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公开(公告)号：FR3061996A1
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：FR1750419
申请日：2017-01-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： BONNET BENOIT
IPC: H01Q9/04
Abstract: L'invention concerne une antenne comportant : une bande conductrice allongée (22) ; une prise d'antenne (24) ; une connexion (26) à la masse ; au moins un premier élément capacitif (28) de capacité réglable ; et au moins un premier élément inductif (34) en série avec le premier élément capacitif.
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公开(公告)号：FR3061995A1
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：FR1750418
申请日：2017-01-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： BONNET BENOIT
IPC: H01Q9/04
Abstract: L'invention concerne un antenne (2) comportant : une bande conductrice allongée (22) ; une prise d'antenne (24) ; une connexion (26) à la masse ; au moins un premier élément capacitif (28) de capacité réglable ; et au moins un premier élément inductif (32) reliant la bande conductrice à la masse.
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公开(公告)号：FR3025396A1
公开(公告)日：2016-03-04
申请号：FR1458195
申请日：2014-09-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS , CENTRE NAT RECH SCIENT
Inventor： PIETTRE KILIAN , FAU PIERRE , CURE JEREMY , CHAUDRET BRUNO
IPC: H05K3/42
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de connexion électrique sur une surface d'un substrat (101) de silicium revêtue d'une couche (105) d'oxyde de silicium, comprenant les étapes suivantes : a) déposer une couche (107) de silicate de manganèse sur la couche d'oxyde de silicium (105), ce dépôt comprenant au moins une étape de trempage du substrat (101) dans une solution d'amidinate de manganèse ; et b) déposer une couche (109) de cuivre au-dessus de la couche de silicate de manganèse (107), ce dépôt comprenant une étape de trempage du substrat (101) dans une solution d'amidinate de cuivre.
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公开(公告)号：FR3013467A1
公开(公告)日：2015-05-22
申请号：FR1361454
申请日：2013-11-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： RIVET BERTRAND , JOUVE DAVID
Abstract: L'invention concerne un circuit d'équilibrage d'une tension aux bornes d'un élément semiconducteur connecté en série avec d'autres éléments semiconducteurs (D1, D2, Dn) du même type, comportant un comparateur (31) d'une information représentative de la tension aux bornes dudit élément semiconducteur par rapport à une tension de référence (VREF), et un élément résistif de valeur réglable (M) commandé par ledit comparateur.
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公开(公告)号：DE102014116952A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：DE102014116952
申请日：2014-11-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： RIVET BERTRAND , JOUVE DAVID
Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zum Spannungsausgleich an den Anschlüssen eines Halbleiterelementes, das mit anderen Halbleiterelementen (D1, D2, ..., Dn-1, Dn) vom gleichen Typ in Reihe geschaltet ist, umfassend einen Komparator (31) zum Vergleichen einer repräsentativen Information der Spannung an den Anschlüssen des besagten Halbleiterelementes mit einer Bezugsspannung (VREF), und ein Widerstandselement mit einstellbarem Wert (M), das von dem besagten Komparator her gesteuert wird.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3012699A1
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：FR1360660
申请日：2013-10-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： RIVET BERTRAND , JEAN CHARLES GRECA , LANOIS FREDERIC
IPC: H02M7/12 , H01L25/11 , H01L29/861
Abstract: L'invention concerne un circuit comportant : un premier transistor à effet de champ monté en première diode (D32) et pourvu d'électrodes de drain, de source, de grille, ainsi que d'une électrode supplémentaire ; un deuxième transistor à effet de champ monté en deuxième diode (D34) et pourvu d'électrodes de drain, de source, de grille, ainsi que d'une électrode supplémentaire ; un premier interrupteur (54) reliant la grille du premier transistor à son drain ; un deuxième interrupteur (56) reliant la grille du deuxième transistor à son drain ; et un circuit (52) de commande des premier et deuxième interrupteurs.
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公开(公告)号：FR3012696A1
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：FR1360438
申请日：2013-10-25
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： JEAN CHARLES GRECA , RIVET BERTRAND
IPC: H02H9/04
Abstract: L'invention concerne un dispositif (3) de protection contre des surtensions comportant : en série entre deux bornes (12, 14) destinées à être connectées à un élément (1) à protéger, une varistance (2) et au moins un interrupteur (K) ; et un circuit (4) de commande en ouverture et en fermeture de l'interrupteur.
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公开(公告)号：FR3009129A1
公开(公告)日：2015-01-30
申请号：FR1357407
申请日：2013-07-26
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： BOUFNICHEL MOHAMED , LADROUE JULIEN , GOSSET NICOLAS
IPC: H01L21/3065 , H01L29/872
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique dans et sur une couche (3) de nitrure de gallium, comportant une étape d'amincissement d'une portion de ladite couche (3) par usinage ionique.
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公开(公告)号：FR3006813A1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：FR1355211
申请日：2013-06-06
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： BOUYSSOU EMILIEN , GUY-BOUYSSOU DELPHINE
Abstract: L'invention concerne un procédé de régénération de la capacité de charge d'une batterie dans lequel on provoque une décharge (41) de la batterie, puis on applique (45) à ses bornes une tension de polarisation (VPOL) inférieure à la tension minimale nécessaire à la charge de la batterie.
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公开(公告)号：FR3004019A1
公开(公告)日：2014-10-03
申请号：FR1352864
申请日：2013-03-29
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： HEURTIER JEROME , BOUGRINE GUILLAUME , FLORENCE ARNAUD
IPC: H02H9/04
Abstract: L'invention concerne un composant de protection contre des surtensions adapté à la protection d'une ligne d'alimentation comprenant en parallèle une diode à retournement (D), un commutateur commandé (SW), et un circuit de commande (CONTROL) du commutateur.
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