具有静电保护作用的半导体集成电路器件

    公开(公告)号:CN1134608A

    公开(公告)日:1996-10-30

    申请号:CN96104324.5

    申请日:1996-01-11

    Inventor: 成田薰

    CPC classification number: H01L27/0288 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 在P-型半导体衬底上设置一输入端和连到输入端上的N-型扩散层的输入保护电阻。用于内部电路的第1和第2N型MOS晶体管,在各自的源扩散层上与地线相连。第1MOS晶体管比第2MOS晶体管离输入保护电阻器的距离较近。通过高熔点金属布线,例如硅化钨等等,连接第1MOS晶体管的源扩散层和地线,以便增加电阻改善静电击穿电位。因此,可能使输入保护电阻和第1MOS晶体管之间的距离较短,以便在输入保护电阻器周围消除无用区和减少芯片面积。

    谐振器、印刷电路板及测量复介电常数的方法

    公开(公告)号:CN100565226C

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200680009584.2

    申请日:2006-03-22

    Abstract: 在彼此平行布置有导体层以将电介质层夹在其间的印刷电路板中,在设置在导体层中的开口部分周围设置有连接到导体层的多个通孔通路,这些通路间留有间隙。此外,用于激励的通孔通路以不与导体层接触的方式设置在导体层的开口部分中和匹配这些开口部分的电介质层的区域中。当测量复介电常数时,将高频功率施加到通孔通路,并且通过S参数法测量通孔通路和导体层之间的功率损耗。结果,在从几吉赫兹到20GHz的频率范围中,能够以高精度测量复介电常数和该复介电常数的频率依赖性,并且即使该谐振器安装在电路板上也没有与其他部件的电干扰。

    用于多层印刷电路板的通孔传输线

    公开(公告)号:CN100544559C

    公开(公告)日:2009-09-23

    申请号:CN200580007342.5

    申请日:2005-03-09

    Abstract: 一种用于多层印刷板(PCB)的通孔传输线,其中波导通道由下列部分形成:一个信号通孔或多个信号通孔;由围绕该信号通孔或相应数目的耦合信号通孔的接地通孔、一组来自多层PCB导体层的接地板构成的组合体;以及间隙孔。在这种通孔传输线中,所述信号通孔或所述多个信号通孔形成了内导电边界,接地通孔和来自多层PCB导体层的接地板形成外导电边界,间隙孔提供了内导电边界与外导电边界的绝缘,并借助于预定间隙孔截面形状及尺寸而提供了通孔传输线的高性能的宽频带作用,其中间隙孔的截面形状是由外导电边界中接地通孔的排列确定的,而该间隙孔的尺寸则是根据如下方法来确定的,亦即,使得由通孔传输线的波导通道中的接地板形成的外导电边界的特殊波纹所引起的频率相关回波损耗减到最小。

    谐振器、印刷电路板及测量复介电常数的方法

    公开(公告)号:CN101147072A

    公开(公告)日:2008-03-19

    申请号:CN200680009584.2

    申请日:2006-03-22

    Abstract: 在彼此平行布置有导体层以将电介质层夹在其间的印刷电路板中,在设置在导体层中的开口部分周围设置有连接到导体层的多个通孔通路,这些通路间留有间隙。此外,用于激励的通孔通路以不与导体层接触的方式设置在导体层的开口部分中和匹配这些开口部分的电介质层的区域中。当测量复介电常数时,将高频功率施加到通孔通路,并且通过S参数法测量通孔通路和导体层之间的功率损耗。结果,在从几吉赫兹到20GHz的频率范围中,能够以高精度测量复介电常数和该复介电常数的频率依赖性,并且即使该谐振器安装在电路板上也没有与其他部件的电干扰。

    用于多层印刷电路板的通孔传输线

    公开(公告)号:CN1930930A

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN200580007342.5

    申请日:2005-03-09

    Abstract: 一种用于多层印刷板(PCB)的通孔传输线,其中波导通道由下列部分形成:一个信号通孔或多个信号通孔;由围绕该信号通孔或相应数目的耦合信号通孔的接地通孔、一组来自多层PCB导体层的接地板构成的组合体;以及间隙孔。在这种通孔传输线中,所述信号通孔或所述多个信号通孔形成了内导电边界,接地通孔和来自多层PCB导体层的接地板形成外导电边界,间隙孔提供了内导电边界与外导电边界的绝缘,并借助于预定间隙孔截面形状及尺寸而提供了通孔传输线的高性能的宽频带作用,其中间隙孔的截面形状是由外导电边界中接地通孔的排列确定的,而该间隙孔的尺寸则是根据如下方法来确定的,亦即,使得由通孔传输线的波导通道中的接地板形成的外导电边界的特殊波纹所引起的频率相关回波损耗减到最小。

    动态随机存取存储器件中的场效应晶体管及其存储单元结构

    公开(公告)号:CN1084054C

    公开(公告)日:2002-05-01

    申请号:CN96119247.X

    申请日:1996-10-14

    Inventor: 成田薰

    CPC classification number: H01L27/1203 H01L27/10808 H01L29/41775

    Abstract: 本发明提供一种包括下列部分的场效应晶体管。在半导体衬底上配置绝缘膜。第一和第二多晶硅膜,使第一多晶硅膜通过第二多晶硅膜连至半导体衬底的预定区域中的周边部分。选择地设置栅绝缘膜,它在半导体衬底除周边部分之外的预定区域上延伸,并在第二多晶硅膜和围绕第二多晶硅膜的那部分第一多晶硅膜上延伸。在栅绝缘膜上设置栅极,在栅绝缘膜下限定复合沟道区。在除栅绝缘膜下的部分之外的第一多晶硅膜中选择地设置源区和漏区,使源区和漏区通过复合沟道区相连。

    辐射热计及其制造方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102918369A

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201180025093.8

    申请日:2011-05-11

    Inventor: 成田薰

    CPC classification number: H01C7/02 G01J5/20 G01J2005/0077 Y10T29/49082

    Abstract: 在衬底(101)上形成聚合物膜(102),在聚合物膜(102)上形成热敏电阻器(106),并在热敏电阻器(106)与衬底(101)之间形成光反射膜(104)。因此,如果红外线或太赫兹波从上方入射,则一部分被热敏电阻器(106)吸收,并且大部分透过聚合物膜(102)并被光反射膜(104)反射。当热敏电阻器(106)与光反射膜(104)之间的距离是d时,具有用d=1/4表示且等于或小于1的波长的光分量谐振并变为热量,并且热敏电阻器(106)的温度上升。检测随着热敏电阻器(106)的温度上升的电阻变化,从而检测红外线或太赫兹波的强度。

Patent Agency Ranking