염료감응형 태양전지 및 그의 제조 방법
    182.
    发明公开
    염료감응형 태양전지 및 그의 제조 방법 有权
    DYE SENSITIZED SOLAR CELL及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020110121123A

    公开(公告)日:2011-11-07

    申请号:KR1020100040571

    申请日:2010-04-30

    Abstract: PURPOSE: A dye sensitized solar cell is provided to increase the conversion efficiency of a solar cell by producing an electroconductive film with a plurality of holes and eliminating an efficiency reducing effect due to resistance or recombination. CONSTITUTION: A thick electroconductive film(20) is formed on a glass substrates(10). One or more holes are formed in the electroconductive film. A nano oxide electrode layer is formed onto the top of the holes. The nano oxide electrode layer includes semiconductor particles(40).

    Abstract translation: 目的:提供染料敏化太阳能电池,以通过产生具有多个孔的导电膜来提高太阳能电池的转换效率,并且消除由于电阻或复合引起的效率降低效果。 构成:在玻璃基板(10)上形成厚的导电膜(20)。 在导电膜中形成一个或多个孔。 在孔的顶部形成纳米氧化物电极层。 纳米氧化物电极层包括半导体颗粒(40)。

    근거리 무선통신을 이용한 위치정보 검출 시스템
    183.
    发明授权
    근거리 무선통신을 이용한 위치정보 검출 시스템 有权
    使用无线短距离通信测量移动设备的位置的系统

    公开(公告)号:KR101064580B1

    公开(公告)日:2011-09-15

    申请号:KR1020090000960

    申请日:2009-01-06

    Abstract: 본 발명은 유아나 아동, 노인, 여성, 기타 신변보호 또는 위치추적이 필요한 피보호 대상의 위치를 검출하는 시스템으로 널리 활용될 수 있는 근거리 무선통신을 이용한 위치정보 검출 시스템에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 위치정보 검출 시스템은, 근거리 무선통신을 이용하여 일정한 지역 내에 위치하는 무선통신수단의 위치를 검출하는 위치검출수단, 및 상기 무선통신수단의 위치정보 신호를 상기 위치검출수단으로부터 입력받아 위치정보 데이터를 생성한 후 게이트웨이를 통해 송신하는 위치정보서버를 포함한 위치 측정 센서 네트워크와; 상기 위치 측정 센서 네트워크와 유선 또는 무선통신을 이용하여 연결되며, 상기 위치정보서버로부터 위치정보 데이터를 입력받아 가공한 뒤 위치정보 콘텐츠를 생성하는 통제국의 위치정보 관리 서버와; 상기 위치정보 관리 서버와 인터넷 또는 무선통신을 이용하여 연결되며, 상기 위치정보 관리 서버에서 전송된 위치정보 콘텐츠를 출력해주는 출력장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
    아동 보호, 측위 장치, 무선통신부, 위험경보부, 제어부, 전원부, 배터리, 저전력, 소형, 지그비, RFID,

    Abstract translation: 目的:提供一种使用无线短距离通信来测量移动设备的位置的系统,用于通过基于无线通信帧的返回时间计算设备之间的距离来测量移动设备的位置。 构成:位置测量传感器网络包括位置检测单元和位置信息服务器。 位置检测单元通过使用短距离无线通信来检测位于特定区域中的无线通信单元(10)的位置。 位置信息管理服务器处理位置信息数据以创建位置信息内容,并且输出设备输出位置信息内容。

    테라헤르츠파 생성기 및 이를 이용한 고출력 테라헤르츠파 생성방법
    184.
    发明公开
    테라헤르츠파 생성기 및 이를 이용한 고출력 테라헤르츠파 생성방법 有权
    TERAHERTZ波发生器和TERAHERTZ波发生方法

    公开(公告)号:KR1020110014855A

    公开(公告)日:2011-02-14

    申请号:KR1020090072426

    申请日:2009-08-06

    CPC classification number: H01S1/06

    Abstract: PURPOSE: A terahertz wave generator and a method for generating high power terahertz wave using the same are provided to generate high power terahertz signals based on air plasma by providing continuous focusing. CONSTITUTION: A terahertz wave generator includes a spherical body(10) and a focusing lens(40). The spherical body includes an empty space(20). The focusing lens is installed at the cut part of the spherical body. The inside of the spherical body is coated with metal, preferably aluminum. A continuous focusing process is implemented based on the empty space of the spherical body. High power terahertz wave is generated based on a plurality of air plasma through the focusing process.

