公开(公告)号：WO2009131722A3

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：PCT/US2009031515

申请日：2009-01-21

Applicant: SANDIA NAT LAB ,  PERROUD THOMAS D ,  PATEL KAMLESH D

Inventor： PERROUD THOMAS D ,  PATEL KAMLESH D

IPC: G01N1/28 ,  G01N35/10

CPC classification number: G01N33/5005 ,  B01F3/0807 ,  B01F5/0471 ,  B01F13/0059 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502753 ,  B01L3/502761 ,  B01L3/502776 ,  B01L3/502784 ,  B01L2200/0668 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0864 ,  B01L2400/0688 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00119 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0142 ,  Y10T137/9464 ,  Y10T428/24479

Abstract: Disclosed herein are methods of immobilizing a particle which comprise focusing the flow of a sample fluid containing the particle into a virtual channel which flows towards an unoccupied hydrodynamic trap in a microfluidic channel such that the particle flows into the hydrodynamic trap and becomes immobilized therein. Also disclosed are microfluidic devices which comprise at least one microchannel having at least one hydrodynamic trap, at least one focusing fluid inlet, said focusing fluid inlet is upstream of the hydrodynamic trap such that a focusing fluid introduced therein results in a virtual channel of a sample fluid when present which preferentially flows toward the hydrodynamic trap.

Abstract translation: 本文公开了固定颗粒的方法，其包括将含有颗粒的样品流体的流聚焦到虚流道中，所述虚流道朝向微流体通道中的未被占据的流体动力捕集器流动，使得颗粒流入流体动力捕集器并且固定在其中。 还公开了微流体装置，其包括具有至少一个流体动力捕集器的至少一个微通道，至少一个聚焦流体入口，所述聚焦流体入口在流体动力捕集器的上游，使得引入其中的聚焦流体导致样品的虚拟通道 存在时流体优先流向流体动力捕集器。

公开(公告)号：WO2009131722A2

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：PCT/US2009/031515

申请日：2009-01-21

Applicant: SANDIA NATIONAL LABORATORIES ,  PERROUD, Thomas, D. ,  PATEL, Kamlesh, D.

Inventor： PERROUD, Thomas, D. ,  PATEL, Kamlesh, D.

IPC: G01N1/28 ,  G01N35/10

CPC classification number: G01N33/5005 ,  B01F3/0807 ,  B01F5/0471 ,  B01F13/0059 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502753 ,  B01L3/502761 ,  B01L3/502776 ,  B01L3/502784 ,  B01L2200/0668 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0864 ,  B01L2400/0688 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00119 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0142 ,  Y10T137/9464 ,  Y10T428/24479

Abstract: Disclosed herein are methods of immobilizing a particle which comprise focusing the flow of a sample fluid containing the particle into a virtual channel which flows towards an unoccupied hydrodynamic trap in a microfluidic channel such that the particle flows into the hydrodynamic trap and becomes immobilized therein. Also disclosed are microfluidic devices which comprise at least one microchannel having at least one hydrodynamic trap, at least one focusing fluid inlet, said focusing fluid inlet is upstream of the hydrodynamic trap such that a focusing fluid introduced therein results in a virtual channel of a sample fluid when present which preferentially flows toward the hydrodynamic trap.

Abstract translation: 本文公开了固定颗粒的方法，其包括将含有颗粒的样品流体的流动聚焦到虚拟通道中，该虚拟通道朝向微流体通道中的未占据的流体动力阱捕获，使得颗粒流入流体动力阱并固定在其中。 还公开了微流体装置，其包括具有至少一个流体动力捕集器，至少一个聚焦流体入口的至少一个微通道，所述聚焦流体入口在流体动力捕集器的上游，使得其中引入的聚焦流体导致样品的虚拟通道 存在时优先流向流体动力阱的流体。

公开(公告)号：WO2009126352A2

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：PCT/US2009/031516

申请日：2009-01-21

Applicant: SANDIA NATIONAL LABORATORIES ,  PERROUD, Thomas, D. ,  PATEL, Kamlesh, D. ,  MEAGHER, Robert, J.

Inventor： PERROUD, Thomas, D. ,  PATEL, Kamlesh, D. ,  MEAGHER, Robert, J.

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/70

CPC classification number: G01N33/5005 ,  B01F3/0807 ,  B01F5/0471 ,  B01F13/0059 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502753 ,  B01L3/502761 ,  B01L3/502776 ,  B01L3/502784 ,  B01L2200/0668 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0864 ,  B01L2400/0688 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00087 ,  B81C1/00119 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0142 ,  Y10T137/9464 ,  Y10T428/24479

Abstract: Disclosed herein are methods of making micropores of a desired height and/or width between two isotropic wet etched features in a substrate which comprises single-level isotropic wet etching the two features using an etchant and a mask distance that is less than 2X a set etch depth. Also disclosed herein are methods using the micropores and microfluidic devices comprising the micropores.

