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公开(公告)号：KR1020100061702A
公开(公告)日：2010-06-08
申请号：KR1020107006567
申请日：2008-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/31 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32495
Abstract: Provided is a plasma processing apparatus for plasma-processing a substrate to be processed. The plasma processing apparatus is provided with a metallic processing container (2) which forms a processing space (1) for performing plasma processing; a substrate placing table (3), which is arranged in the processing space (1) for placing a substrate (W) to be processed; a quartz member (4a), which shields a side wall of the metallic processing container (2) from the processing space (1), and has an lower end which extends downward from the substrate placing surface of the substrate placing table (3); an annular quartz member (6), which is arranged between the bottom surface of the quartz member (4a) and the bottom wall (2b) of the metallic processing container (2), and blocks the bottom wall (2b) of the metallic processing container (2) from the processing space (1); and a processing gas introducing section for introducing a processing gas into the processing space (1) from the vicinity of the outer circumference of the substrate placing table (3).
Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，用于对待处理的基板进行等离子体处理。 等离子体处理装置设置有形成用于进行等离子体处理的处理空间（1）的金属处理容器（2） 布置在处理空间（1）中以放置待处理的基板（W）的基板放置台（3） 将金属加工容器（2）的侧壁与处理空间（1）进行屏蔽的石英部件（4a），并且具有从基板载置台（3）的基板载置面朝下方延伸的下端部; 布置在石英件（4a）的底表面和金属加工容器（2）的底壁（2b）之间的环形石英件（6），并且将金属加工件的底壁（2b） 来自处理空间（1）的容器（2）; 以及处理气体导入部，用于将处理气体从基板载置台（3）的外周附近引入处理空间（1）。
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公开(公告)号：KR100912971B1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：KR1020070023704
申请日：2007-03-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/68742 , H01L21/68757 , H01L21/68785
Abstract: 각 핀 고정부는 리프터 아암에 형성된 관통 구멍에 끼워맞춰지고, 플랜지부, 유동부, 나사 결합부 및 핀 관통 구멍을 포함한다. 핀의 하단부는 핀 관통 구멍에 나사 고정되어 있다. 유동부는 관통 구멍에 유격 끼워맞춤되고, 플랜지부는 리프터 아암의 상면에 접촉하고 있다. 나사 결합부는 관통 구멍으로부터 하방으로 돌출하여 있다. 하측 지지부는 나사 결합부에 나사 결합되고, 리프터 아암의 하면에 접촉하고 있다.
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公开(公告)号：KR1020080000684A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：KR1020077028247
申请日：2006-05-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32633 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31654 , H01L21/31662 , H01L21/3185
Abstract: In a plasma oxidation treatment apparatus (100), double plates (60) are arranged above a susceptor (2). An upper plate (61) and a lower plate (62) are composed of a dielectric material such as quartz, separately arranged in parallel at a prescribed interval, for instance an interval of 5mm, and have a plurality of through holes (61a, 62a). The two plates are arranged one over another by shifting the positions so that the through hole (62a) of the lower plate (62) and the through hole (61a) of the upper plate (61) are not overlapped.
Abstract translation: 在等离子体氧化处理装置（100）中，在基座（2）的上方配置有双板（60）。 上板（61）和下板（62）由石英等电介质材料构成，分开地以规定的间隔平行布置，例如间隔5mm，并具有多个通孔（61a，62a） ）。 通过移动位置使两个板彼此重叠，使得下板（62）的通孔（62a）和上板（61）的通孔（61a）不重叠。
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公开(公告)号：KR101197992B1
公开(公告)日：2012-11-05
申请号：KR1020107006566
申请日：2008-09-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마시타준
IPC: H01L21/3065 , C23C16/455 , C23C16/511
CPC classification number: H01J37/32834 , H01J37/32192 , H01J37/32623
Abstract: 기판에 플라즈마 처리를 하는 플라즈마 처리 장치는 내부 공간(15)을 형성하는 처리 용기(2)와, 상기 내부 공간(15)내에 마련되고, 피처리 기판(W)이 탑재되는 기판 탑재대(3)와, 상기 내부 공간(15)내에 마련되고, 이 내부 공간(15)의 내경(a15)보다도 작은 내경(a1)을 가지며, 상기 기판 탑재대의 위쪽으로 플라즈마 처리를 실행하는 처리 공간(1)을 구획하는 처리 공간 형성 부재(16)와, 상기 처리 공간 형성 부재(16)의 상단부(16a)와 상기 내부 공간(15)의 내벽의 사이에 마련되고, 상기 처리 공간(1)으로부터 가스를 배기하는 배기구(6)를 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020080098386A
公开(公告)日：2008-11-07
申请号：KR1020087020954
申请日：2007-02-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마시타준
IPC: H01L21/683 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/02238 , H01J37/20 , H01J37/32192 , H01J2237/2001 , H01L21/02252 , H01L21/31662 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/68742