    Abstract translation: 目的:提供太赫兹波发生器和使用其产生大功率太赫兹波的方法,以通过提供连续聚焦来产生基于空气等离子体的高功率太赫兹信号。 构成:太赫兹波发生器包括球体(10)和聚焦透镜(40)。 球体包括空的空间(20)。 聚焦透镜安装在球体的切割部分。 球体的内部涂有金属,优选铝。 基于球体的空白空间实现连续的聚焦过程。 通过聚焦过程基于多个空气等离子体产生大功率太赫兹波。

    자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는집적화된 광 아이솔레이터 제조방법
    185.
    发明授权
    자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는집적화된 광 아이솔레이터 제조방법 失效
    使用磁光效应制造具有多模干涉部分的集成光隔离器的方法

    公开(公告)号:KR100704546B1

    公开(公告)日:2007-04-10

    申请号:KR1020040073803

    申请日:2004-09-15

    Abstract: 본 발명은 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법에 관한 것으로, 특히 다중모드 간섭을 일으키는 1 ×1 단일 다중모드 영역에 자장을 인가하여 유효 굴절율을 변화시킨 광 아이솔레이터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
    본 발명의 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법은 다중모드 도파로 영역에 빛의 진행방향에 수직이면서 광 도파로 평면에 평행한 방향으로 외부 자장을 가하여 전방으로 진행하는 빛과 후방으로 진행하는 빛이 각각 서로 다른 유효 굴절율(effective refractive index)을 갖도록 하는 자기 광학적 효과를 이용한 다중모드 간섭영역을 갖는 집적화된 광 아이솔레이터 제조방법을 포함한다.
    자기 광학적 효과, 다중모드 간섭영역, 집적화된 광 아이솔레이터

    반도체 광증폭기를 이용한 전광 AND 논리소자 구현 방법
    187.
    发明公开
    반도체 광증폭기를 이용한 전광 AND 논리소자 구현 방법 失效
    全光α的实现方法 ?? 逻辑设备

    公开(公告)号:KR1020050028412A

    公开(公告)日:2005-03-23

    申请号:KR1020030064638

    申请日:2003-09-18

    Abstract: A method of realizing an all-optical AND logical device using a semiconductor optical amplifier is provided to use gain saturation characteristics of the amplifier in order to implement the device. One semiconductor optical amplifier(SOA2) of two semiconductor optical amplifiers(SOA1,SOA2) receives a clock signal(CLOCK) of a constant time period as the first irradiation signal along with the first pump signal(B) and generates a gain-modulated output value. The other semiconductor optical amplifier(SOA1) thereof receives the second irradiation signal(A) along with the gain-modulated output value as the second pump signal and outputs an AND signal(AB).

    Abstract translation: 提供一种使用半导体光放大器实现全光AND AND逻辑器件的方法,以使用放大器的增益饱和特性来实现器件。 两个半导体光放大器(SOA1,SOA2)的一个半导体光放大器(SOA2)与第一泵浦信号(B)一起接收作为第一辐射信号的恒定时间段的时钟信号(CLOCK),并产生增益调制输出 值。 其他半导体光放大器(SOA1)连同增益调制输出值作为第二泵浦信号接收第二照射信号(A),并输出“与”信号(AB)。

    파장가변 전광 NOR 논리소자의 구현방법
    188.
    发明公开
    파장가변 전광 NOR 논리소자의 구현방법 失效
    用于实现波长可变的全光学或非逻辑元件的方法

    公开(公告)号:KR1020040036805A

    公开(公告)日:2004-05-03

    申请号:KR1020020065155

    申请日:2002-10-24

    CPC classification number: G02F3/00 G02F2/004

    Abstract: PURPOSE: A method for realizing a wavelength variable all-optic NOR logic element is provided to apply a forward bias current to an EAM(Electro-Absorption Modulator) area of an EMILD(Electro-absorption Modulation Integrated Laser Diode) element, and to induce gain saturation, thereby realizing an all-optic NOR logic element. CONSTITUTION: An EMILD element(10) receives an RF signal from an EAM area(11), modulates a CW optical signal generated from a DFB-LD area(12), and makes a necessary signal. An electrical isolation area(15) is disposed between the EAM area(11) and the DFB-LD area(12) in 20 micrometers. An AR(Anti Reflection) coating portion(13) is formed by AR-coating a front side, and an HR(High Reflection) coating portion(14) is formed by HR-coating a rear side, such that light is incident or emitted on the front side only.

