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公开(公告)号：CN113632207B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202080024235.8
申请日：2020-03-26
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/38 , C09J7/29 , H01L21/683
Abstract: 本发明的课题是提供能够使粘贴在板状体(10)的主面(10A)上的膜(20)表面平坦化的粘贴装置，在板状体(10)上粘贴膜(20)的粘贴装置(30)具备：设置有载置所述板状体(10)的载置部(31A)的板状的载置部件(31)；设置在所述载置部件(31)的对置位置的板状的按压部件(32)；和以位于所述载置部件(31)与所述按压部件(32)之间的方式设置于所述载置部(31A)的外缘的支撑部件(33)。
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公开(公告)号：CN113632207A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024235.8
申请日：2020-03-26
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/38 , C09J7/29 , H01L21/683
Abstract: 本发明的课题是提供能够使粘贴在板状体(10)的主面(10A)上的膜(20)表面平坦化的粘贴装置，在板状体(10)上粘贴膜(20)的粘贴装置(30)具备：设置有载置所述板状体(10)的载置部(31A)的板状的载置部件(31)；设置在所述载置部件(31)的对置位置的板状的按压部件(32)；和以位于所述载置部件(31)与所述按压部件(32)之间的方式设置于所述载置部(31A)的外缘的支撑部件(33)。
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公开(公告)号：CN113614888A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080024347.3
申请日：2020-03-26
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/683 , C09J7/29 , C09J7/38
Abstract: 本发明提供保护膜的粘贴方法、半导体部件的制造方法、在粘贴方法中利用的保护膜，该保护膜能抑制因半导体晶片的主面的台阶而引起的不良情况的产生，粘贴方法具备：配置工序，以覆盖半导体晶片(10)的主面(10A)的方式配置保护膜(20)；和粘贴工序，将保护膜(20)按压并粘贴于主面(10A)，主面(10A)具有第一区域(12)和第二区域(13)，第一区域(12)配置有凸块(11)，第二区域(13)是包含主面(10A)的周缘的至少一部分的区域且是未配置有凸块(11)的区域，粘贴工序包括将保护膜(20)在其厚度方向上压缩的压缩工序，压缩工序使用用于将保护膜(20)向主面(10A)按压的按压构件(32)和沿着第二区域(13)的外周缘设置的支撑构件(33)来进行。
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公开(公告)号：CN107750386B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201680038179.7
申请日：2016-07-01
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/304 , B32B27/00 , B32B27/30 , C09J7/20 , C09J133/04 , C09J201/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明的半导体晶片表面保护膜依次具有基材层A、粘着性吸收层B及粘着性表层C，粘着性吸收层B包含含有热固性树脂b1的粘着剂组合物，粘着性吸收层B的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'b的最小值G'bmin为0.001MPa以上且小于0.1MPa，250℃时的储能模量G'b250为0.005MPa以上，且显示出G'bmin的温度为50℃以上且150℃以下，粘着性表层C的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'c的最小值G'cmin为0.03MPa以上。
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公开(公告)号：CN105247661B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201480030286.6
申请日：2014-05-22
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/304 , B32B27/30 , C09J7/20 , C09J133/00 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供半导体晶片保护用膜，其具有基材层(A)和形成于上述基材层(A)上的粘着层(C)，上述基材层(A)包含聚合物，上述聚合物利用van Krevelen法求出的溶解参数为9以上。
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