Abstract translation: 这里公开的方法是在衬底中的两个各向同性湿蚀刻特征之间制造所需高度和/或宽度的微孔的方法，其包括使用蚀刻剂和小于2X的蚀刻剂的掩模距离的单层各向同性湿法蚀刻两个特征 深度。 本文还公开了使用包括微孔的微孔和微流体装置的方法。

公开(公告)号：WO2008015434A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：PCT/GB2007/002932

申请日：2007-08-02

Applicant: POINT 35 MICROSTRUCTURES LIMITED ,  O'HARA, Anthony

Inventor： O'HARA, Anthony

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C2201/0133

Abstract: A controlled method of releasing a microstructure comprising a silicon oxide layer located between a substrate layer and a layer to be released from the silicon oxide layer is described. The method comprises the step of exposing the silicon oxide layer to a hydrogen fluoride vapour in a process chamber having controlled temperature and pressure conditions. A by- product of this reaction is water which also acts as a catalyst for the etching process. It is controlled employment of this inherent water source that results in a condensed fluid layer forming, and hence etching taking place, only on the exposed surfaces of the oxide layer. The described method therefore reduces the risk of the effects of capillary induced stiction within the etched microstructure and/or corrosion within the microstructure and the process chamber itself.

Abstract translation: 描述了释放包括位于衬底层和要从氧化硅层释放的层之间的氧化硅层的微结构的控制方法。 该方法包括在具有受控温度和压力条件的处理室中将氧化硅层暴露于氟化氢蒸汽的步骤。 该反应的副产物是还用作蚀刻工艺的催化剂的水。 控制这种固有水源的使用，导致仅在氧化物层的暴露表面上形成冷凝的流体层，并且因此进行蚀刻。 因此，所描述的方法降低了在微结构和处理室本身内的蚀刻微结构内的毛细管诱导静电和/或腐蚀的影响的风险。

公开(公告)号：WO0248023A3

公开(公告)日：2003-08-21

申请号：PCT/US0151334

申请日：2001-10-25

Applicant: OMM INC

Inventor： GRITTERS JOHN ,  SAILOR MICHAEL J

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/016

Abstract: A method is provided for fabricating a MEMS device on a workpiece by forming a mercaptain mask (306) on a gold structure (309). The mask (306) is used to inhibit anodic etching of polysilicon structures (303) during the acid etch process that is used to remove the oxide dielectric layer from the workpiece to expose the polysilicon structures of the MEMS device (303) to allow their movement. The mercaptain can be utilised to adhere to the exposed gold surface (309) to form a self-mask (306) on the gold surface (309). As such, a workpiece having numerous gold surfaces, such as numerous optomechanical switches, each having various types of gold structures, can be placed in a mercaptain solution. The mercaptain selectively coats the gold surfaces to form self-adhering mercaptain masks on all the exposed gold surfaces.

Abstract translation: 提供了一种通过在金结构（309）上形成巯基掩模（306）来在工件上制造MEMS器件的方法。 掩模（306）用于在酸蚀刻工艺期间抑制多晶硅结构（303）的阳极蚀刻，所述酸蚀刻工艺用于从工件去除氧化物介电层以暴露MEMS器件（303）的多晶硅结构以允许其移动 。 可以使用巯基粘附到暴露的金表面（309）以在金表面（309）上形成自掩模（306）。 因此，可以将具有多个金表面的工件，例如各种具有各种类型的金结构的多个光学机械开关放置在巯基溶液中。 巯基选择性地涂覆金表面以在所有暴露的金表面上形成自粘的巯基掩模。

公开(公告)号：WO02095800A3

公开(公告)日：2003-02-13

申请号：PCT/US0216224

申请日：2002-05-22

Applicant: REFLECTIVITY INC ,  PATEL SATYADEV R ,  HUIBERS ANDREW G ,  SCHAADT GREGORY P ,  HEUREUX PETER J

Inventor： PATEL SATYADEV R ,  HUIBERS ANDREW G ,  SCHAADT GREGORY P ,  HEUREUX PETER J

IPC: B81B3/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/461 ,  B81C5/00 ,  G02B26/08

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/112 ,  B82Y30/00

Abstract: An etching method, such as for forming a micromechanical device, is disclosed. One embodiment of the method is for releasing a micromechanical structure, comprising, providing a substrate (10); providing a sacrificial layer (20) directly or indirectly on the substrate; providing one or more micromechanical structural layers (30) on the sacrificial layer; performing a first etch to remove a portion of the sacrificial layer (20), the first etch comprising providing an etchant gas and energizing (42) the etchant gas so as to allow the etchant gas to physically, or chemically and physically, remove the portion of the sacrificial layer; performing a second etch to remove additional sacrificial material in the sacrificial layer, the second etch comprising providing a gas that chemically but not physically etches the additional sacrificial material.

