Abstract:
Un émetteur (10) de champ microélectronique vertical comprend une partie supérieure conductrice (15) et une partie inférieure résistive (16) dans une colonne allongée (12) qui s'étend verticalement à partir d'un substrat horizontal (11). Une électrode émettrice (17) peut être formée à la base de la colonne, et une électrode d'extraction (18) peut être formée à proximité du sommet de la colonne. La colonne allongée réduit la capacité parasite de l'émetteur de champ micorélectronique afin de permettre un fonctionnement à grande vitesse, tout en produisant une résistance uniforme de colonne en colonne. L'émetteur de champ peut être formé tout d'abord par la formation de pointes (15) sur la face d'un substrat, puis de tranchées (22) dans le substrat (11) autour des pointes, de manière à former des colonnes (12) sur lesquelles reposent les pointes. Les tranchées sont remplies d'un diélectrique (19) et une couche conductrice (18) est formée sur le diélectrique. Selon une variante, des tranchées peuvent être formées dans la face du substrat (11) de façon à former des colonnes (12). Des pointes (15) sont ensuite produites au sommet des colonnes. Les tranchées sont remplies d'un diélectrique, et la couche conductrice est formée sur le diélectrique pour former les électrodes d'extraction.
Abstract:
An improved Wire-Ion-Plasma Electron-gun (WIP E-gun) (50), having a very rapid electron beam current interruption capability. An auxiliary grid (65) is employed to provide a potential barrier to the reservoir of plasma ions in the ionization chamber (10), thereby containing these ions in the chamber (10) after the wire anode (15) is turned "OFF". The E-gun current fall time is reduced to the time required for the plasma potential to fall in the ionization chamber (10) after the wire anode (15) is turned "OFF". The WIP E-gun current fall time is reduced, from greater than fifteen microseconds for devices not employing the invention, to less than two microseconds.
Abstract:
A method and apparatus for generating an electron beam using a new and improved plasma cathode system, the electron beam being suitable for use, by way of example, in large area pulsed x-ray devices of the type used for preionization of the discharge volume in certain lasers. The plasma cathode includes an electrically conductive member 12, 17 surrounded by an insulating sleeve 11 with an outer electrically conductive member 13, the first-mentioned mem ber 12, 17 and a remote anode 16 being at ground potential, while the outer member 13 is maintained at a high negative potential relative to the first-mentioned member 12, 17 and the anode 16.
Abstract:
The present invention relates to a device (1) for the extraction of electrons in field emission systems comprising a cathode (2) as electron source, a dielectric grid layer (3) and a conduction layer (4). The device (1) is in the form of a sandwich layered structure with cathode (2), grid layer (3) and conduction layer (4) arranged in the form of a stack. The invention further relates to a method to form the device (1) comprising steps forming the cathode (2) as electron source on one side of a dielectric substrate, forming the dielectric grid layer (3) within the substrate and forming the conduction layer (4) on the opposite side to the cathode (2) within the substrate.