YAG陶瓷接合体及其制造方法

    公开(公告)号:CN114502520A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202080069254.2

    申请日:2020-10-13

    Abstract: 一种YAG陶瓷接合体,是将YAG陶瓷与YAG陶瓷或光学玻璃接合而成的YAG陶瓷接合体,其特征在于,所述YAG陶瓷接合体具备玻璃作为接合层,透射率的变化率为7%以内。课题是提供一种接合体及其制造方法,所述接合体是将YAG陶瓷与YAG陶瓷接合而成的接合体、或者将YAG陶瓷与光学玻璃接合而成的接合体,所述接合体抑制了接合界面处的光的反射。

    锂离子电池废料的处理方法

    公开(公告)号:CN110475879B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN201880022587.2

    申请日:2018-03-29

    Abstract: 在锂离子电池废料的处理方法中,在进行了焙烧工序、粉碎工序及筛选工序后,进行以下工序:浸出工序,在酸性溶液中浸出,将Cu的至少一部分以固体形式残留;脱Fe/Al工序,经过在浸出后液中添加氧化剂而将Fe分离并去除的脱Fe过程及通过中和将Al的一部分分离并去除的脱Al过程获得分离后液;Al/Mn萃取工序,从分离后液进行剩余的Al及Mn的溶剂萃取并将剩余的Al及Mn去除,获得第一萃取后液;Co回收工序,从第一萃取后液萃取Co并进行反萃取,通过电解提取来回收Co而获得第二萃取后液;Ni回收工序,从第二萃取后液萃取Ni的一部分并进行反萃取,通过电解提取来回收Ni而获得第三萃取后液;Li浓缩工序,从第三萃取后液萃取剩余的Ni及Li,并且,反复进行反萃取操作使Li浓缩;以及Li回收工序,使Li浓缩液中的Li碳酸化,以碳酸锂的形式回收。

    原料送出装置、电子/电气设备部件屑的处理方法及电子/电气设备部件屑的原料送出方法

    公开(公告)号:CN113727787A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202080028795.0

    申请日:2020-06-02

    Inventor: 青木胜志

    Abstract: 本发明提供一种可以将各种形状、比重、形状的原料混杂的原料按照每份一定量高效地送出的原料送出装置、电子/电气设备部件屑的处理方法及电子/电气设备部件屑的原料送出方法。原料送出装置(100)具备:储存部(1),其在一端具备用于送出原料的送出口(11),且储存原料;送出部(2),其配置在储存部(1)的底面(15),且将原料朝向送出口(11)运送而送出至储存部(1)外;以及调整部(3),其具备从送出部(2)的上方延伸至下方的多根支柱(31),且利用支柱(31)来抑制原料的一部分而调整向储存部(1)外送出的原料的量,该原料送出装置能够调整距储存部(1)的侧面(13、14)最近的支柱(31)与储存部(1)的侧面(13、14)之间的间隔(d1)和储存部(1)的中央部的支柱(31)间的间隔最窄的间隔(d2)之比(d1/d2)、以及距储存部(1)的侧面(13、14)最近的支柱(31)的从底板起的高度(H1)和距储存部的侧面最近的支柱(31)以外的支柱(31)的从底板起的最小高度(H2)之比(H1/H2),以使得向储存部(1)外送出的原料不产生堵塞。

    氧化物薄膜和用于制造该薄膜的溅射靶用氧化物烧结体

    公开(公告)号:CN110637102B

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN201980002388.X

    申请日:2019-02-28

    Abstract: 一种氧化物薄膜,其包含Nb、Mo、O,其特征在于,Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8,O与金属(Nb+Mo)的含有比率(原子比)为1.5<O/(Nb+Mo)<2.0。另外,一种氧化物烧结体,其包含Nb、Mo、O,其特征在于,Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8,O与金属(Nb+Mo)的含有比率(原子比)为1.5<O/(Nb+Mo)<2.1,MoO2相的归属于(‑111)面的XRD峰强度IMoO2与背景强度IBG的关系满足IMoO2/IBG>3。本发明的课题在于提供一种氧化物薄膜以及适合于该薄膜的形成的溅射靶用氧化物烧结体,所述氧化物薄膜具有以下优异的特性:反射率和透射率低、具有优异的光吸收能力、而且可溶于蚀刻液中、容易加工,另一方面,耐候性高、不易发生经时变化。

