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公开(公告)号：CN100470719C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610172775.2
申请日：2006-12-26
Applicant: 株式会社迅动
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/67173 , H01L21/67225 , H01L21/67276 , H01L21/67742 , H01L21/67748
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法、衬底处理系统及衬底处理设备。其中，在与液浸曝光兼容的曝光装置中紧接在用于调整图案图像的曝光位置的对准处理之前或之后，将用于对准处理的虚设衬底从曝光装置传输到衬底处理设备。在衬底处理设备中，清洗处理装置清洗并干燥接收到的虚设衬底。将已清洗的虚设衬底从衬底处理设备传输回曝光装置。在曝光装置中使用清洁的虚设衬底执行对准处理，减少了曝光装置中机构如衬底台的污染。当虚设衬底具有斥水性时，在衬底处理设备中进行清洗使虚设衬底的斥水性恢复。
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公开(公告)号：CN1885160B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200610093230.2
申请日：2006-06-23
Applicant: 株式会社迅动
CPC classification number: H01L21/02087 , G03F7/00 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2041 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67225 , H01L21/67742 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置具有：分度器模块、端部清洗处理模块、反射防止膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、显影处理模块、抗蚀覆盖膜用处理模块、抗蚀覆盖膜除去模块、清洗/干燥处理模块以及接口模块。相邻于基板处理装置的接口模块而配置有曝光装置。在曝光装置中，通过浸液法来进行对基板的曝光处理。在端部清洗模块的端部清洗处理部中，对曝光处理前的基板的端部进行清洗。
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公开(公告)号：CN101387835B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200810149147.1
申请日：2008-09-12
Applicant: 株式会社迅动
IPC: G03F7/30 , H01L21/027 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67034 , B05C11/08 , B05C13/02 , B05D3/0406 , G03F7/3028 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。在利用冲洗液冲洗掉基板上的显影液之后，基板的转速降低，从而在基板的整个表面上会形成冲洗液的液层。然后，基板的转速上升。由于基板的转速上升，所以离心力变得稍大于张力，因此液层以周边部厚度变厚且中心部厚度变薄的状态保持在基板上。接着，气体供给喷嘴向液层的中心部喷出气体，从而在液层的中心部形成孔。由此，与作用于液层周边部的离心力相平衡的张力消失。另外，随着气体的喷出，基板的转速进一步上升。由此，液层向基板的外侧移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101388333A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810212379.7
申请日：2008-09-12
Applicant: 株式会社迅动
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/67225
Abstract: 一种基板处理装置和基板处理方法，在清洗基板后，基板进行旋转的状态下，液体供给喷嘴一边喷出冲洗液，一边从基板的中心部上方向外方移动。此时，没有冲洗液的干燥区域在基板上扩大。若液体供给喷嘴移动至基板周边部上方，则基板的旋转速度下降。液体供给喷嘴的移动速度维持原状态。然后，停止喷出冲洗液，并且，液体供给喷嘴移动到基板的外方。由此，干燥区域扩展到基板上整体，基板被干燥。
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公开(公告)号：CN101387835A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810149147.1
申请日：2008-09-12
Applicant: 株式会社迅动
IPC: G03F7/30 , H01L21/027 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67034 , B05C11/08 , B05C13/02 , B05D3/0406 , G03F7/3028 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。在利用冲洗液冲洗掉基板上的显影液之后，基板的转速降低，从而在基板的整个表面上会形成冲洗液的液层。然后，基板的转速上升。由于基板的转速上升，所以离心力变得稍大于张力，因此液层以周边部厚度变厚且中心部厚度变薄的状态保持在基板上。接着，气体供给喷嘴向液层的中心部喷出气体，从而在液层的中心部形成孔。由此，与作用于液层周边部的离心力相平衡的张力消失。另外，随着气体的喷出，基板的转速进一步上升。由此，液层向基板的外侧移动。
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公开(公告)号：CN1773376B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200510120440.1
申请日：2005-11-10
Applicant: 株式会社迅动
CPC classification number: G03F7/70991 , G03F7/70341
Abstract: 本发明提供的基板处理装置具有分度器模块、反射防止膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、显影处理模块以及接口模块。以相邻于接口模块的方式配置有曝光装置。接口模块具有含有2个干燥处理单元的干燥处理部和接口用搬送机构。在曝光装置中，在对基板实施了曝光处理后，基板通过接口用搬送机构被搬送到干燥处理部的干燥处理单元。在干燥处理部的干燥处理单元中，进行基板的洗涤和干燥。
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公开(公告)号：CN1773674B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200510120447.3
申请日：2005-11-10
Applicant: 株式会社迅动
IPC: H01L21/00 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67051 , G03F7/70341 , G03F7/70991 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , Y10S414/135
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，基板处理装置具有分度器部、反射防止膜用处理部、抗蚀膜用处理部、干燥/显影处理部以及接口部。曝光装置相邻于接口部而被配置。干燥/显影处理部具有干燥处理部。接口部具有接口用搬送机构。在曝光装置中对基板进行曝光处理之后，通过接口用搬送机构将基板搬送到干燥处理部，在干燥处理部对基板进行清洗以及干燥。
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公开(公告)号：CN101388327A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810149148.6
申请日：2008-09-12
Applicant: 株式会社迅动
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: 提供一种基板处理装置以及基板处理方法，在清洗了基板后，形成冲洗液的液层，覆盖基板的一面。接着，液体供给喷嘴从基板的中心部上方向外侧移动。液体供给喷嘴在从基板的中心部上方移动到规定距离时暂时停止。在此期间内，离心力使液层在薄层区域内切断，从而在液层的中心部形成干燥核斑。然后，液体供给喷嘴再次向外侧移动，从而使没有冲洗液的干燥区域在基板上以干燥核斑为起点扩大。
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