公开(公告)号：CN113166624A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980075287.5

申请日：2019-11-14

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 泽田和宏 ,  森谷俊介 ,  新城彻也 ,  福田拓也

IPC: C09J183/04 ,  B32B27/00 ,  C09J5/00 ,  C09J11/08 ,  C09J183/05

Abstract: 本发明涉及一种红外线剥离用粘接剂组合物，其能通过照射红外线而剥离，所述红外线剥离用粘接剂组合物含有：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及成分(B)，选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种。

公开(公告)号：CN117120573A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280024274.7

申请日：2022-03-01

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 福田拓也 ,  森谷俊介 ,  绪方裕斗

IPC: C09J183/07

Abstract: 本发明提供一种粘接剂组合物，该粘接剂组合物提供粘接层，该粘接层能够适当地临时粘接带凸块的半导体基板和支承基板，能抑制或缓和由加热等来自外部的负荷引起的凸块变形，表现高蚀刻速率。一种粘接剂组合物，包含粘接剂成分(S)，上述粘接剂成分(S)含有通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(A)，上述聚有机硅氧烷成分(A)含有下述式(V)所示、重均分子量为60000以上的聚合物(V)。(n表示重复单元的数量，为正整数。)

公开(公告)号：CN115315789A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202180023491.X

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/24

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式(L)所示的有机溶剂。(式中，L表示取代至苯环上的取代基，分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的数量，为0～5的整数。)

公开(公告)号：CN115315788A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202180023490.5

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/26 ,  C11D7/34

Abstract: 一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数2～4的烷基，L3表示O或S。)L1‑L3‑L2 (L)。

公开(公告)号：CN114867810A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202080089720.3

申请日：2020-12-15

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  新城彻也 ,  荻野浩司 ,  森谷俊介 ,  奥野贵久 ,  福田拓也 ,  柳井昌树

IPC: C09J201/00 ,  C09J11/08 ,  C09J183/04 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其包含粘接剂成分(S)；以及剥离成分(H)，由复数粘度为3400(Pa·s)以上的聚有机硅氧烷构成。