公开(公告)号：KR101649783B1

公开(公告)日：2016-08-19

申请号：KR1020130159966

申请日：2013-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/687 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76841

Abstract: 챔버내에설치되고, 기판적재부에기판(W)을적재가능한회전테이블을회전시킴으로써, 서로반응하는다른종류의가스를공급하는제1 및제2 처리영역을통과시켜, 원자퇴적(ALD)법에의해성막을행하는성막방법이며, 상기기판적재부에상기기판을적재하지않고상기회전테이블을회전시켜, 상기기판적재부를소정온도로한 상태에서상기회전테이블상에상기성막을행하는코팅공정과, 상기기판적재부에상기기판을적재하고상기회전테이블을회전시켜, 상기기판적재부또는상기기판을상기소정온도이하로한 상태에서상기기판상에상기성막을행하는프로세스공정을갖는다.

公开(公告)号：KR1020150012202A

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：KR1020140091765

申请日：2014-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키히로코 ,  와무라유 ,  고아쿠츠마사토

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/0228

Abstract: 기판을 처리실 내에 반입하여 상기 기판 상에 질화막을 성막하는 성막 처리를 행하여, 상기 성막 처리가 종료된 후 상기 기판을 상기 처리실 내로부터 반출할 때까지를 1운전으로 하고, 상기 1운전을 복수회 반복하여 복수매의 상기 기판을 계속적으로 성막 처리하는 성막 방법이 제공된다. 상기 성막 방법에서는 상기 1운전이 소정 횟수 연속적으로 행해지고, 상기 처리실 내에 산화 가스를 공급하여 상기 처리실 내가 산화된다.

Abstract translation: 提供了一种形成层的方法，其中一个操作被定义为将衬底运送到处理室中以在衬底上形成氮化物层，并且在衬底上形成氮化物层之后将衬底输送出处理室 完成了。 一次操作重复多次以在多个基板上连续地形成氮化物层。 在形成层的方法中，一次操作连续重复预定次数，并且通过向处理室中供应氧化气体来氧化处理室的内部。

公开(公告)号：KR1020140097609A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：KR1020140011672

申请日：2014-01-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  사토가오루 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764

Abstract: A film forming apparatus for forming a film on a substrate in a vacuum container includes a rotary table, a first processing gas supply unit for supplying a first processing gas, a gas nozzle for supplying a second processing gas, a nozzle cover installed to cover the gas nozzle, and a separation gas supply unit. The nozzle cover includes a ceiling wall, and an upstream side wall and a downstream side wall extended downward from each edge of upstream and downstream sides of the ceiling wall in the rotating direction of the rotary table. The inner surface of the gas nozzle in the upstream side wall is an inclined surface, and an angle (θ1) between the inner surface of the gas nozzle in the upstream side wall and a surface of the rotary table is smaller than an angle (θ2) between the inner surface of the gas nozzle in the downstream side wall and the inner surface of the gas nozzle.

Abstract translation: 用于在真空容器中的基板上形成膜的成膜装置包括旋转台，用于供应第一处理气体的第一处理气体供应单元，用于供应第二处理气体的气体喷嘴，安装成覆盖 气体喷嘴和分离气体供给单元。 喷嘴盖包括顶壁，以及从旋转台的旋转方向从顶壁的上游侧和下游侧的每个边缘向下延伸的上游侧壁和下游侧壁。 上游侧壁中的气体喷嘴的内表面是倾斜面，上游侧壁的气体喷嘴的内表面与旋转台的表面之间的角度（θ1）小于角度（θ2 ）在下游侧壁中的气体喷嘴的内表面与气体喷嘴的内表面之间。

公开(公告)号：KR1020110110261A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：KR1020117017698

申请日：2010-01-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  고아쿠츠마사토

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 오목부를 갖는 절연층이 표면에 형성된 피처리체에 대하여 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 상기 오목부 내의 표면을 포함하는 상기 피처리체의 표면에, 플라즈마 CVD법을 이용하여, 질화타이타늄막의 박막을 형성하는 박막 형성 공정과, 질화 가스의 존재 하에서, 플라즈마를 이용한 질화 처리를 하는 것에 의해, 상기 박막을 질화하는 질화 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 방법이다.