公开(公告)号：CN103281056A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310121289.8

申请日：2013-01-21

Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所 ,  株式会社理光

Inventor： 林丰 ,  太田敏隆 ,  永宗靖 ,  渡边博文 ,  米田和洋 ,  爱须克彦 ,  根来宝昭

IPC: H03K5/02

CPC classification number: H04N5/378 ,  H01L27/144

Abstract: 一种感测电路包括：包含反向输入部，非反向输入部和输出部的差分放大电路，连接在反向输入部与输出部之间的电容器，以及包含源极、漏极和栅极的场效应晶体管。源极和漏极其中之一连接到反向输入部，并且源极和漏极中的另外一个连接到输出部。对非反向输入部提供参考电势，并且具有增加的开关功能的光电转换单元的输出部连接到反向输入部。当光电转换单元的输出控制电势从关断状态电势变到开通状态电势时，该单元输出电荷或电流。在该单元的输出控制电势变到开通状态电势之前，将使场效应晶体管关断的电势提供给栅极，该光电转换单元的输出控制电势变到开通状态电势，并且因此感测电路开始感测，并且，该单元的输出控制电势变到关断状态电势，并且此后对感测电路的稳定的输出电势进行采样和扫描。可以消除并且因此降低叠加在感测电路输出电势上的开关噪声。

公开(公告)号：CN111856864B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201911022402.0

申请日：2019-10-25

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 米田和洋 ,  三木芳彦 ,  福冈直纪

IPC: G03B21/20 ,  H01S5/42 ,  G01B11/25

Abstract: 本发明涉及光源、投影装置、检测装置、机器人、电子设备、移动体以及造型装置。本发明的课题在于，不引起投光部大型化以及成本增加，能使得斑点噪声降低。本发明一实施形态的光源在面内具有多个发光元件。上述多个发光元件的元件配置满足在假定的投影区域中多个上述发光元件的照射光互相重合的元件间隔，并且满足在上述假定的投影区域中所得到的上述各照射光的斑点图案按各照射光而不同的元件间隔。

公开(公告)号：CN113494892A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110268883.4

申请日：2021-03-12

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 福冈直纪 ,  三木芳彦 ,  米田和洋

IPC: G01B11/25

Abstract: 本发明提供高精度稳定测量的测量装置、测量方法、移动体、机器人、电子设备及造型装置，其中具有照射部，用于向对象物照射光；摄影部，用于拍摄所述光照射的对象物；测量部，用于根据所述摄影部拍摄的信息，测量所述对象物；以及位置控制部，用于在所述摄影部拍摄的信息满足规定条件时，控制改变所述对象物和所述照射部以及所述摄影部三者之间的相对位置关系。

公开(公告)号：CN111856864A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201911022402.0

申请日：2019-10-25

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 米田和洋 ,  三木芳彦 ,  福冈直纪

IPC: G03B21/20 ,  H01S5/42 ,  G01B11/25

Abstract: 本发明涉及光源、投影装置、检测装置、机器人、电子设备、移动体以及造型装置。本发明的课题在于，不引起投光部大型化以及成本增加，能使得斑点噪声降低。本发明一实施形态的光源在面内具有多个发光元件。上述多个发光元件的元件配置满足在假定的投影区域中多个上述发光元件的照射光互相重合的元件间隔，并且满足在上述假定的投影区域中所得到的上述各照射光的斑点图案按各照射光而不同的元件间隔。

公开(公告)号：CN105590972A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510765679.8

申请日：2015-11-11

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 根来宝昭 ,  上田佳德 ,  樱野胜之 ,  中谷宁一 ,  米田和洋 ,  爱须克彦

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/11 ,  H01L27/146 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14681 ,  H01L27/14612 ,  H01L31/1105 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/1804

Abstract: 一种用于将入射光转换为电流的半导体器件包括：半导体衬底；嵌入于半导体衬底中的电极；绝缘膜，接触在半导体衬底中的电极；在深度方向上从半导体衬底的正面一侧相继地形成的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的第二半导体区和第一导电类型的第三半导体区；和第二导电类型的第四半导体区，接触绝缘膜和第二半导体区。第四半导体区的杂质浓度大于第二半导体区的杂质浓度。

公开(公告)号：CN105304659A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510427472.X

申请日：2015-07-20

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 米田和洋 ,  渡边博文 ,  根来宝昭 ,  爱须克彦 ,  中谷宁一 ,  樱野胜之

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/369 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明公开了一种在像素的光电检测器中具有光电晶体管的成像装置。该成像装置包括：配置为分隔像素的埋藏电极；布置在与埋藏电极相邻的位置的第一发射极；以及第二发射极，其布置为使得从埋藏电极至第二发射极的距离比从埋藏电极至第一发射极的距离长。

公开(公告)号：CN106331538B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201610497324.X

申请日：2016-06-29

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 爱须克彦 ,  中谷宁一 ,  米田和洋 ,  根来宝昭 ,  上田佳德 ,  樱野胜之

IPC: H04N5/369

Abstract: 光电转换装置包括光电转换单元和基极电势设置单元，该光电转换单元包括光电晶体管，该光电晶体管具有集电极区、发射极区和基极区以根据到所述光电晶体管的入射光的强度产生输出电流；并且该基极电势设置单元被配置来建立光电晶体管的基极电势使得来自光电转换单元的输出电流等于预定的电流值。

公开(公告)号：CN105590972B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201510765679.8

申请日：2015-11-11

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 根来宝昭 ,  上田佳德 ,  樱野胜之 ,  中谷宁一 ,  米田和洋 ,  爱须克彦

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/11 ,  H01L27/146 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14681 ,  H01L27/14612

Abstract: 一种用于将入射光转换为电流的半导体器件包括：半导体衬底；嵌入于半导体衬底中的电极；绝缘膜，接触在半导体衬底中的电极；在深度方向上从半导体衬底的正面一侧相继地形成的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的第二半导体区和第一导电类型的第三半导体区；和第二导电类型的第四半导体区，接触绝缘膜和第二半导体区。第四半导体区的杂质浓度大于第二半导体区的杂质浓度。

公开(公告)号：CN106331538A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610497324.X

申请日：2016-06-29

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 爱须克彦 ,  中谷宁一 ,  米田和洋 ,  根来宝昭 ,  上田佳德 ,  樱野胜之

IPC: H04N5/369

Abstract: 光电转换装置包括光电转换单元和基极电势设置单元，该光电转换单元包括光电晶体管，该光电晶体管具有集电极区、发射极区和基极区以根据到所述光电晶体管的入射光的强度产生输出电流；并且该基极电势设置单元被配置来建立光电晶体管的基极电势使得来自光电转换单元的输出电流等于预定的电流值。

公开(公告)号：CN105914251A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610086842.2

申请日：2016-02-16

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 上田佳德 ,  米田和洋 ,  爱须克彦 ,  中谷宁一 ,  根来宝明 ,  樱野胜之 ,  渡边博文

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14681 ,  H01L31/10 ,  H01L31/035272

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、成像设备及制造半导体装置的方法，该半导体装置包括：半导体层，从半导体层的表面嵌入到半导体层的内部并且由绝缘层绝缘的电极，以及一结构，在该结构中，第一导电型的第一半导体区域，第二导电型的第二半导体区域，以及第一导电型的第三半导体以前述顺序从所述半导体层的表面经由所述绝缘层沿着所述电极形成。电极被布置在一位置处，在该位置，在第一半导体区域和第二半导体区域的分界面和第二半导体区域和第三半导体区域的分界面中的至少一个中没有反型层由提供给电极的电压形成。