Abstract: Provided is a plasma treatment apparatus, which comprises a chamber for accommodating a substrate to be treated, a plasma generating mechanism for generating a plasma in the chamber, a treating gas feeding mechanism for feeding a treating gas into the chamber, an evacuation mechanism connected to the chamber for evacuating the chamber, a substrate placing bed placing the treated substrate in the chamber and including a placing bed body and a heating element for heating the substrate mounted in the body, a supporting unit for supporting the substrate placing bed, a fixing unit for fixing the supporting unit in the chamber, and electrodes for feeding an electric power to the heating element. The heating element and the electrodes are made of a material containing SiC. The electrodes are fixed in the fixing unit and extended through the supporting unit so that their leading end portions are connected with the heating element. Further comprised are electrode covering members which are made of an insulating material containing quartz and disposed to cover the electrodes but for the leading end portions and to extend through the portion of the substrate placing bed below the heating element, the supporting unit and the fixing unit.
Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，其包括用于容纳待处理的基板的室，用于在室中产生等离子体的等离子体产生机构，用于将处理气体输送到室中的处理气体供给机构，连接到 所述室用于抽空所述室，将处理过的基板放置在所述室中的基板放置床，并且包括放置床体和用于加热安装在所述主体中的所述基板的加热元件，用于支撑所述基板放置床的支撑单元，固定单元 用于将支撑单元固定在室中，以及用于将电力馈送到加热元件的电极。 加热元件和电极由含有SiC的材料制成。 电极固定在定影单元中并延伸穿过支撑单元，使得它们的前端部分与加热元件连接。 还包括由绝缘材料制成的电极覆盖部件，该绝缘材料包含石英并被设置为覆盖电极但是用于前端部并且延伸穿过加热元件下方的基板放置床的部分，支撑单元和固定单元 。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070092686A
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：KR1020070023704
申请日：2007-03-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/68742 , H01L21/68757 , H01L21/68785 , H01L21/68714 , Y10S414/141
Abstract: A lifter and an apparatus for treating a target object with the same are provided to prevent the damage of a pin by aligning easily the pin and a pin insertion hole with each other in a treating apparatus assembling process and to prevent the generation of a transfer error of the target object by preventing the pin from being adsorbed onto the target object. A plurality of pins are inserted into a plurality of holes through a mounting unit. The pins are capable of supporting a target object. A lifter arm is used for supporting the pins. Pin fixing parts(102) are used for fixing the pins to the lifter arm. The pin fixing part is inserted into a through hole of the lifter arm. The pin fixing part includes a movable portion(102b) inserted into the through hole of the lifter arm, a support portion connected onto the movable portion, a connection portion, and a stopper portion. The connection portion is connected to a lower portion of the movable portion and protruded from a lower portion of the through hole. The stopper portion is connected to the connection portion. The stopper portion contacts a lower surface of the lifter arm. The pin fixing part is capable of being moved in a lateral direction due to a gap around the movable portion.
Abstract translation: 提供了一种用于处理目标物体的升降机和装置，以通过在处理装置组装过程中容易地将销和销插入孔彼此对准来防止销的损坏，并且防止产生传递误差 通过防止销被吸附到目标物体上。 多个销通过安装单元插入多个孔中。 引脚能够支持目标对象。 升降臂用于支撑销。 针固定部件（102）用于将销固定到升降臂。 销钉固定部分插入升降臂的通孔中。 针固定部分包括插入升降臂的通孔中的可动部分（102b），连接到可动部分上的支撑部分，连接部分和止动部分。 连接部分连接到可动部分的下部并且从通孔的下部突出。 止动部分连接到连接部分。 止动部接触升降臂的下表面。 销固定部能够由于可动部周围的间隙而在横向方向上移动。
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公开(公告)号：KR101434054B1
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020120149112
申请日：2012-12-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H05B6/6402 , H05B6/6426 , H05B6/70 , H05B6/707 , H05B6/72 , H05B6/806
Abstract: 전력의 이용 효율 및 가열 효율에 우수하고, 피처리체에 대하여 균일한 처리를 실행할 수 있는 마이크로파 가열 처리 장치 및 처리 방법을 제공한다. 마이크로파 가열 처리 장치(1)에서는, 처리 용기(2)의 천장부(11)에서, 4개의 마이크로파 도입 포트(10)는, 각각, 그 장변과 단변이 4개의 측벽부(12A, 12B, 12C, 12D)의 내벽면에 평행해지고, 또한 서로 90° 각도를 변경한 회전 위치에 배치되어 있다. 각 마이크로파 도입 포트(10)는 각각의 장변에 수직인 방향으로 평행 이동시켰을 경우에, 평행한 장변을 갖는 다른 마이크로파 도입 포트(10)에 겹치지 않도록 배치되어 있다.
