公开(公告)号：KR1020110055706A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117007322

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마시타준 ,  이사가즈히로 ,  나카무라히데오 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32559 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32192

Abstract: 탑재대(5)에 매설된 전극(7)에 바이어스용의 고주파 전력을 공급하는 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 전극으로서의 탑재대(5)에 대해 대향전극으로서 기능하는 알루미늄제의 덮개부(27)의 플라즈마에 노출되는 표면에, 보호막(48), 바람직하게는 Y2O3막(48)이 코팅되어 있다. 처리용기(1)의 하측 부분을 이루는 제 1 부분(2)과 처리 용기(1)의 상측 부분을 이루는 제 2 부분(3)에는 절연성의 상부 라이너(49a)와, 더욱 두툼하게 형성된 절연성의 하부 라이너(49b)가 마련되어 있다. 바람직하지 않은 단락 및 이상 방전이 방지되고, 안정된 고주파 전류 경로가 형성된다.

Abstract translation: 在阶段5中，在等离子体处理装置100中的电极7用于偏压供给高频电力到埋在中，铝盖部，其用作用于在安装台作为电极5的对置电极（ 27在暴露于等离子体的表面上涂覆有保护膜48，优选为Y 2 O 3膜48。 构成处理容器1的下部的第一部分2和构成处理容器1的上部的第二部分3设置有绝热上衬层49a， 衬里49b被提供。 防止不希望的短路和异常放电，并形成稳定的高频电流路径。

公开(公告)号：KR1020100119547A

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：KR1020107017810

申请日：2009-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라히데오 ,  가베요시로 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76235 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7881

Abstract: 본 발명은 요철 형상을 갖는 실리콘의 산화 처리에 있어서, 측벽에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께를 바닥부에 비해서 매우 얇게 형성하는 것을 과제로 한다.
복수의 마이크로파 방사 구멍(32)을 갖는 평면 안테나판(31)에 의해 챔버(1) 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하고, 배치대(2)에 고주파 전력을 인가하면서, 처리 가스 내의 산소 비율이 0.1％ 이상 50％ 이하의 범위 내이며, 또한 처리 압력이 1.3 ㎩ 이상 667 ㎩ 이하의 범위 내인 조건에서 플라즈마를 생성시킨다. 이 플라즈마에 의해, 웨이퍼(W) 상에 형성된 요철 형상의 실리콘의 측벽면에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께와, 오목부의 바닥벽면에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께와의 비[측벽면의 막 두께/바닥벽면의 막 두께]가 0.6 이하의 범위 내가 되도록 한다.