公开(公告)号：CN118398661A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410049356.8

申请日：2024-01-12

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡部将弘 ,  渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  望月真里奈 ,  田丸尊也 ,  小野寺凉

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明涉及半导体器件。本发明能够不降低半导体器件的电气特性而增大工艺余量。半导体器件包含：氧化物半导体层，其包含多晶构造；栅电极，其与所述氧化物半导体层相对；所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层；第1透明导电层，其与所述氧化物半导体层连接；和第2透明导电层，其设置在与所述第1透明导电层的同一层、并与所述第1透明导电层分离，所述第1透明导电层的结晶性与所述第2透明导电层的结晶性不同。

公开(公告)号：CN111554692A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010082372.9

申请日：2020-02-07

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  神内纪秀 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  小野寺凉

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明要解决的技术问题在于，提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且使薄膜晶体管的特性的变动减少的半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括：形成有具有源极电极的薄膜晶体管的半导体基片；像素电极；有机平坦化膜；形成在上述有机平坦化膜上的阻挡膜；形成在上述阻挡膜上的电容绝缘膜；和贯通孔，其设置在上述有机平坦化膜、上述阻挡膜和上述电容绝缘膜中，使得上述源极电极露出。上述贯通孔具有：上述有机平坦化膜露出的第一部分；和上述有机平坦化膜不露出的第二部分。上述像素电极在上述贯通孔的内部与上述源极电极连接。

公开(公告)号：CN118738138A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410326788.9

申请日：2024-03-21

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 望月真里奈 ,  渡部将弘 ,  津吹将志 ,  渡壁创 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  小野寺凉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。课题在于提供形状的偏差少且电气特性稳定的半导体装置。半导体装置包括：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的金属氧化物层；金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层之上的源电极及漏电极；和覆盖源电极及漏电极且与氧化物半导体层相接的层间绝缘层，氧化物半导体层包括与源电极或漏电极重叠的第一区域和与层间绝缘层相接的第二区域，第一区域的膜厚与第二区域的膜厚之差为5nm以下。

公开(公告)号：CN118738135A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410260296.4

申请日：2024-03-07

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡部将弘 ,  津吹将志 ,  渡壁创 ,  佐佐木俊成 ,  望月真里奈 ,  田丸尊也 ,  小野寺凉

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  G09F9/35

Abstract: 本发明涉及半导体装置和显示装置。改善包含氧化物半导体的半导体装置的电特性。半导体装置包含：第1绝缘层；上述第1绝缘层之上的以铝为主成分的金属氧化物层；上述金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；上述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；上述栅极绝缘层之上的栅电极；和上述栅电极之上的第2绝缘层，上述金属氧化物层和上述氧化物半导体层一起被图案化，上述氧化物半导体层具有与上述栅极绝缘层接触的第1区域和在第1方向上与上述第1区域连续并且与上述栅极绝缘层及上述第2绝缘层接触的第2区域。

公开(公告)号：CN118676153A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410249347.3

申请日：2024-03-05

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  望月真里奈 ,  小野寺凉

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供可靠性及迁移率高的半导体装置。半导体装置具有基板、设于基板上的第一晶体管、和设于第一晶体管上的第二晶体管，第一晶体管包含：设于基板上的第一栅电极；设于第一栅电极上的第一绝缘膜；设于第一绝缘膜上、有与第一栅电极重叠的区域并具有多晶结构的第一氧化物半导体层；设于第一氧化物半导体层上的第二绝缘膜；和设于第二绝缘膜上的第二栅电极，第二晶体管包含：设于第二绝缘膜上的第三栅电极；设于第三栅电极上的第三绝缘膜；设于第三绝缘膜上、有与第三栅电极重叠的区域的第二氧化物半导体层；设于第二氧化物半导体层上的第四绝缘膜；和设于第四绝缘膜上的第四栅电极。

公开(公告)号：CN118099223A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311553939.6

申请日：2023-11-21

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  田丸尊也 ,  望月真里奈 ,  小野寺凉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及半导体器件。其课题在于提供包含以不依赖于保护绝缘层所包含的氮化硅的方式被低电阻化的源极区域及漏电极的半导体器件。半导体器件包含氧化物绝缘层、氧化物绝缘层之上的氧化物半导体层、在氧化物半导体层之上与氧化物半导体层相接的栅极绝缘层、和栅极绝缘层之上的栅电极，氧化物半导体层包含与栅电极重叠的沟道区域、和与栅电极不重叠的源极区域及漏极区域，在源极区域及漏极区域与栅极绝缘层的界面处，源极区域及漏极区域的表面中的杂质的浓度为1×1019cm‑3以上。

公开(公告)号：CN114582979A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111367388.5

申请日：2021-11-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 花田明纮 ,  渡壁创 ,  海东拓生 ,  小野寺凉

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  G09G3/3233

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其提高包含使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的半导体装置的可靠性。半导体装置在各像素中具有薄膜晶体管。所述薄膜晶体管具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层；隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极；与所述氧化物半导体层接触的源极电极；与所述氧化物半导体层接触的漏极电极；和第1金属层，其与所述氧化物半导体层接触，并且与所述源极电极和所述漏极电极隔开间隔地配置在所述源极电极与所述漏极电极之间。

公开(公告)号：CN111584499A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010081137.X

申请日：2020-02-05

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 神内纪秀 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  小野寺凉 ,  铃村功

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明涉及显示装置及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，上述第一TFT中，覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由上述第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于上述氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于上述氧化物半导体，覆盖上述第一漏电极及上述第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由上述第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于上述第一漏电极，源极布线(122)介由上述第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于上述第一源电极。

公开(公告)号：CN212461692U

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202020529398.9

申请日：2020-04-10

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 小野寺凉 ,  花田明纮 ,  田中仁

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368

Abstract: 本实用新型涉及半导体装置。课题为在使用由多晶硅形成的TFT和由氧化物半导体形成的TFT的半导体装置中，能够减少层数并降低制造成本。解决手段为半导体装置，其具有第一TFT和第二TFT，所述第一TFT具有由第一多晶硅(102)形成的沟道、且在源极及漏极具有对所述第一多晶硅赋予导电性而得的第二多晶硅，所述第二TFT具有由氧化物半导体(108)形成的沟道和对所述氧化物半导体赋予导电性而得的源极及漏极，半导体装置的特征在于，构成所述第一TFT的第一栅电极(104)由与所述氧化物半导体的源极及漏极相同的材料形成。

公开(公告)号：CN212569365U

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202021144125.9

申请日：2020-06-19

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 神内纪秀 ,  渡壁创 ,  小野寺凉 ,  花田明纮

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G01S17/89 ,  G01V8/10

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件，在其基片之上，多条扫描线(11)相互平行地在第一方向上延伸，多条信号线(12)相互平行地在作为与上述第一方向交叉的方向的第二方向上延伸，在由上述扫描线(11)和上述信号线(12)包围的区域配置有第一电极(115)，上述第一电极(115)是通过将由第一氧化物半导体(103)构成的第一TFT和由第二氧化物半导体(103)构成的第二TFT串联连接而成的结构来控制的，上述第一氧化物半导体(103)和上述第二氧化物半导体(103)隔开间隔地配置。根据本实用新型，在使用基于氧化物半导体的TFT的半导体器件中，能够防止因杂质等的影响而使TFT发生导通不良。