Abstract translation: 公开了一种诸如用于形成微机械装置的蚀刻方法。 该方法的一个实施例是用于释放微机械结构，包括提供衬底（10）; 在衬底上直接或间接提供牺牲层（20）; 在牺牲层上提供一个或多个微机械结构层（30）; 执行第一蚀刻以去除牺牲层（20）的一部分，所述第一蚀刻包括提供蚀刻剂气体并激发（42）蚀刻剂气体，以便使蚀刻剂气体在物理或化学和物理上移除部分 的牺牲层; 执行第二蚀刻以去除牺牲层中的附加牺牲材料，第二蚀刻包括提供化学上但不物理蚀刻附加牺牲材料的气体。

公开(公告)号：WO2002095800A2

公开(公告)日：2002-11-28

申请号：PCT/US2002/016224

申请日：2002-05-22

Applicant: REFLECTIVITY, INC. ,  PATEL, Satyadev, R. ,  HUIBERS, Andrew, G. ,  SCHAADT, Gregory, P. ,  HEUREUX, Peter, J.

Inventor： PATEL, Satyadev, R. ,  HUIBERS, Andrew, G. ,  SCHAADT, Gregory, P. ,  HEUREUX, Peter, J.

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/112 ,  B82Y30/00

Abstract: An etching method, such as for forming a micromechanical device, is disclosed. One embodiment of the method is for releasing a micromechanical structure, comprising, providing a sacrificial layer directly or indirectly on the substrate; providing one or more micromechanical structural layers on the sacrificial layer; performing a first etch to remove a portion of the sacrificial layer, the first etch comprising providing an etchant gas and energizing the etchant gas so as to allow the etchant gas to physically, or chemically and physically, remove the portion of the sacrificial layer; performing a second etch to remove additional sacrificial material in the sacrificial layer, the second etch comprising providing a gas that chemically but not physically etches the additional sacrificial material. Another embodiment of the method is for etching a silicon material on or within a substrate, comprising: performing a first etch to remove a portion of the silicon, the first etch comprising providing an etchant gas and energizing the etchant gas so as to allow the etchant gas to physically, or chemically and physically, remove the portion of silicon; performing a second etch to remove additional silicon, the second etch comprising providing an etchant gas that chemically but not physically etches the additional silicon.

Abstract translation: 公开了一种诸如用于形成微机械装置的蚀刻方法。 该方法的一个实施例是用于释放微机械结构，其包括：在衬底上直接或间接提供牺牲层; 在所述牺牲层上提供一个或多个微机械结构层; 执行第一蚀刻以去除牺牲层的一部分，所述第一蚀刻包括提供蚀刻剂气体并激发蚀刻剂气体，以允许蚀刻剂气体在物理或化学和物理上去除牺牲层的该部分; 执行第二蚀刻以去除牺牲层中的附加牺牲材料，第二蚀刻包括提供化学上但不物理蚀刻附加牺牲材料的气体。 该方法的另一实施例是用于在衬底上或衬底内蚀刻硅材料，包括：执行第一蚀刻以去除硅的一部分，第一蚀刻包括提供蚀刻剂气体并激发蚀刻剂气体以允许蚀刻剂 物理或化学和物理的气体去除硅的部分; 执行第二蚀刻以去除附加的硅，第二蚀刻包括提供蚀刻剂气体，其化学地但不物理地蚀刻附加的硅。

公开(公告)号：WO02006061A1

公开(公告)日：2002-01-24

申请号：PCT/US2001/022037

申请日：2001-07-13

IPC: B81C1/00 ,  C04B41/53 ,  C04B41/91 ,  G11B5/48 ,  H02N2/00 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00

CPC classification number: B81C1/00103 ,  B81B2203/0346 ,  B81B2203/0361 ,  B81B2203/0376 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00547 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0133 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5346 ,  C04B41/91 ,  G11B5/4813 ,  C04B35/00

Abstract: The device of the present invention facilitates engaging mating elements, such as actuators used in disc drives, with a pattern on the device. The improved device includes arcuate edges between at least one of the sidewalls in the pattern and the surface of the device. The arcuate edges minimize some of the fracturing of the device that typically occurs when a mating element is inserted on or into the device. The present invention also relates to a method of fabricating a device. The method comprises positioning a mask in the form of a pattern relative to the device, and then etching the pattern into a surface on the device to form at least one sidewall and an arcuate edge such that the arcuate edge extends between the surface on the device and one of the sidewalls.

