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公开(公告)号:CN114867810B
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202080089720.3
申请日:2020-12-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J11/08 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物,其包含粘接剂成分(S);以及剥离成分(H),由复数粘度为3400(Pa·s)以上的聚有机硅氧烷构成。
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公开(公告)号:CN115315789A
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN202180023491.X
申请日:2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/24
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法,其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序,所述剥离用组合物包含溶剂,不包含盐,所述溶剂包含80质量%以上的式(L)所示的有机溶剂。(式中,L表示取代至苯环上的取代基,分别独立地表示碳原子数1~4的烷基,k表示L的数量,为0~5的整数。)
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公开(公告)号:CN115315788A
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN202180023490.5
申请日:2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/26 , C11D7/34
Abstract: 一种半导体基板的清洗方法,其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序,上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐,上述溶剂包含80质量%以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中,L1和L2分别独立地表示碳原子数2~4的烷基,L3表示O或S。)L1‑L3‑L2 (L)。
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公开(公告)号:CN114867810A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202080089720.3
申请日:2020-12-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J11/08 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物,其包含粘接剂成分(S);以及剥离成分(H),由复数粘度为3400(Pa·s)以上的聚有机硅氧烷构成。
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公开(公告)号:CN118511251A
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202280087893.0
申请日:2022-12-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种粘接剂组合物,其含有:反应产物(X),为具有第一官能团的固体状的聚合物(x1)与在链末端具有能与所述第一官能团反应的第二官能团的液态且链状的化合物(x2)的反应产物(X),具有所述第一官能团或所述第二官能团;以及液态的交联剂(Y),具有所述第一官能团或所述第二官能团(其中,在所述反应产物(X)具有所述第一官能团的情况下,所述液态的交联剂(Y)具有所述第二官能团,在所述反应产物(X)具有所述第二官能团的情况下,所述液态的交联剂(Y)具有所述第一官能团)。
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公开(公告)号:CN117881749A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202280058786.5
申请日:2022-08-24
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08L83/07 , C08K5/3412 , C08K5/50 , C08L83/05
Abstract: 一种热固性组合物,其含有:具有与硅原子键合的碳原子数2~40的烯基的聚有机硅氧烷、具有Si-H基的聚有机硅氧烷、铂族金属系催化剂、以及交联抑制剂,所述交联抑制剂含有下述式(1)所示的化合物和下述式(2)所示的化合物中的至少任一种。(所述式(1)中,R1~R8表示氢原子、特定的基团等。)(所述式(2)中,R11~R13各自独立地表示任选地具有取代基的烃基。)#imgabs0#
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公开(公告)号:CN115702204A
公开(公告)日:2023-02-14
申请号:CN202180042431.2
申请日:2021-06-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08L27/20 , B32B27/00 , B32B27/30 , C08K5/56 , C09J183/04 , C09J201/00 , H01L21/02 , C08K3/04 , C08K3/22 , C09J7/40 , B32B7/06
Abstract: 一种层叠体,其特征在于,具备:半导体基板;支承基板,透射紫外线;以及粘接层和剥离层,设于半导体基板与支承基板之间,上述剥离层为由剥离剂组合物得到的膜,所述剥离剂组合物包含:含叔丁氧羰基的乙烯性不饱和单体的聚合物、光致酸产生剂以及溶剂。
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公开(公告)号:CN115335971A
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:CN202180024052.0
申请日:2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/24
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法,其包括:使用含有包含碳原子数8~10的直链状脂肪族饱和烃化合物的溶剂且不含盐的剥离用组合物,将半导体基板上的粘接层剥离的工序,使用直链状烃化合物作为上述碳原子数8~10的直链状脂肪族饱和烃化合物。
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公开(公告)号:CN119301740A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202380043469.0
申请日:2023-05-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J183/04 , C09J183/07
Abstract: 提供一种层叠体、形成如下能剥离的粘接剂层的粘接剂组合物、以及使用如下层叠体的经加工的半导体基板的制造方法,所述层叠体具有一层中既具有粘接功能也具有剥离功能的、能通过光照射而剥离的粘接剂层,所述层叠体在半导体基板的研磨时,能将支承基板与半导体基板牢固地粘接,并且在研磨后,能通过光照射将支承基板与半导体基板容易地分离。一种光照射剥离用的粘接剂组合物,其中,用于形成如下层叠体的下述粘接剂层,所述层叠体具有:半导体基板、支承基板以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接剂层,并且所述层叠体用于:在所述粘接剂层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离,所述粘接剂组合物包含粘接剂成分(S)和剥离剂成分(R),所述粘接剂成分(S)含有聚硅氧烷系树脂,所述剥离剂成分(R)含有(甲基)丙烯酸聚合物,该(甲基)丙烯酸聚合物包含有机硅系的第一单元和吸收光的结构的第二单元。
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