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公开(公告)号：CN108028094A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201780002944.4
申请日：2017-03-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01B5/14 , C23C14/08 , C23C14/34 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明提供带有电阻随时间产生的变化少的透明导电层的基板、液晶面板、以及带透明导电层的基板的制造方法。作为本发明的一个方式所涉及的带透明导电层的基板，具有基板和透明导电层。提供一种所述透明导电层设置在所述基板上、且含有氧化铌、氧化钽以及氧化锑中的至少任一个和氧化锡的带透明导电层的基板。由此，在该带透明导电层的基板中，电阻随时间产生的变化变少。
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公开(公告)号：CN102906303B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201180027118.8
申请日：2011-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/10 , C23C14/352 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/345 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 提供一种对靶材的溅射面整体进行溅射而提高靶材的使用效率并不会产生发弧的溅射成膜装置。包围导电性的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）由绝缘性的陶瓷形成。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分伸出到溅射面（231）的外周的外侧的位置之间移动，一边在反应气体环境中对靶材（211）进行溅射。靶材（211）的溅射面（231）整体被溅射，所以不会在靶材（211）上堆积绝缘性的化合物，不会产生发弧。
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公开(公告)号：CN102906302B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201180027011.3
申请日：2011-06-02
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/352 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/345 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 本发明提供一种能够对靶材的溅射面中比以往更广的面积进行溅射的溅射成膜装置。由绝缘性的陶瓷形成包围金属材料的靶材（211）的溅射面（231）的外周的防附着部件（251）。一边令磁体装置（261）在外周磁体（27a1）的外周整体进入溅射面（231）的外周的内侧的位置、和外周磁体（27a1）的外周的一部分向溅射面（231）的外周的外侧伸出的位置之间移动一边对靶材（211）进行溅射。
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公开(公告)号：CN103038385A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180029637.8
申请日：2011-06-14
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/32871 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01J37/3435
Abstract: 本发明提供一种在成膜处理中附着物的薄膜不剥离的防附着部件和具有该防附着部件的溅射成膜装置。防附着部件(251～254、35)的材质为Al2O3，成膜粒子附着的附着面的算术平均粗糙度为4μm以上10μm以下，附着膜不易剥离。在溅射成膜装置中，将防附着部件(251～254、35)配置在包围靶(211～214)的溅射面(231～234)的外周的位置、包围基板(31)的成膜面的外周的位置。
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公开(公告)号：CN118019875A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202280065462.4
申请日：2022-07-06
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种能够在应力差尽可能小的状态下形成高熔点金属膜，适用于使用筒状靶的情况的成膜方法。在配置于真空处理室(1a)内的基板(Sw)的与各靶(5)相对的面上形成高熔点金属膜的本发明的成膜方法，将基板的两个外缘部分别相对的起点靶(5a、5b)和距离起点靶位于靶并列设置方向外侧的靶(5c、5d)设置为第1靶组(50a)，将距离起点靶位于靶并列设置方向内侧的靶(5e～5h)作为第2靶组(50b)，所述方法包括：第1工序，在对基板的高熔点金属膜的成膜开始时，通过溅射电源(7)向第2靶组的各靶施加电力而成膜；以及第2工序，在停止对第2靶组的各靶施加电力的同时或者在此之前，通过溅射电源向第1靶组的各靶施加电力而成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114981470A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009850.6
申请日：2021-03-22
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/35 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/363
Abstract: 本发明的课题在于实现膜厚分布的均匀化。在成膜方法中，使用至少3个以上的多个旋转靶对基板进行溅射成膜，旋转靶具有中心轴和靶面，并在内部具备能够绕中心轴旋转的磁铁。多个旋转靶配置为中心轴相互平行并且中心轴与基板平行。一边对多个旋转靶通电一边使多个旋转靶各自的磁铁绕中心轴在具有到基板最近的A点的圆弧上移动，一边对基板进行溅射成膜，多个旋转靶内的至少配置在两端的一对旋转靶的磁铁在圆弧上在比A点更远离基板的中心的区域进行成膜的时间比在比A点更靠近基板的中心的区域进行成膜的时间短。
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公开(公告)号：CN110859041A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201980002549.5
申请日：2019-05-31
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的成膜方法通过在靶的背面侧配置被构造为能够沿与所述靶的背面平行的第一方向移动的多个磁路的同时，在所述靶的正面侧配置基板，并且利用磁控溅射法来进行成膜，其中各磁路具备：环状磁铁；和中心磁铁，配置在该环状磁铁的内侧，所述中心磁铁的与所述靶的背面相对的面的极性与所述环状磁铁的极性不同，在所述靶的正面侧，由所述磁路产生的磁场中的与所述基板的正面垂直的成分为0的磁场在所述环状磁铁与所述中心磁铁之间形成为环状，所述磁路在所述第一方向上以第一移动距离L1和与所述第一移动距离L1不同的第二移动距离L2摇动，控制所述L1和所述L2在所述磁路移动的单位时间内所占的比率。
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公开(公告)号：CN110678938A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880035178.6
申请日：2018-03-19
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜，其透明性和导电性优异，进一步具有高的硬度。本发明的一个实施方式的透明导电膜为成膜于基底上的透明导电膜。上述透明导电膜包含氧化锡、1.5wt％以上且2.5wt％以下的氧化钽以及0.3wt％以上且0.7wt％以下的氧化铌。这样的透明导电膜由于包含氧化锡、1.5wt％以上且2.5wt％以下的氧化钽以及0.3wt％以上且0.7wt％以下的氧化铌，因此具有高的硬度，进一步地，透明性和导电性优异。
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公开(公告)号：CN110494590A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880022101.5
申请日：2018-02-20
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的课题在于，通过溅射法简单地变更基板上的层组成。成膜装置具备真空容器、基板输送机构、成膜源和控制部。上述真空容器能够维持减压状态。上述基板输送机构能够在上述真空容器内输送基板。上述成膜源具有与上述基板对置且沿着上述基板的输送方向配置的第一靶和第二靶。上述第一靶的材料与上述第二靶的材料不同。通过向上述第一靶与上述第二靶之间施加频率为长波段的交流电压而产生等离子体，由此能够在上述基板形成由上述第一靶的上述材料与上述第二靶的上述材料混合而成的层。上述控制部能够改变上述交流电压的占空比。
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