基板保持器、纵式基板输送装置以及基板处理装置

    公开(公告)号:CN108300975A

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201711472810.7

    申请日:2017-12-29

    Abstract: 技术问题:提供一种能够抑制微粒的产生并容易进行基板装卸的基板保持器。解决手段:本发明的一个方式的基板保持器用于纵式基板输送装置,能够以立起姿势保持基板,所述基板保持器具备框体、和吸附部。上述框体具有在上述基板的厚度方向上与上述基板的周缘部相对的相对面。上述吸附部设置在上述相对面,且构成为能够静电吸附上述基板的周缘部的至少一部分。

    等离子体显示面板的制造方法和制造装置

    公开(公告)号:CN101681759B

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN200880017159.7

    申请日:2008-05-30

    CPC classification number: H01J9/39 H01J9/261 H01J9/385 H01J9/46 H01J11/12

    Abstract: 一种向封接的第一基板(1)和第二基板(2)之间填充放电气体而成的等离子体面板的制造方法,其特征在于,具有:通过将形成有应对等离子体放电的保护膜的所述第一基板(1)在真空中或被控制的气氛中加热到280℃以上,使杂质气体从所述保护膜脱离的第一脱气工序;和抵接所述杂质气体从所述保护膜脱离的所述第一基板(1)与所述第二基板(2)并进行封接的封接工序。由于在使第一基板与第二基板抵接之前的排气传导量大的状态下使杂质气体从保护膜脱离,因此能够在短时间内进行净化。另外,由于将保护膜加热到280℃以上,能够脱离约70%的吸附在保护膜上的杂质气体。

    真空处理装置、真空处理方法

    公开(公告)号:CN102112646A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200980130821.4

    申请日:2009-08-04

    Abstract: 提供一种具有不需要大型的真空排气装置的脱气室的真空处理装置。在脱气室内对处理对象物进行加热脱气,经由缓冲室运入处理室内并进行真空处理时,脱气室与排气速度小的真空排气系统连接,在1~100Pa的真空环境下进行脱气处理(时刻0~t2),接着令处理对象物向缓冲室移动,令缓冲室内的压力降低到与处理室内的压力相同程度(时刻t2~t3),将缓冲室与处理室连接,将处理对象物运入处理室内。若比较压力变化的推移,将利用排气速度大的真空排气装置将脱气室形成为高真空环境的现有技术的情况(曲线组B)和本发明的情况(曲线组A)相比,处理时间没有差别。

    成膜方法、面板制造装置、退火装置

    公开(公告)号:CN101798673A

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN201010116579.X

    申请日:2010-02-10

    Abstract: 本发明提供成膜方法、面板制造装置、退火装置,改善MgO保护膜的结晶取向强度分布。当将基板10的一边作为先头一面搬送一面对MgO膜进行成膜时,基板10的与先头呈直角的两边(两侧边)与两侧边之间的中央相比(111)结晶取向强度变低。当将退火用的加热器38分割为多根细长加热器38a,以基板10的两侧边与中央相比变为高温的方式进行加温时,两侧边的(111)结晶取向强度变高,(111)结晶取向强度的面内分布提高。

    等离子显示器面板的制造方法以及制造装置

    公开(公告)号:CN101522939A

    公开(公告)日:2009-09-02

    申请号:CN200780033817.7

    申请日:2007-10-18

    CPC classification number: C23C14/081 C23C14/568 H01J9/02 H01J11/12 H01J11/40

    Abstract: 本发明提供一种等离子显示器面板的制造方法,降低成膜温度而简化制造工序,以容易地得到作为保护层的(111)取向的MgO膜。另外,将制造装置设为简单的结构而缩短生产节拍时间。在包括由扫描电极、维持电极、电介体层以及保护层构成的前面基板、和由寻址电极、障壁以及荧光体构成的背面电极的等离子显示器面板的制造方法中,将电子束蒸镀装置中的蒸镀前的玻璃基板的温度设为常温(120℃以下),并且将上述电子束蒸镀装置的MgO成膜速度设为8000·m/min以上。在常温下的成膜中,得到与以往的高温下的成膜等同的MgO膜。

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