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公开(公告)号:FR3103333A1
公开(公告)日:2021-05-21
申请号:FR1912716
申请日:2019-11-14
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: LENZ KUNO
Abstract: Dispositif pour générer un courant La présente description concerne un dispositif pour générer un premier courant (Iout) à partir d'un deuxième courant (I1), comprenant : un transistor de sortie (10) configuré pour générer le premier courant (Iout) ; un premier circuit (20) configuré pour générer un troisième courant (I2) représentatif du deuxième courant (I1) et le tirer d'un premier noeud (30) ; un deuxième circuit (40) configuré pour générer un quatrième courant (I4) représentatif du premier courant (Iout) et le fournir au premier noeud (30) ; et un troisième circuit (50) recevant un cinquième courant (I5) représentatif d'une différence entre les troisième (I2) et quatrième courants (I4), et étant configuré pour générer un sixième courant (I6) représentatif du cinquième courant (I5) et le tirer d'une borne de commande (11) du transistor de sortie. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号:FR3091021B1
公开(公告)日:2021-01-08
申请号:FR1873566
申请日:2018-12-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: MENARD SAMUEL , JAOUEN LIONEL
IPC: H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: Thyristor vertical La présente description concerne un thyristor (200) comprenant un empilement vertical de première (101), deuxième (103), troisième (105) et quatrième (107) régions semiconductrices de types de conductivité alternés, dans lequel la quatrième région (107) est interrompue dans une zone de gâchette (115) du thyristor, et dans un couloir continu (201) s'étendant depuis ladite zone de gâchette en direction d'un bord latéral de la quatrième région. Figure pour l'abrégé : Fig. 4
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公开(公告)号:FR3089679A1
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:FR1872694
申请日:2018-12-11
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: ARNAUD AURELIE
IPC: H01L27/02
Abstract: Dispositif de commutation et procédé de fabrication d'un tel dispositif La présente description concerne un dispositif de commutation (1) comprenant une première couche de silicium dopé au phosphore (103) sur et en contact avec une deuxième couche de silicium dopé à l'arsenic (102). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号:FR3086797A1
公开(公告)日:2020-04-03
申请号:FR1858874
申请日:2018-09-27
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: YVON ARNAUD
IPC: H01L27/082 , H01L21/762 , H01L21/768 , H01L29/06 , H01L29/8605 , H01L29/872
Abstract: La présente description concerne un Dispositif électronique (100) comprenant un empilement d'une diode Schottky (123) et d'une diode bipolaire (108), connectées en parallèle par une première électrode (126) située dans une première cavité (116) et une deuxième électrode (128) située dans une deuxième cavité (118).
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公开(公告)号:FR3080499A1
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:FR1853500
申请日:2018-04-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: ROUVIERE MATHIEU
IPC: H02H9/00
Abstract: L'invention concerne un circuit de protection contre des décharges électrostatiques (10) comprenant, en parallèle, un thyristor (12) et une première diode à avalanche (14).
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公开(公告)号:FR3079348A1
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:FR1852482
申请日:2018-03-22
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: ROUVIERE MATHIEU
IPC: H01L27/02
Abstract: L'invention concerne un circuit de protection contre les décharges électrostatiques (10) comprenant, en parallèle, deux composants (14, 16) à avalanche ayant des délais de déclenchement par rapport au début d'une décharge électrostatique, différents.
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公开(公告)号:FR3068547B1
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:FR1756180
申请日:2017-06-30
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: BENABDELAZIZ GHAFOUR , REYMOND CEDRIC , JOUVE DAVID
Abstract: L'invention concerne un convertisseur comportant : deux transistors (S1, S2) entre deux bornes (11, 12) d'une tension continue (Vdc) ; un élément inductif (L1) reliant un premier point milieu (13) de l'association en série des deux transistors à une première borne (15) d'une tension alternative (Vac) ; un premier thyristor (SCR1) et un deuxième thyristor (SCR2) en série entre les bornes de tension continue, un deuxième point milieu (17) de l'association en série du premier thyristor et du deuxième thyristor étant reliée à une deuxième borne (16) de la tension alternative, une anode du premier thyristor et une cathode du deuxième thyristor étant reliées audit deuxième point milieu ; et un troisième thyristor (SCR3) et un quatrième thyristor (SCR4) en série entre les bornes de tension continue, une cathode du troisième thyristor et une anode du premier thyristor étant reliées audit deuxième point milieu.
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公开(公告)号:FR3077426A1
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:FR1850680
申请日:2018-01-29
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: BOUFNICHEL MOHAMED
IPC: H01M10/058
Abstract: L'invention concerne un assemblage comprenant : une pluralité de microbatteries (101) ayant chacune une face avant et une face arrière, chaque microbatterie (101) comportant une première borne de contact (403a) du côté de sa face avant et une deuxième borne de contact (403e) du côté de sa face arrière ; un premier film flexible d'encapsulation (103) comprenant une couche conductrice (103a) et une couche isolante (103b), disposé du côté des faces avant des microbatteries (101) de façon que chaque microbatterie ait sa première borne de contact (403a) en contact avec la couche conductrice (103a) du premier film ; et un deuxième film flexible d'encapsulation (105) comprenant une couche conductrice (105a) et une couche isolante (105b), disposé du côté des faces arrière des microbatteries (101) de façon que chaque microbatterie ait sa deuxième borne de contact (403e) en contact avec la couche conductrice (105a) du deuxième film.
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公开(公告)号:FR3069988A1
公开(公告)日:2019-02-08
申请号:FR1757426
申请日:2017-08-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: GAUTIER FREDERIC
Abstract: L'invention concerne un circuit redresseur comprenant deux associations (57A, 57B) en série d'un transistor MOS (63A, 63B) et d'une diode Schottky (61A, 61B), une borne de commande du transistor de chaque association en série étant connectée au point milieu (67B, 67A) entre le transistor et la diode de l'autre association en série. L'invention concerne également un convertisseur de tension comprenant un tel circuit redresseur.
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公开(公告)号:FR3069957A1
公开(公告)日:2019-02-08
申请号:FR1757427
申请日:2017-08-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: MENARD SAMUEL
IPC: H01L29/747
Abstract: L'invention concerne un commutateur unidirectionnel dont la gâchette est référencée à l'électrode principale de face arrière comprenant : un substrat (1) N ; une couche d'anode (2) P recouvrant la face arrière ; un mur (7) P entourant les faces latérales du substrat (1) ; des premier et deuxième caissons (4, 9) P formés du côté de la face avant du substrat ; une région de cathode (3) N formée dans le premier caisson (4) ; une région de gâchette (8) N formée dans le deuxième caisson (9) ; une métallisation de gâchette (M3') recouvrant la région de gâchette (8) N et une partie du deuxième caisson (9) P ; et une bande (12) P formée dans le substrat et reliant une portion d'un côté du deuxième caisson (9) à une partie supérieure dudit mur (7).
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