研磨装置及研磨方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111376171A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201911309643.3

    申请日:2019-12-18

    Abstract: 本发明提供一可精确控制基板的周缘部的研磨轮廓的研磨装置及研磨方法。研磨装置(1)具备:用于支承具有研磨面(2a)的研磨垫(2)的研磨台(3);具有按压面(45a)的可旋转的头主体(11);与头主体(2a)一起旋转同时用以压靠研磨面的挡圈(20);旋转环(51);固定环(91);及用于向固定环(91)施加局部载荷的多个局部载荷施加装置(30A、30B)。局部载荷施加装置(30A、30B)包含连接至固定环(91)的第一按压构件(31A)和第二按压构件(31B)。第一按压构件(31A)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的上游侧,第二按压构件(31B)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的下游侧。

    弹性膜、基板保持装置及研磨装置

    公开(公告)号:CN109093507A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201810965484.1

    申请日:2015-03-26

    CPC classification number: B24B37/30

    Abstract: 本发明提供一种可在晶片边缘部的狭窄区域精密调整研磨剖面的弹性膜。弹性膜(10)具备:抵接于基板的抵接部(11);从抵接部(11)周端部向上方延伸的第一边缘周壁(10h);及具有连接于第一边缘周壁(10h)的内周面(101)的水平部(111)的第二边缘周壁(10g),第一边缘周壁(10h)的内周面(101)具有相对抵接部(11)垂直延伸的上侧内周面(101a)及下侧内周面(101b),上侧内周面(101a)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向上方延伸,下侧内周面(101b)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向下方延伸。

    半导体晶片研磨装置用弹性膜

    公开(公告)号:CN301348233S

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN201030113727.3

    申请日:2010-02-26

    Abstract: 该外观设计产品的名称为半导体晶片研磨装置用弹性膜。该半导体晶片研磨装置用弹性膜也称作膜片,其用途为:在半导体等的制造中的晶片研磨工序中,安装在研磨装置的基板保持环内侧,从装置侧向本物品的侧面侧供给空气等气体,使膜面朝正面侧膨胀,将配置于正面侧的晶片的一面向研磨垫推压。该半导体晶片研磨装置用弹性膜的设计要点请参考各个视图所示的形状。最能表明设计要点的图片或者照片为立体图1。另外,由于仰视图与俯视图对称,左视图与右视图对称,因此省略仰视图和左视图。

    半导体晶片研磨装置用弹性膜

    公开(公告)号:CN301445758S

    公开(公告)日:2011-01-19

    申请号:CN201030113730.5

    申请日:2010-02-26

    Abstract: 该外观设计产品的名称为半导体晶片研磨装置用弹性膜。该半导体晶片研磨装置用弹性膜也称作膜片,其用途为:在半导体等的制造中的晶片研磨工序中,安装在研磨装置的基板保持环内侧,从装置侧向本物品的侧面侧供给空气等气体,使膜面朝正面侧膨胀,将配置于正面侧的晶片的一面向研磨垫推压。该半导体晶片研磨装置用弹性膜的设计要点请参考各个视图所示的形状。最能表明设计要点的图片或者照片为第八页中的设计1的B部放大图。在各设计中,设计1为基本设计。另外,在各设计中,由于仰视图与俯视图对称,左视图与右视图对称,因此省略仰视图和左视图。

    半导体晶片研磨装置用弹性膜

    公开(公告)号:CN301348232S

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN201030113726.9

    申请日:2010-02-26

    Abstract: 该外观设计产品的名称为半导体晶片研磨装置用弹性膜。该半导体晶片研磨装置用弹性膜也称作膜片,其用途为:在半导体等的制造中的晶片研磨工序中,安装在研磨装置的基板保持环内侧,从装置侧向本物品的侧面侧供给空气等气体,使膜面朝正面侧膨胀,将配置于正面侧的晶片的一面向研磨垫推压。该半导体晶片研磨装置用弹性膜的设计要点请参考各个视图所示的形状。最能表明设计要点的图片或者照片为第六页中的立体图2。另外,由于仰视图与俯视图对称,左视图与右视图对称,因此省略仰视图和左视图。

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