-
公开(公告)号：KR100704546B1
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020040073803
申请日：2004-09-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법에 관한 것으로, 특히 다중모드 간섭을 일으키는 1 ×1 단일 다중모드 영역에 자장을 인가하여 유효 굴절율을 변화시킨 광 아이솔레이터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법은 다중모드 도파로 영역에 빛의 진행방향에 수직이면서 광 도파로 평면에 평행한 방향으로 외부 자장을 가하여 전방으로 진행하는 빛과 후방으로 진행하는 빛이 각각 서로 다른 유효 굴절율(effective refractive index)을 갖도록 하는 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법을 포함한다.
자기 광학적 효과, 다중모드 간섭영역, 집적화된 광 아이솔레이터-
公开(公告)号：KR100571871B1
公开(公告)日：2006-04-17
申请号：KR1020030074203
申请日：2003-10-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01P1/36
CPC classification number: G02F1/0955 , G02B6/2746 , G02B2006/12157 , G02F2001/212 , G02F2202/32
Abstract: 반도체 자기광학 집적 광 아이솔레이터는 자기 물질의 광학적 특성인 광의 진행 경로 방향이 달라질 때 발생하는 비가역적 위상변위를 이용하여 광 도파로의 클래딩 층이나 가이딩 층이 자기물질로 구성된 마하젠더(Mach-Zehnder) 형태의 집적 광 아이솔레이터로 구현하고 있다. 이런 비가역적 위상변위을 일으키는 기본적인 요소는 자기 물질이 가지고 있는 패러데이 회전(Faraday rotation) 때문이다. 그러므로, 단길이의 집적화된 광 아이솔레이터를 제작하기 위해서는 큰 패러데이 회전 값이 필수적이다. 하지만 벌크 상태의 자기 물질은 패러데이 값이 크지 않기 때문에 아이솔레이터를 제작하기 위해서는 수 ㎜ 단위의 길이가 필요하다.
본 발명은 자기 광학적 물질과 유전체 물질이 주기적인 구조를 가지는 자기 광자 결정을 이용한 집적 광 아이솔레이터를 구현한다. 이로 인해, 자기 광자 결정은 벌크 상태의 자기 물질보다 큰 패러데이 회전 값을 가지게 되어 비가역적 위상변위가 커지게 된다. 집적 광 아이솔레이터의 제작시 소자의 길이를 줄일 수 있어 단길이 집적화가 가능하다. 따라서, 마하젠더 형태의 광 아이솔레이터 소자의 길이를 줄이기 위해서 큰 패러데이 회전 값을 가지는 자기 광자 결정을 이용한 것이다.
자기 광자 결정(Magnetic Photonic Crystal), 패러데이 회전, 집적 광 아이솔레이터, 비가역적 위상변위, 마하젠더(Mach-Zehnder) 간섭계-
-
公开(公告)号：KR1020050028412A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：KR1020030064638
申请日：2003-09-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: A method of realizing an all-optical AND logical device using a semiconductor optical amplifier is provided to use gain saturation characteristics of the amplifier in order to implement the device. One semiconductor optical amplifier(SOA2) of two semiconductor optical amplifiers(SOA1,SOA2) receives a clock signal(CLOCK) of a constant time period as the first irradiation signal along with the first pump signal(B) and generates a gain-modulated output value. The other semiconductor optical amplifier(SOA1) thereof receives the second irradiation signal(A) along with the gain-modulated output value as the second pump signal and outputs an AND signal(AB).
Abstract translation: 提供一种使用半导体光放大器实现全光AND AND逻辑器件的方法，以使用放大器的增益饱和特性来实现器件。 两个半导体光放大器（SOA1，SOA2）的一个半导体光放大器（SOA2）与第一泵浦信号（B）一起接收作为第一辐射信号的恒定时间段的时钟信号（CLOCK），并产生增益调制输出 值。 其他半导体光放大器（SOA1）连同增益调制输出值作为第二泵浦信号接收第二照射信号（A），并输出“与”信号（AB）。
-
公开(公告)号：KR1020050023678A
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：KR1020030061028
申请日：2003-09-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F1/313
CPC classification number: G02F1/3132 , G02B6/12004 , G02B6/12007 , G02F2001/3135
Abstract: PURPOSE: An ultra-short polarization-independent vertical directional coupler switch is provided to accurately control the thickness between two waveguide core layers to a submicron level by forming an inner cladding layer between two waveguide core layers using epitaxial growth, thereby shortening a light coupling length and operating the switch regardless of light polarization condition. CONSTITUTION: An ultra-short polarization-independent vertical directional coupler switch comprises the first waveguide part(10), the second waveguide part(20), and an inner cladding layer(30) between the first waveguide part and the second waveguide part. At least one of the first and the second waveguide parts is formed on a predetermined substrate(40). The first waveguide part and the second waveguide part are arranged in a vertical direction over the substrate. The first waveguide part has the first core layer(12) and the first outer cladding layer(14). The second waveguide part has the second core layer(22) and the second outer cladding layer(24).
