公开(公告)号：KR101268458B1

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：KR1020110093980

申请日：2011-09-19

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  한정석

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: 본 발명은 자기조립단분자막(self-assembled monolayers, SAMs)을 이용하여 금속소재와의 강한결합을 형성하고, 기존의 확산 방지막에 비해 두께가 얇은 것은 물론 신뢰성이 향상된 반도체 소자와 확산 방지막의 형성을 위하여, 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 일단에는 티올(thiol)기를 포함하고, 타단에는 작용기로서 카르복실(carboxyl)기, 카르보닐(carbonyl)기 및 수산기(hydroxyl)기 중 어느 하나를 포함하는 혼합물로 이루어지는, 자기조립단분자막을 형성하는 단계; 및 상기 자기조립단분자막 상에 금속층을 형성하는 단계;를 포함하는, 반도체소자의 형성 방법을 제공한다.

Abstract translation: 用于膜的自组装单层（自组装单层，自组装膜）来使用，以形成与所述金属材料强键的形成本发明中，它有一个厚度比传统的扩散阻挡更薄以及可靠性提高半导体元件和所述扩散 提供半导体衬底; 其中半导体衬底包括一端的硫醇基和另一端的羧基，羰基和羟基作为官能团的混合物， 形成单分子膜; 并在自组装单分子层上形成金属层。

公开(公告)号：KR1020110121573A

公开(公告)日：2011-11-07

申请号：KR1020110040495

申请日：2011-04-29

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  김아라

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/788

Abstract: PURPOSE: A floating gate which includes hetero metal nano crystal, a manufacturing method thereof, and a semiconductor device which includes the floating gate are provided to control the particle size and density of the metal nano crystal, thereby easily controlling charge capacity. CONSTITUTION: A floating gate for a semiconductor device stores charge by being arranged between a tunneling oxide film and control oxide film. A plurality of first metal nano crystals(30) is arranged in the tunneling oxide film. A first self-assembled monolayer(SAM,40) is arranged in the tunneling oxide film in which the first metal nano crystal is arranged. A plurality of second metal nano crystals(50) is arranged in the first self-assembled monolayer.

Abstract translation: 目的：提供包括异质金属纳米晶体的浮栅，其制造方法和包括浮置栅极的半导体器件，以控制金属纳米晶体的粒度和密度，从而容易控制充电容量。 构成：用于半导体器件的浮动栅极通过布置在隧道氧化物膜和控制氧化物膜之间来存储电荷。 多个第一金属纳米晶体（30）布置在隧道氧化膜中。 在其中布置有第一金属纳米晶体的隧道氧化膜中布置第一自组装单层（SAM，40）。 多个第二金属纳米晶体（50）布置在第一自组装单层中。

公开(公告)号：KR1020090111588A

公开(公告)日：2009-10-27

申请号：KR1020080037274

申请日：2008-04-22

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  박희정 ,  김아라 ,  이관우

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L27/11521 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0226 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28273

Abstract: PURPOSE: A floating gate, method of forming floating gate, method of fabricating non-volatile memory device using the same and non-volatile memory device are provided to secure the thermal stability of the metal nano crystal by the chemical vapor deposition. CONSTITUTION: A floating gate, method of forming floating gate, method of fabricating non-volatile memory device using the same and non-volatile memory device comprises as follows. The tunneling oxide film(12) is formed on the semiconductor substrate(10). A binder is provided that is bonded with the metal nano crystal and ionic bond in the tunneling oxide film. The seed layer(14) for preventing the diffusion of tunneling oxide film is formed on the metal nano crystal(16). The metal nano crystal for storing the electric charge is formed.

Abstract translation: 目的：提供浮动栅极，浮栅形成方法，使用相同和非易失性存储器件制造非易失性存储器件的方法，以通过化学气相沉积来确保金属纳米晶体的热稳定性。 构成：浮栅，形成浮栅的方法，使用相同和非易失性存储器件制造非易失性存储器件的方法包括如下。 隧道氧化膜（12）形成在半导体衬底（10）上。 提供了与隧道氧化膜中的金属纳米晶体和离子键结合的粘合剂。 用于防止隧道氧化膜扩散的种子层（14）形成在金属纳米晶体（16）上。 形成用于存储电荷的金属纳米晶体。

公开(公告)号：KR101652339B1

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：KR1020130020469

申请日：2013-02-26

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이택경 ,  이치영 ,  정대균

IPC: H01L21/027

Abstract: 본원은, 자기조립단분자막에의하여처리된몰드를이용한패턴형성방법에관한것으로서, 기재에포토레지스트를도포하는단계; 패턴된몰드에자기조립단분자막을형성하는단계; 상기자기조립단분자막이형성된몰드와상기포토레지스트가도포된기재를가압하여접촉하는단계; 및, 상기포토레지스트를경화시키는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020150034332A

公开(公告)日：2015-04-03

申请号：KR1020130114257

申请日：2013-09-26

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  정대균 ,  임정은

IPC: G01L1/14 ,  H01L41/193 ,  H01L41/45 ,  G01G7/06

CPC classification number: G01L1/14 ,  G01G7/06 ,  H01L41/193 ,  H01L41/45

Abstract: 본원은대전된기재상에형성된제 1 전극; 상기제 1 전극에대향배치되는제 2 전극; 상기제 1 전극및 상기제 2 전극사이에복수층으로형성된유기물층; 및, 상기유기물층상에형성된, 전도성물질및 고분자물질을함유하는혼합물층을포함하는압력센서, 및그의제조방법을제공한다.