    Abstract translation: 目的:提供一种实现波长可变全光NOR逻辑元件的方法,用于向EMILD(电吸收式调制集成激光二极管)元件的EAM(电吸收调制器)区域施加正向偏置电流,并诱导 增益饱和,从而实现全光NOR逻辑元件。 构成:EMILD元件(10)从EAM区域(11)接收RF信号,调制从DFB-LD区域(12)产生的CW光信号,并且产生必要的信号。 电隔离区域(15)以20微米的形式设置在EAM区域(11)和DFB-LD区域(12)之间。 通过AR正面涂覆AR(防反射)涂布部分(13),HR(高反射)涂层部分(HR)通过HR涂覆后侧形成,使得光线入射或发射 只在前方

    SOA 기반의 소자를 이용한 전광 반가산기의 구현방법및 장치
    189.
    发明授权
    SOA 기반의 소자를 이용한 전광 반가산기의 구현방법및 장치 失效
    SOA기반의소자를이용한전광반가산기의구현방법및장

    公开(公告)号:KR100425374B1

    公开(公告)日:2004-03-30

    申请号:KR1020010070655

    申请日:2001-11-14

    CPC classification number: H01S5/50 G02F3/00 H01S3/06754 H01S5/509

    Abstract: The present invention relates to an implementation method of all-optical half adder by using semiconductor optical amplifier(SOA)-based devices and the apparatus thereof. In more detail, it relates to an implementation method of all-optical half adder comprising an all-optical XOR gate and an all-optical AND gate, implemented by using SOA-based devices, and an apparatus thereof.

    Abstract translation: 本发明涉及一种利用基于半导体光放大器(SOA)的器件的全光半加器的实现方法及其装置。 更详细地说,本发明涉及一种全光学半加器的实现方法及其装置,该全光半加器包括全光学异或门和全光学与门。

    반도체 광증폭기를 이용한 전광 NAND 논리소자 구현장치
    190.
    发明公开
    반도체 광증폭기를 이용한 전광 NAND 논리소자 구현장치 失效
    使用半导体光电放大器实现电光NAND逻辑元件的设备

    公开(公告)号:KR1020030028675A

    公开(公告)日:2003-04-10

    申请号:KR1020010059368

    申请日:2001-09-25

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for realizing an electric light NAND logic element using a semiconductor optical amplifier is provided to be easily combined with other single logic elements for controlling all optical system with only optical signals. CONSTITUTION: A pulse generator(100) generates light pulses. A DFB-LD(Distributed Feedback Laser Diode)(102) has input continuous laser light signals. A first optical divider(104) divides output light of the DFB-LD. An optical modulator(106) modulates the output light from the first optical divider. An optical delay(112) obtains quarter time delay of the output light. An attenuator(108) controls the strength of the output light. A MUX(110) multiplexes the output light of the attenuator. An EDFA(Erbium-Doped Fiber Amplifier)(116) adds the output light of the MUX and the attenuator for amplifying to a pump signal. A tunable laser diode(120) has continuous wave irradiation signals. A second optical divider(122) divides the output light of the tunable laser diode at a ratio of 50 to 50. A semiconductor optical amplifier(124) amplifies the pump signal and the continuous wave irradiation signals for gain-saturating and wavelength-converting the signals. An optical filter(126) filters tunable output light of the semiconductor optical amplifier. An optical signal analyzer(128) detects and analyzes the tunable output light of the optical filter.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于实现使用半导体光放大器的电灯NAND逻辑元件的装置,以便容易地与用于仅用光信号控制所有光学系统的其它单个逻辑元件组合。 构成:脉冲发生器(100)产生光脉冲。 DFB-LD(分布式反馈激光二极管)(102)具有输入的连续激光信号。 第一分光器(104)分割DFB-LD的输出光。 光调制器(106)调制来自第一分光器的输出光。 光延迟(112)获得输出光的四分之一时间延迟。 衰减器(108)控制输出光的强度。 MUX(110)复用衰减器的输出光。 EDFA(掺铒光纤放大器)(116)将MUX的输出光和用于放大的衰减器相加到泵浦信号。 可调激光二极管(120)具有连续波照射信号。 第二分光器(122)以50至50的比例对可调谐激光二极管的输出光进行分压。半导体光放大器(124)放大泵浦信号和连续波照射信号以进行增益饱和和波长转换 信号。 滤光器(126)对半导体光放大器的可调输出光进行滤光。 光信号分析器(128)检测并分析滤光器的可调输出光。

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