污染颗粒侵入腔内。 解决方案：在隔膜9的区域中的层系统的上层6和直接设置在第一牺牲层1正上方的下层2之间，形成至少一个到空腔10的入口通道8。 一个孔7设置在上层6中，并且至少一个孔3设置在下层2中。设置在上层6中的孔7和设置在下层2中的孔3布置为从每层 其他。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2005169616A

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：JP2004340417

申请日：2004-11-25

Applicant: Stmicroelectronics Inc ,  エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド STMicroelectronics,Inc

Inventor： BLANCHARD RICHARD A ,  MCALEXANDER JOSEPH C

IPC: G01P15/135 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01K5/62 ,  G01P15/18

CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/033 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an integrated and released beam layer structure manufactured in a trench and its manufacturing method.
SOLUTION: The beam layer structure has a semiconductor substrate 20, the trench 18, a first electrical conducting layer 24, and the beam 28. The trench is extended inside the semiconductor substrate and has a wall. The first electrical conducting layer is positioned on the wall of the trench in the selected position. The beam is positioned on the trench, and the first part of it is connected to the semiconductor substrate, and a second part of it is movable. The second part of the beam is separated from the wall of the trench by the selected distance. Therefore, the second part of the beam is freely movable inside the plane vertical or parallel to the surface of the substrate, and can be deflected, that is, deformed relative to the trench so as to electrically contact in response to a predetermined acceleration force applied to the beam structure or the change of a predetermined temperature.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供在沟槽中制造的集成和释放的束层结构及其制造方法。 解决方案：光束层结构具有半导体衬底20，沟槽18，第一导电层24和光束28.沟槽在半导体衬底的内部延伸并具有壁。 第一导电层位于选择位置的沟槽壁上。 光束定位在沟槽上，其第一部分连接到半导体衬底，其第二部分是可移动的。 梁的第二部分与沟槽的壁分开一定距离。 因此，梁的第二部分可以在垂直或平行于基板的表面的平面内自由移动，并且可以被偏转，即相对于沟槽变形，以便响应于施加的预定加速力而电接触 到梁结构或预定温度的变化。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JPWO2003010828A1

公开(公告)日：2004-11-18

申请号：JP2003516107

申请日：2001-07-23

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 美香 奥村 ,  美香 奥村 ,  牧夫 堀川 ,  牧夫 堀川 ,  清志 石橋 ,  清志 石橋 ,  武文 西上 ,  武文 西上

IPC: H01L29/84 ,  B81B3/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L21/306

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/0109 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0814

Abstract: 本発明は、半導体加工技術を用いて形成される薄膜構造体の製造方法に関し、熱収縮時に犠牲膜と基板との間に生じる応力差を低減することができる薄膜構造体の製造方法を提供することを目的とする。そして、上記目的を達成するために、この薄膜構造体の製造方法では、基板(1)上に形成する犠牲膜(51)が、燐濃度が3mol%より大きく、4mol%より小さな値に設定されたPSG膜によって形成される。犠牲膜(51)は、その上に薄膜層(53)が形成され、その薄膜層(53)がパターニングされた後、エッチング処理により除去される。