Abstract translation: 目的：提供一种超短路偏振独立垂直方向耦合器开关，通过使用外延生长在两个波导芯层之间形成内包层，从而将两个波导芯层之间的厚度精确控制到亚微米级，从而缩短光耦合长度 并且无论光偏振条件如何，操作开关。 构成：超短路偏振无关垂直方向耦合器开关包括第一波导部分（10），第二波导部分（20）和第一波导部分与第二波导部分之间的内包层（30）。 第一和第二波导部分中的至少一个形成在预定基板（40）上。 第一波导部分和第二波导部分沿着衬底上的垂直方向布置。 第一波导部分具有第一芯层（12）和第一外包层（14）。 第二波导部分具有第二芯层（22）和第二外包层（24）。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040036805A
公开(公告)日：2004-05-03
申请号：KR1020020065155
申请日：2002-10-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: PURPOSE: A method for realizing a wavelength variable all-optic NOR logic element is provided to apply a forward bias current to an EAM(Electro-Absorption Modulator) area of an EMILD(Electro-absorption Modulation Integrated Laser Diode) element, and to induce gain saturation, thereby realizing an all-optic NOR logic element. CONSTITUTION: An EMILD element(10) receives an RF signal from an EAM area(11), modulates a CW optical signal generated from a DFB-LD area(12), and makes a necessary signal. An electrical isolation area(15) is disposed between the EAM area(11) and the DFB-LD area(12) in 20 micrometers. An AR(Anti Reflection) coating portion(13) is formed by AR-coating a front side, and an HR(High Reflection) coating portion(14) is formed by HR-coating a rear side, such that light is incident or emitted on the front side only.
Abstract translation: 目的：提供一种实现波长可变全光NOR逻辑元件的方法，用于向EMILD（电吸收式调制集成激光二极管）元件的EAM（电吸收调制器）区域施加正向偏置电流，并诱导 增益饱和，从而实现全光NOR逻辑元件。 构成：EMILD元件（10）从EAM区域（11）接收RF信号，调制从DFB-LD区域（12）产生的CW光信号，并且产生必要的信号。 电隔离区域（15）以20微米的形式设置在EAM区域（11）和DFB-LD区域（12）之间。 通过AR正面涂覆AR（防反射）涂布部分（13），HR（高反射）涂层部分（HR）通过HR涂覆后侧形成，使得光线入射或发射 只在前方
-
公开(公告)号：KR100425374B1
公开(公告)日：2004-03-30
申请号：KR1020010070655
申请日：2001-11-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G06F7/48
CPC classification number: H01S5/50 , G02F3/00 , H01S3/06754 , H01S5/509
Abstract: The present invention relates to an implementation method of all-optical half adder by using semiconductor optical amplifier(SOA)-based devices and the apparatus thereof. In more detail, it relates to an implementation method of all-optical half adder comprising an all-optical XOR gate and an all-optical AND gate, implemented by using SOA-based devices, and an apparatus thereof.
Abstract translation: 本发明涉及一种利用基于半导体光放大器（SOA）的器件的全光半加器的实现方法及其装置。 更详细地说，本发明涉及一种全光学半加器的实现方法及其装置，该全光半加器包括全光学异或门和全光学与门。
-
公开(公告)号：KR1020030028675A
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：KR1020010059368
申请日：2001-09-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: PURPOSE: An apparatus for realizing an electric light NAND logic element using a semiconductor optical amplifier is provided to be easily combined with other single logic elements for controlling all optical system with only optical signals. CONSTITUTION: A pulse generator(100) generates light pulses. A DFB-LD(Distributed Feedback Laser Diode)(102) has input continuous laser light signals. A first optical divider(104) divides output light of the DFB-LD. An optical modulator(106) modulates the output light from the first optical divider. An optical delay(112) obtains quarter time delay of the output light. An attenuator(108) controls the strength of the output light. A MUX(110) multiplexes the output light of the attenuator. An EDFA(Erbium-Doped Fiber Amplifier)(116) adds the output light of the MUX and the attenuator for amplifying to a pump signal. A tunable laser diode(120) has continuous wave irradiation signals. A second optical divider(122) divides the output light of the tunable laser diode at a ratio of 50 to 50. A semiconductor optical amplifier(124) amplifies the pump signal and the continuous wave irradiation signals for gain-saturating and wavelength-converting the signals. An optical filter(126) filters tunable output light of the semiconductor optical amplifier. An optical signal analyzer(128) detects and analyzes the tunable output light of the optical filter.
