公开(公告)号：KR100984992B1

公开(公告)日：2010-10-04

申请号：KR1020080001297

申请日：2008-01-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마에카와가오루 ,  나가이히로유키 ,  하타노다츠오 ,  다카시사쿠마

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C14/185 ,  C23C14/027 ,  C23C14/345 ,  C23C14/544 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: [과제]
1 개의 처리 용기 내에서 스퍼터에 의해 두께 방향으로 농도 구배를 갖도록 첨가 금속을 함유한 합금층을 피처리체 상에 용이하게 형성할 수 있는 기술을 제공하는 것.
[해결 수단]
첨가 금속과 주금속을 함유하는 합금으로 이루어지는 금속 타겟을 구비한 처리 용기 내에 플라즈마 발생용 가스를 공급함과 함께 이 가스에 전력을 공급하여 플라즈마화하고, 그 플라즈마에 의해 스퍼터된 금속 타겟 입자에 의해 제 1 합금막을 피처리체에 막형성하는 제 1 막형성 공정과, 처리 용기 내의 압력 및 상기 전력의 적어도 하나를 다르게 하여 플라즈마를 발생시키고, 스퍼터된 상기 금속 타겟의 입자에 의해, 첨가 금속의 농도가 제 1 합금막의 첨가 금속의 농도와는 상이한 제 2 합금막을 제 1 합금막에 적층하는 제 2 막형성 공정을 포함하도록 스퍼터 막형성을 실시하여, 주금속에 대한 첨가 금속의 농도가 두께 방향으로 상이한 막을 막형성할 수 있다.
농도 구배, 첨가 금속, 주금속, 피처리체, 금속 타겟, 스퍼터 막형성

公开(公告)号：KR100952685B1

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：KR1020080019100

申请日：2008-02-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이히로유키 ,  미요시히데노리 ,  마에카와카오루

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C14/14 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5846 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76873

Abstract: 절연막의 오목부를 따라 성막한 구리 및 첨가 금속의 합금막을 이용하여 배리어 막과 구리 막을 형성하고, 그 후, 구리 배선을 매립함에 있어서, 상기 구리 막의 산화를 억제하고, 또한 배선 저항의 상승을 억제하는 기술을 제공하는 것이다.
구리에 첨가 금속을 첨가한 합금막을 기판 표면의 층간 절연막의 오목부의 벽면을 따라 형성하는 공정과, 또한 상기 첨가 금속과 층간 절연막의 구성 원소와의 화합물로 이루어지는 배리어 층을 형성하고, 또한 잉여 첨가 금속을 합금막의 표면으로 석출(析出)시키기 위해, 유기산, 유기산 무수물 또는 케톤 류를 포함하는 분위기에서 기판을 가열하는 공정과, 오목부에 구리를 매립하는 공정을 포함하도록 반도체 장치의 제조 방법을 실시한다. 유기산, 유기산 무수물 또는 케톤 류는 구리에 대해 환원성을 가지므로, 합금막에 포함되는 구리의 산화를 억제하면서, 첨가 금속과 절연막 중의 구성 원소와의 화합물로 이루어지는 배리어 층을 형성할 수 있다.