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公开(公告)号：CN113166624B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201980075287.5
申请日：2019-11-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J183/04 , B32B27/00 , C09J5/00 , C09J11/08 , C09J183/05
Abstract: 本发明涉及一种红外线剥离用粘接剂组合物，其能通过照射红外线而剥离，所述红外线剥离用粘接剂组合物含有：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及成分(B)，选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN110870049B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201880045131.8
申请日：2018-07-05
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J183/04 , C09J183/07 , C09J201/02 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 提供对晶片的电路面、支持体的旋转涂布性优异，与粘接层的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，晶片背面的研磨后容易剥离，剥离后附着于晶片、支持体的粘接剂容易除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。是用于在支持体与晶片的电路面之间能够剥离地粘接，并对晶片的背面进行加工的粘接剂，其特征在于，粘接剂包含：通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、和包含含有苯基的聚有机硅氧烷的成分(B)，成分(A)与成分(B)以质量％计为95：5～30：70的比例。在第一基体上涂布该粘接剂而形成粘接层，然后将第二基体接合，从第一基体侧加热使粘接剂固化。如果结束该叠层体的加工，则在第一基体、第二基体与粘接层之间进行剥离。
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公开(公告)号：CN110573588A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880027934.0
申请日：2018-05-23
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J183/06 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02
Abstract: 本发明的课题是提供对晶片的电路面、支持体的旋转涂布性优异，在与粘接层的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，在晶片背面的研磨后能够容易地剥离，剥离后附着于晶片、支持体的粘接剂能够简单除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。解决手段是一种粘接剂，是用于在将支持体与晶片的电路面之间以能够剥离地的方式粘接并对晶片的背面进行加工的粘接剂，上述粘接剂包含成分(A)和成分(B)，上述成分(A)通过氢化硅烷化反应而固化，上述成分(B)包含环氧改性聚有机硅氧烷，成分(A)与成分(B)的比例以质量％计为99.995：0.005～30：70。成分(B)是环氧值为0.1～5的范围的环氧改性聚有机硅氧烷。一种叠层体的形成方法，其包含下述工序：在第一基体的表面涂布粘接剂而形成粘接层的第1工序；将第二基体与该粘接层接合的第2工序；从第一基体侧加热而使该粘接层固化的第3工序。
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公开(公告)号：CN113166624A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980075287.5
申请日：2019-11-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J183/04 , B32B27/00 , C09J5/00 , C09J11/08 , C09J183/05
Abstract: 本发明涉及一种红外线剥离用粘接剂组合物，其能通过照射红外线而剥离，所述红外线剥离用粘接剂组合物含有：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及成分(B)，选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN113165344A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077764.1
申请日：2019-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B32B27/00 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02 , H01L21/304 , B32B7/12
Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其用于在由半导体形成基板构成的第一基体与由支承基板构成的第二基体之间形成以能剥离的方式粘接的粘接层，所述粘接剂组合物包含：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及剥离成分(B)，含有包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分，所述成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，所述聚硅氧烷(A1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q单元)等，所述聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，所述聚有机硅氧烷(a1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q’单元)等，所述聚有机硅氧烷(a2)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q”单元)等，并且官能团(Si－H)的量为5.0mol/kg以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113165344B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201980077764.1
申请日：2019-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B32B27/00 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02 , H01L21/304 , B32B7/12
Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其用于在由半导体形成基板构成的第一基体与由支承基板构成的第二基体之间形成以能剥离的方式粘接的粘接层，所述粘接剂组合物包含：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及剥离成分(B)，含有包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分，所述成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，所述聚硅氧烷(A1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q单元)等，所述聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，所述聚有机硅氧烷(a1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q’单元)等，所述聚有机硅氧烷(a2)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q”单元)等，并且官能团(Si－H)的量为5.0mol/kg以上。
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公开(公告)号：CN109417026B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201780038781.5
申请日：2017-06-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J5/06 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05
Abstract: 本发明的课题是提供在晶片的背面研磨后可以容易地剥离，耐热性、洗涤除去性容易的粘接剂。解决手段是一种粘接剂，是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接从而对晶片的背面进行加工的粘接剂，通过从支持体侧或晶片侧进行加热而该粘接剂固化，从而能够选择粘接层的剥离时的剥离面。上述粘接剂包含：通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、和包含聚二甲基硅氧烷的成分(B)。成分(B)为具有1100mm2/s～2000000mm2/s的粘度的聚二甲基硅氧烷。一种叠层体的形成方法，将在第一基体的表面涂布粘接剂而成的粘接层与第二基体的表面接合，从第一基体侧进行加热。一种剥离方法，将在第一基体的表面涂布粘接剂而成的粘接层与第二基体的表面接合，从第一基体侧进行加热从而固化而形成叠层体，然后对叠层体进行加工，在第一基体与粘接层之间发生剥离。
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公开(公告)号：CN113169035A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980075273.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , B32B27/00 , C09J5/00 , C09J5/04 , C09J5/06 , C09J183/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种层叠体的剥离方法，其中，包括：第一工序，在将由半导体形成基板构成的第一基体(11)与由使红外线激光透射的支承基板构成的第二基体(12)隔着设于所述第一基体侧的第一粘接层(13)和设于所述第二基体(12)侧的第二粘接层(14)进行接合而制成层叠体(10)时，将所述第一粘接层(13)设为使含有通过氢化硅烷化反应而固化的成分的粘接剂(A)固化而得到的粘接层，将所述第二粘接层(14)设为使用作为主链和侧链的至少一方具有芳香环的高分子系粘接剂的粘接剂(B)而得到的、使所述红外线激光透射的粘接层；以及第二工序，从所述层叠体的所述第二基体侧照射所述红外线激光，在所述第一粘接层与所述第二粘接层之间进行剥离。
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公开(公告)号：CN109417026A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780038781.5
申请日：2017-06-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J5/06 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05
Abstract: 本发明的课题是提供在晶片的背面研磨后可以容易地剥离，耐热性、洗涤除去性容易的粘接剂。解决手段是一种粘接剂，是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接从而对晶片的背面进行加工的粘接剂，通过从支持体侧或晶片侧进行加热而该粘接剂固化，从而能够选择粘接层的剥离时的剥离面。上述粘接剂包含：通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、和包含聚二甲基硅氧烷的成分(B)。成分(B)为具有1100mm2/s～2000000mm2/s的粘度的聚二甲基硅氧烷。一种叠层体的形成方法，将在第一基体的表面涂布粘接剂而成的粘接层与第二基体的表面接合，从第一基体侧进行加热。一种剥离方法，将在第一基体的表面涂布粘接剂而成的粘接层与第二基体的表面接合，从第一基体侧进行加热从而固化而形成叠层体，然后对叠层体进行加工，在第一基体与粘接层之间发生剥离。
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公开(公告)号：CN113169035B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201980075273.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , B32B27/00 , C09J5/00 , C09J5/04 , C09J5/06 , C09J183/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种层叠体的剥离方法，其中，包括：第一工序，在将由半导体形成基板构成的第一基体(11)与由使红外线激光透射的支承基板构成的第二基体(12)隔着设于所述第一基体侧的第一粘接层(13)和设于所述第二基体(12)侧的第二粘接层(14)进行接合而制成层叠体(10)时，将所述第一粘接层(13)设为使含有通过氢化硅烷化反应而固化的成分的粘接剂(A)固化而得到的粘接层，将所述第二粘接层(14)设为使用作为主链和侧链的至少一方具有芳香环的高分子系粘接剂的粘接剂(B)而得到的、使所述红外线激光透射的粘接层；以及第二工序，从所述层叠体的所述第二基体侧照射所述红外线激光，在所述第一粘接层与所述第二粘接层之间进行剥离。
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