    有价金属的回收方法
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113227419A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201980083391.9

    申请日:2019-12-23

    Abstract: 本发明的方法从对含有锂离子二次电池的正极材料的废弃物实施湿式处理而获得且含有钴离子、镍离子及杂质的酸性溶液,回收作为有价金属的钴及镍中的至少钴,该方法包括:Co回收用第一萃取工序,通过溶剂萃取而从所述酸性溶液萃取并且反萃取钴离子;及Co回收用第二萃取工序,通过溶剂萃取而从Co回收用第一萃取工序所获得的反萃取后液体萃取并且反萃取钴离子,所述Co回收用第一萃取工序具有:溶剂萃取过程,将所述酸性溶液中的钴离子萃取至溶剂;洗涤过程,对萃取有钴离子的所述溶剂进行洗涤;及反萃取过程,将洗涤后的所述溶剂中的钴离子反萃取至溶液。

    Cu-Ni-Si系铜合金条
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110358946B

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN201910221346.7

    申请日:2019-03-22

    Inventor: 中妻宗彦

    Abstract: [课题]本发明提供强度得到提高、同时平坦性高的Cu‑Ni‑Si系铜合金条及其制造方法。[解决手段]Cu‑Ni‑Si系铜合金条,其含有Ni:1.5~4.5质量%、Si:0.4~1.1质量%,且余量由Cu和不可避免的杂质组成,导电率为30%IACS以上、拉伸强度为800MPa以上,按照JCBA‑T326‑2014,针对轧制方向的陡度,沿着与该轧制方向正交的轧制直角方向以25mm以下的间距测定5处以上时,陡度的平均值为0.5以下,并且,用(陡度的偏差/陡度的平均值)×100表示的陡度的偏差率为12%以下。

    电子/电气设备部件屑的组成解析装置、电子/电气设备部件屑的处理装置及电子/电气设备部件屑的处理方法

    公开(公告)号:CN112955932A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201980071637.0

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明提供一种可在短时间内判别电子/电气设备部件屑中的部件屑的组成的电子/电气设备部件屑的组成解析装置、电子/电气设备部件屑的组成解析方法及使用它们的电子/电气设备部件屑的处理方法。电子/电气设备部件屑的组成解析装置,具备:分类数据存储单元(111),其存储用于从拍摄由多个部件种类构成的电子/电气设备部件屑而得的图像中提取多个部件种类的图像并按照多个部件种类的每种进行分类的分类数据;分类单元(101),其基于分类数据从拍摄电子/电气设备部件屑而得的图像中提取多个部件种类的图像并按照多个部件种类的每种进行分类;及解析单元(103),其对由分类单元(101)分类的多个部件种类的每种的面积、个数、平均粒径及重量比率的至少任一者进行解析。

    磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法

    公开(公告)号:CN109943814B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201910149068.9

    申请日:2014-11-14

    Inventor: 荻野真一

    Abstract: 本发明涉及磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法。一种含有C的FePt基磁记录膜形成用溅射靶,其特征在于,在与溅射面垂直的截面的抛光面中,Fe‑Pt合金相的平均厚度为10μm以上。本发明的课题在于提供抑制了溅射时由于异常放电而导致的粉粒产生的强磁性材料溅射靶。

    氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜

    公开(公告)号:CN107207356B

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN201680006701.3

    申请日:2016-02-25

    Abstract: 一种烧结体,其特征在于,包含锌(Zn)、镓(Ga)、硅(Si)和氧(O),Zn含量按ZnO换算为5~60摩尔%,Ga含量按Ga2O3换算为8.5~90摩尔%,Si含量按SiO2换算为0~45摩尔%,在将按ZnO换算的Zn含量设为A(摩尔%)、将按Ga2O3换算的Ga含量设为B(摩尔%)、将按SiO2换算的Si含量设为C(摩尔%)时,满足A≤(B+2C)的条件,且相对密度为90%以上。本发明的课题在于即使在通过DC溅射进行成膜时不向气氛中引入氧气,也有效地得到高透射率且低折射率的非晶膜。

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