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公开(公告)号：KR101258005B1
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020117007322
申请日：2009-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32559 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32192
Abstract: 탑재대(5)에 매설된 전극(7)에 바이어스용의 고주파 전력을 공급하는 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 전극으로서의 탑재대(5)에 대해 대향전극으로서 기능하는 알루미늄제의 덮개부(27)의 플라즈마에 노출되는 표면에, 보호막(48), 바람직하게는 Y2O3막(48)이 코팅되어 있다. 처리용기(1)의 하측 부분을 이루는 제 1 부분(2)과 처리 용기(1)의 상측 부분을 이루는 제 2 부분(3)에는 절연성의 상부 라이너(49a)와, 더욱 두툼하게 형성된 절연성의 하부 라이너(49b)가 마련되어 있다. 바람직하지 않은 단락 및 이상 방전이 방지되고, 안정된 고주파 전류 경로가 형성된다.
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公开(公告)号：KR1020110055706A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020117007322
申请日：2009-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32559 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32192
Abstract: 탑재대(5)에 매설된 전극(7)에 바이어스용의 고주파 전력을 공급하는 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 전극으로서의 탑재대(5)에 대해 대향전극으로서 기능하는 알루미늄제의 덮개부(27)의 플라즈마에 노출되는 표면에, 보호막(48), 바람직하게는 Y2O3막(48)이 코팅되어 있다. 처리용기(1)의 하측 부분을 이루는 제 1 부분(2)과 처리 용기(1)의 상측 부분을 이루는 제 2 부분(3)에는 절연성의 상부 라이너(49a)와, 더욱 두툼하게 형성된 절연성의 하부 라이너(49b)가 마련되어 있다. 바람직하지 않은 단락 및 이상 방전이 방지되고, 안정된 고주파 전류 경로가 형성된다.
Abstract translation: 在阶段5中，在等离子体处理装置100中的电极7用于偏压供给高频电力到埋在中，铝盖部，其用作用于在安装台作为电极5的对置电极（ 27在暴露于等离子体的表面上涂覆有保护膜48，优选为Y 2 O 3膜48。 构成处理容器1的下部的第一部分2和构成处理容器1的上部的第二部分3设置有绝热上衬层49a， 衬里49b被提供。 防止不希望的短路和异常放电，并形成稳定的高频电流路径。
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公开(公告)号：KR1020100075862A
公开(公告)日：2010-07-05
申请号：KR1020107006566
申请日：2008-09-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마시타준
IPC: H01L21/3065 , C23C16/455 , C23C16/511
CPC classification number: H01J37/32834 , H01J37/32192 , H01J37/32623
Abstract: A plasma processing apparatus is provided for performing plasma processing to a substrate to be processed. The plasma processing apparatus is provided with a processing container (2) which forms an internal space (15); a substrate placing table (3) arranged in the internal space (15) for placing the substrate (W); a processing space forming member (16), which is arranged in the internal space (15), has the inner diameter (a1) smaller than the inner diameter (a15) of the internal space (15), and partitions a processing space (1) above the substrate placing table (3) for performing plasma processing; and an exhaust port (6) arranged between an upper end portion (16a) of the processing space forming member (16) and an inner wall (15a) of the internal space (15) for exhausting gas from the processing space (1).
Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，用于对待处理的基板进行等离子体处理。 等离子体处理装置设置有形成内部空间（15）的处理容器（2）。 布置在所述内部空间（15）中用于放置所述基板（W）的基板放置台（3）; 布置在内部空间（15）中的处理空间形成构件（16）具有比内部空间（15）的内径（a15）小的内径（a1），并且将处理空间（1） ），用于进行等离子体处理; 以及布置在处理空间形成构件（16）的上端部分（16a）和用于从处理空间（1）排出气体的内部空间（15）的内壁（15a）之间的排气口（6）。
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