Abstract translation: 目的：提供一种用于实现使用半导体光放大器的电灯NAND逻辑元件的装置，以便容易地与用于仅用光信号控制所有光学系统的其它单个逻辑元件组合。 构成：脉冲发生器（100）产生光脉冲。 DFB-LD（分布式反馈激光二极管）（102）具有输入的连续激光信号。 第一分光器（104）分割DFB-LD的输出光。 光调制器（106）调制来自第一分光器的输出光。 光延迟（112）获得输出光的四分之一时间延迟。 衰减器（108）控制输出光的强度。 MUX（110）复用衰减器的输出光。 EDFA（掺铒光纤放大器）（116）将MUX的输出光和用于放大的衰减器相加到泵浦信号。 可调激光二极管（120）具有连续波照射信号。 第二分光器（122）以50至50的比例对可调谐激光二极管的输出光进行分压。半导体光放大器（124）放大泵浦信号和连续波照射信号以进行增益饱和和波长转换 信号。 滤光器（126）对半导体光放大器的可调输出光进行滤光。 光信号分析器（128）检测并分析滤光器的可调输出光。
-
公开(公告)号：KR100368791B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1020000005619
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/12
Abstract: PURPOSE: A method for controlling a band gap of a semiconductor optical device having the structure of a quantum well is provided to prevent a quantum well substrate damaging by using a silicon nitride film as a dielectric cover layer and by controlling a flow ratio of ammonia gas. CONSTITUTION: A substrate having the structure of a quantum well is grown(S100). A dielectric cover layer is deposited on the substrate by a plasma chemical vapor deposition process(S200). A thermal processing is performed on the dielectric cover layer at a predetermined time(S300). The dielectric cover layer is removed(S400). A fluorescence spectrum is measured(S500).
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制具有量子阱结构的半导体光学器件的带隙的方法，以通过使用氮化硅膜作为电介质覆盖层并通过控制氨气的流量比来防止量子阱衬底损坏 。 构成：生长具有量子阱结构的衬底（S100）。 通过等离子体化学气相沉积工艺在衬底上沉积电介质覆盖层（S200）。 在预定时间对电介质覆盖层进行热处理（S300）。 介电覆盖层被移除（S400）。 测量荧光光谱（S500）。
-
公开(公告)号：KR100361036B1
公开(公告)日：2002-11-18
申请号：KR1020000005618
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 얇은 반도체 시료가 깨지지 않도록 마운팅(mounting) 기술을 이용하여 반도체 광소자의 전,후 단면에 무반사 코딩을 하도록 하는 무반사 코팅을 위한 반도체 광소자 칩의 시료 홀더 장치에 관한 것이다.
따라서, 본 발명은 무반사 코팅시 시료 깨짐을 방지하기 위한 마운팅 기술을 이용하는 시료 홀더 장치에 있어서, 제 1스테인레스(10) 상에는 스페이서(20)와, 고정판(30)과, 제 2스테인레스(40)가 순차적으로 적층되되, 각 홀(50a)을 통하여 상기 제 2스테인레스(40)으로부터 상기 제 1스테인레스(10)까지 도달되도록 홀더결합수단(50)에 의해 체결되고, 각 홀(55a)을 통하여 상기 제 2스테인레스(40)으로부터 상기 고정판(30)까지 도달되도록 시료고정수단(55)에 의해 체결되며, 상기 고정판(30)과 상기 제 1스테인레스(10) 사이에 놓여지는 위치에 스페이서(20)와 수평으로 레이저바(60)가 연장되어 설치되도록 구성되어, 상기 제 2스테인레스(40)의 면적 크기를 상기 제 1스테인레스(10)의 면적 크기 보다 작게 설계함으로서 무반사 코팅시 레이저바(60)에 가해지는 힘의 세기� � 분산시키도록 하는 것을 특징으로 하는 무반사 코팅을 위한 반도체 광소자 칩의 시료 홀더 장치가 제시된다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
194
records
(took 0.047 seconds)
