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公开(公告)号：CN105874025A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480072106.0
申请日：2014-02-17
Applicant: 东丽先端素材株式会社
IPC: C09J11/00 , C09J133/04 , C09J7/02
CPC classification number: C09J133/04 , C09J7/35 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种包括至少两种热固化剂的粘合剂组合物及使用其的用于制造电子部件的粘合带。根据温度调节固化速度，从而在常温下与基材之间的粘附性优异，在180℃下的剪切应力较高，因此可以防止由于EMC注入压力芯片(Die)被推动的现象。因此，根据本发明，具有在电子部件制造工艺中进行树脂密封工艺时可以防止密封树脂向芯片或引线框处漏泄的模子溢料(Mold?flash)的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102911614B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110306236.4
申请日：2011-10-08
Applicant: 东丽先端素材株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J113/00 , C09J163/00 , C09J161/06 , C09J11/06 , H01L21/58 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , Y02P20/149 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种用于制造半导体器件的胶粘带和使用该胶粘带制造半导体器件的方法。所述胶粘带包含基材和涂覆在所述基材的至少一个表面上的胶粘剂层，所述胶粘剂层由胶粘剂组合物形成，所述胶粘剂组合物含有按100重量份的含羧基的橡胶树脂计为约0.01～约10重量份的固化剂和约60～约100重量份的添加剂。所述胶粘带在作为高温工艺的安装工艺之后的层压期间在室温下保持低胶粘强度，由此使得在发生层压缺陷时可容易地进行重新加工并提高了产品收率，且该胶粘带在层压之后的预固化工艺中提高了对引线框表面的胶粘性，由此有效地阻止了在密封工艺中的树脂泄露且在除去胶粘带时不会在粘附表面上残留残渣，因此有助于加工并降低了缺陷率。
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公开(公告)号：CN102911614A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110306236.4
申请日：2011-10-08
Applicant: 东丽先端素材株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J113/00 , C09J163/00 , C09J161/06 , C09J11/06 , H01L21/58 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , Y02P20/149 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种用于制造半导体器件的胶粘带和使用该胶粘带制造半导体器件的方法。所述胶粘带包含基材和涂覆在所述基材的至少一个表面上的胶粘剂层，所述胶粘剂层由胶粘剂组合物形成，所述胶粘剂组合物含有按100重量份的含羧基的橡胶树脂计为约0.01～约10重量份的固化剂和约60～约100重量份的添加剂。所述胶粘带在作为高温工艺的安装工艺之后的层压期间在室温下保持低胶粘强度，由此使得在发生层压缺陷时可容易地进行重新加工并提高了产品收率，且该胶粘带在层压之后的预固化工艺中提高了对引线框表面的胶粘性，由此有效地阻止了在密封工艺中的树脂泄露且在除去胶粘带时不会在粘附表面上残留残渣，因此有助于加工并降低了缺陷率。
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公开(公告)号：CN102150240A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980118992.5
申请日：2009-01-15
Applicant: 东丽先端素材株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , H01L21/6835 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明提供了用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，所述半导体薄膜晶片在半导体晶片的膜减薄工艺期间不需要单独的粘合装置，所述晶片支撑粘合膜不受半导体晶片尺寸的任何限制，其通过在耐热基材上涂布丙烯酸类粘合剂层而防止研磨水渗透，其在剥离期间不在电路表面上留下任何粘合剂层且因此不需要附加的洗涤工艺，从而防止了在复杂的工艺期间可能发生的半导体晶片中的损伤以及电路表面的污染。为此，本发明的所述用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜包含耐热基材和涂布在耐热基材上的耐热粘合剂层，其中所述耐热粘合剂层包含分子量为500,000～3,000,000的丙烯酸类共聚物、可能量束固化的丙烯酸类低聚物和光引发剂。
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公开(公告)号：CN102084027A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980111635.6
申请日：2009-06-18
Applicant: 东丽先端素材株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及为对基材提供高疏水性而将基材表面改性成高疏水性的方法。更具体地说，本方法利用了在基材改性期间具有低表面能、但链长不同的两种不同的有机硅烷分子的自发相分离。分别由相分离的长、短低表面能有机硅烷分子形成域结构和基质结构，由两者的高度差导致的表面粗糙度能够摹拟荷叶效应的超疏水性。所述方法以此方式能够对基材赋予高疏水性。为此目的，将基材表面处理成高疏水性的方法的特征在于，使用具有CF3基团作为官能团的有机硅烷以及碳链长度比前述有机硅烷更短且具有CH3基团作为官能团的有机硅烷，通过化学气相沉积来形成混合自组装单层(SAM)，由此获得高疏水性的表面。
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公开(公告)号：CN102013402A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910253243.5
申请日：2009-12-11
Applicant: 东丽先端素材株式会社
IPC: H01L21/48 , C09J7/02 , C09J171/12 , C09J133/00 , C09J9/00
CPC classification number: C09J5/06 , B32B37/0015 , B32B37/06 , B32B2457/14 , C08G2650/56 , C08L31/06 , C08L75/14 , C08L2205/05 , C09J7/35 , C09J171/00 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/568 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/32245 , H01L2224/48175 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/30107 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明总体涉及粘接带和引线框架的层压方法，并且更具体地涉及可以减小制造半导体装置的粘接带被贴附至引线框架的热层压工艺之后引线框架的翘曲的粘接带和引线框架层压方法，且其满足层压工艺所要求的所有性能，并且克服了例如来自在现有技术半导体装置制造工艺中已经被使用过的粘接带的粘接剂残留物的产生和密封树脂的泄漏的缺点。为此，根据本发明的粘接带和引线框架的层压方法的特征在于，粘接带表面的层压温度和引线框架表面的层压温度在引线框架和制造电子部件的粘接带的层压工艺中相互不同，并且优选引线框架表面的层压温度低于粘接带表面的层压温度1～200℃。
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