Abstract translation: 本发明的装置有助于将配合元件（例如在盘驱动器中使用的致动器）与设备上的图案相啮合。 改进的装置包括在图案中的至少一个侧壁和装置的表面之间的弧形边缘。 弧形边缘最小化当将配合元件插入或插入设备时通常发生的装置的一些破裂。 本发明还涉及一种制造装置的方法。 所述方法包括以相对于所述装置的图案的形式定位掩模，然后将所述图案刻蚀到所述装置上的表面中以形成至少一个侧壁和弓形边缘，使得所述弧形边缘在所述装置上的所述表面之间延伸 和一个侧壁。

公开(公告)号：WO2017045264A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/CN2015/094796

申请日：2015-11-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭广生 ,  王思雨 ,  蒲巧生 ,  汪夏燕

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B81C1/00928 ,  B81C3/001 ,  B81C3/002 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0128 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/051 ,  H01L21/68

Abstract: 等离子体辅助的玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合方法，其步骤如下：完全去除玻璃或石英芯片光胶层及铬层，使用洗洁精及大量超纯水充分清洗表面。利用等离子体清洗器进行表面清洗及活化，使表面具有高亲水性；无水条件下，使用显微镜观察，移动清洗后的基片及盖片，完成精确对准。在边缘缝隙滴入极少量超纯水进行粘合，充分施压挤出多余水分后，依靠等离子体清洗器的真空功能排出芯片中的全部水分，完成玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合。进一步采用热键合的方法完成芯片的永久键合。该方法使得对准及预键合，整体操作时间可在30min内完成。快速高效、实施简便、操作安全、适用广泛。

公开(公告)号：WO2016102628A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：PCT/EP2015/081090

申请日：2015-12-22

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： POSSEME, Nicolas ,  LANDIS, Stéphan ,  NOURI, Lamia

IPC: H01L21/3065 ,  B81C99/00 ,  G02B5/18 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  B29D11/00 ,  G02B3/00

CPC classification number: B29D11/00365 ,  B81B2203/0376 ,  B81C1/00103 ,  B81C1/0046 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0136 ,  C23C14/042 ,  C23C14/48 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/5873 ,  G02B3/0025 ,  G02B3/0031 ,  G02B3/02 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76817

Abstract: L'invention concerne notamment un procédé de réalisation de motifs dans une couche à graver (410), à partir d'un empilement comprenant au moins la couche à graver (410) et une couche de masquage(420) surmontant la couche à graver (410), la couche de masquage(420) présentant au moins un motif (421), le procédé comprenant au moins: a) une étape de modification d'au moins une zone (411) de la couche à graver (410) par implantation d'ions (430) au droit de l'au moins un motif (421); b) au moins une séquence d'étapes comprenant: b1) une étape d'élargissement (440) de l'au moins un motif (421) selon un plan dans lequel s'étend principalement la couche à graver (410); b2) une étape de modification d'au moins une zone (411', 411'') de la couche à graver (410) par implantation d'ions (430) au droit de l'au moins un motif (421) élargi, l'implantation étant effectuée sur une profondeur inférieure à la profondeur d'implantation de l'étape précédente de modification; c) une étape de retrait (461, 462) des zones modifiées (411, 411', 411''), le retrait comprenant une étape de gravure des zones modifiées (411, 411', 411'') sélectivement aux zones non modifiées (412) de la couche à graver (410).

Abstract translation: 本发明特别涉及一种用于从至少要被蚀刻的层（410）和覆盖在待蚀刻层（410）上的一个掩模层（420）至少包括待蚀刻层（410）的叠层（410）中产生图案的方法 410），所述掩模层（420）具有至少一种图案（421），所述方法至少包括：a）通过离子注入（410）修饰待蚀刻层（410）的至少一个区域（411）的步骤 430）与所述至少一个图案（421）一致; b）至少一个步骤序列，其包括：b1）在待蚀刻的层（410）主要延伸的平面中扩大所述至少一个图案（421）的步骤（440） b2）通过与所述至少一个放大图案（421）一致的离子注入（430）修饰待蚀刻层（410）的至少一个区域（411'，411“）的步骤，所述注入被携带 在比前述修改步骤的植入深度小的深度处; c）去除改质区域（411,411'，411“）的步骤（461,462），该去除步骤包括选择性地将修饰区域（411,411'，411”）蚀刻到非修饰区域的步骤， 要蚀刻的层（410）的改性区域（412）。