Abstract translation: 提供一种压力传感器及其制造方法，其包括：形成在带电衬底上的第一电极; 与第一电极相对布置的第二电极; 形成在第一电极和第二电极之间的多个层中的有机材料层; 以及在包含导电材料和聚合材料的有机材料层上形成的混合层。

公开(公告)号：KR1020140108394A

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：KR1020130020469

申请日：2013-02-26

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이택경 ,  이치영 ,  정대균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/2012

Abstract: The present invention relates to a method for forming a pattern using a mold treated by a self-assembled monomolecular film, comprising a step for applying photoresist to base material; a step for forming a self-assembled monomolecular film on a patterned mold; a step for contacting the mold where the self-assembled monomolecular film is formed, and the base material where the photoresist is applied, by pressurizing the same; and a step for hardening the photoresist.

Abstract translation: 本发明涉及使用由自组装单分子膜处理的模具形成图案的方法，其包括将光致抗蚀剂施加于基材的步骤; 在图案化模具上形成自组装单分子膜的步骤; 使形成有自组装单分子膜的模具与通过对其施加光致抗蚀剂的基材进行加压的步骤; 以及使光致抗蚀剂硬化的步骤。

公开(公告)号：KR101318823B1

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：KR1020110040495

申请日：2011-04-29

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  김아라

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

Abstract: 본원은 반도체 디바이스용 신규 플로팅 게이트, 그의 제조 방법 및 상기 플로팅 게이트를 포함하는 반도체 디바이스에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100900569B1

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：KR1020070030850

申请日：2007-03-29

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이장식 ,  손병혁 ,  이치영

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/42324 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/513

Abstract: 본 발명은 밀도 및 크기를 용이하게 조절할 수 있는 나노 크기의 나노 크리스탈을 고온의 열처리 공정 없이 마이셀을 이용하여 합성하여, 비휘발성 메모리 장치의 플로팅 게이트로 사용할 수 있도록 하는 플로팅 게이트 형성 방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방에 관한 것이다.
이러한, 본 발명은 반도체 기판 상에 플로팅 게이트를 형성하는 방법은, 반도체 기판 상에 터널링 산화막을 형성하는 단계와, 상기 터널링 산화막 상에 자기 조립 방식으로 형성되는 나노 구조에 금속염을 합성할 수 있는 선구 물질이 도입된 마이셀 템플릿을 포함하는 게이트 형성 용액을 코팅하는 단계와, 상기 반도체 기판 상의 상기 마이셀 템플릿을 제거하여 상기 터널링 산화막 상에 상기 금속염을 배열시켜 상기 플로팅 게이트를 형성하는 단계를 포함한다.
비휘발성 메모리, 플로팅 게이트, 마이셀 중합체, 나노 크리스탈, 자기 조립

公开(公告)号：KR101724549B1

公开(公告)日：2017-04-07

申请号：KR1020130114257

申请日：2013-09-26

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  정대균 ,  임정은

IPC: G01L1/14 ,  H01L41/193 ,  H01L41/45 ,  G01G7/06

Abstract: 대전된기재상에형성된제 1 전극; 상기제 1 전극에대향배치되는제 2 전극; 상기제 1 전극및 상기제 2 전극사이에복수층으로형성된유기물층; 및, 상기유기물층상에형성된, 전도성물질및 고분자물질을함유하는혼합물층을포함하는압력센서, 및상기압력센서의제조방법을제공한다.

公开(公告)号：KR1020130030478A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：KR1020110093980

申请日：2011-09-19

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  한정석

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a forming method thereof are provided to improve reliability by forming a diffusion preventing layer using a self-assembled monolayer. CONSTITUTION: A self-assembled monolayer(110) is formed on a semiconductor substrate and is made of a mixture. The mixture includes thiol group in one side thereof and one of carboxyl group, carbonyl group, and hydroxyl group in the other side thereof. A metal layer(120) is formed on the self-assembled monolayer.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其形成方法，以通过使用自组装单层形成扩散防止层来提高可靠性。 构成：在半导体衬底上形成自组装单层（110）并由混合物制成。 该混合物在其一侧包含硫醇基团，另一侧包含羧基，羰基和羟基中的一个。 金属层（120）形成在自组装单层上。