公开(公告)号：KR1020160024377A

公开(公告)日：2016-03-04

申请号：KR1020167000390

申请日：2014-04-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  하기와라아키히토

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68764

Abstract: 산화탄탈막(10)이존재하는실리콘기판(W)을스핀척(3)에보지시키고, 스핀척(3)과함께실리콘기판(W)을회전시키면서, 실리콘기판(W)에불화수소산과유기산을포함한혼합수용액을공급한다. 이것에의해산화탄탈막(10)에불화수소산과유기산을포함한혼합수용액이접촉해서이러한화학반응에의해산화탄탈막(10)이제거된다.

Abstract translation: 在氧化钽膜除去方法和装置中，将具有氧化钽膜的硅衬底支撑在旋转卡盘上。 将包含氢氟酸和有机酸的混合水溶液供给到硅衬底，同时使硅衬底与旋转卡盘一起旋转。 混合水溶液与存在于硅衬底上的氧化钽膜接触，以通过它们之间的化学反应除去氧化钽膜。

公开(公告)号：KR1020150023933A

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：KR1020157002885

申请日：2013-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나이겐스케 ,  도바시가즈야

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01J37/3244 ,  B08B7/005 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32743 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: 진공으로 유지된 처리 용기(1) 내에 가스를 분사하여 단열 팽창에 의해 가스 클러스터를 생성하고, 생성한 가스 클러스터를 피처리 기판(S)에 조사하는 가스 클러스터 조사 기구(10)를 개시한다. 가스 클러스터 조사 기구(10)는, 복수의 가스 분사 노즐(17)을 가지는 노즐 유닛(11)과, 노즐 유닛(11)에 가스를 공급하는 가스 공급부(12)를 구비한다. 가스 분사 노즐(17)의 개수는, 가스 분사 노즐(17)로부터 가스가 필요한 유량으로 공급되었을 때에 도달하는 처리 용기(1) 내의 압력이, 가스 클러스터를 파괴하지 않는 정도의 압력이 되는 개수로 설정된다. 또한, 가스 분사 노즐(17)은, 인접하는 것 끼리가, 이들로부터 분사된 가스 중 가스 클러스터의 형성에 기여하지 않았던 잔류 가스가 퍼지는 범위가 서로 겹치지 않도록 배치된다.

Abstract translation: 气体簇照射机构包括具有多个气体喷射喷嘴的至少一个喷嘴单元和用于将气体供给到喷嘴单元的气体供给单元。 多个气体喷射喷嘴被设定为使得当气体以预定流量从气体喷射喷嘴供应时，处理室中的压力保持低于气体簇开始被破坏的极限。 此外，气体喷射喷嘴以相邻的气体喷射喷嘴之间的预设间隔布置，使得来自相邻气体喷射喷嘴的残留气体彼此不重叠的各个区域彼此不重叠，残留气体是从 气体注入喷嘴，并且不有助于气体簇的产生。

公开(公告)号：KR1020150021462A

公开(公告)日：2015-03-02

申请号：KR1020140106977

申请日：2014-08-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  이나이겐스케

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/67028 ,  A47L5/38 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/67034 ,  H01L2021/60187

Abstract: 본 발명은 기판의 표면에 가스 클러스터를 조사하여 파티클의 제거를 실행할 때, 기판 상의 패턴 무너짐을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것에 관한 것이다. 또한, 기판 세정 장치의 소형화에 기여할 수 있는 기술을 제공하는 것에 관한 것이다. 웨이퍼(W)의 표면에 가스 클러스터를 조사하여 파티클을 제거하는 기판 세정 장치에 있어서, 노즐부(6)를 선회 아암(42b)에 의해 선회시키고, 웨이퍼(W)의 중심부와 주연부 사이에 조사 영역을 형성하여, 회전 스테이지(32)에 탑재된 웨이퍼(W)를 회전시켜서 파티클을 제거하도록 하고 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)를 X축 방향, Y축 방향으로 이동시킬 필요가 없기 때문에, 세정 처리실(31)을 소형화할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)에 수직으로 가스 클러스터를 조사하기 때문에, 웨이퍼(W) 상에 오목부(8)의 패턴이 형성되어 있는 경우에는 패턴 무너짐을 억제할 수 있다.

Abstract translation: 本发明提供一种技术，当通过将气体簇辐射到基板的表面上进行颗粒去除时，可以抑制基板上的图案的塌陷。 此外，提供了可以有助于使基板清洁装置最小化的技术。 通过将气体簇照射到晶片（W）的表面上来去除颗粒的基板清洗装置是通过在将喷嘴单元（6）转动了旋转台（32）之后旋转安装在旋转台（32）上的晶片（W） 转动臂（42b），然后在晶片（W）的中心部分和周边部分之间形成辐射区域。 因此，由于晶片（W）不必在X轴方向和Y轴方向上移动，所以可以使清洗室（31）最小化。 此外，由于气体簇垂直地照射到晶片（W）上，当在晶片（W）上形成凹部单元（8）的图案时，可以抑制图案塌陷。

公开(公告)号：KR101497199B1

公开(公告)日：2015-02-27

申请号：KR1020127027213

申请日：2011-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  후세다카시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051

Abstract: 피세정물이 부착된 기판을 세정하는 기판 세정 장치에 있어서, 세정제 분자가 복수 집합해서 이루어지는 클러스터를 상기 기판에 분사하는 클러스터 분사 수단과, 상기 세정제 분자의 클러스터를 분사하는 것에 의해서 제거된 피세정물을 흡인하는 흡인 수단과, 상기 기판 및 상기 클러스터 분사 수단을, 피세정물이 부착된 기판의 면을 따라 상대 이동시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020140138234A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：KR1020147027264

申请日：2013-02-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠

Inventor： 마츠오지로 ,  세키도시오 ,  아오키다카아키 ,  도바시가즈야 ,  이나이겐스케 ,  사이토미사코

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67023 ,  H01L22/12 ,  H01L21/02057

Abstract: 기판 표면에 부착한 파티클을 높은 제거율로 제거할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
기판인 웨이퍼(W)에 부착하고 있는 파티클(100)에 대해 입경을 포함하는 파티클 정보(74)를 취득하고, 이 파티클 정보(74)에 근거하여, 세정용의 가스의 원자 또는 분자의 집합체인 가스 클러스터(200)의 입경에 관한 인자, 예를 들면 가스 압력을 조정한다. 그 후, 웨이퍼(W)가 배치되는 처리 분위기보다 압력이 높은 영역으로부터, 처리 분위기로 상기 세정용의 가스를 토출하고, 단열 팽창에 의해 상기 가스 클러스터(200)를 생성시킨다. 이 가스 클러스터(200)를 웨이퍼(W)의 표면에 수직으로 조사하면, 파티클(100)의 입경에 대응하는 입경의 가스 클러스터(200)에 의해 세정 처리를 행할 수 있고, 그 결과, 웨이퍼(W)의 표면에 회로 패턴을 위한 오목부(81)가 형성되어 있어도 오목부(81) 내의 파티클(100)을 높은 제거율로 제거할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130000365A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020120131554

申请日：2012-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  후세다카시 ,  호시노사토히코 ,  세노오다케히코 ,  요시노유

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/306 ,  C23C14/02 ,  C23C14/165 ,  C23C14/568 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: PURPOSE: A vacuum processing apparatus, a vacuum processing method and a micro-machining apparatus are provided to make porous the surface of a silicon based material by using gas clusters and to maintain the surface clean. CONSTITUTION: A first vacuum chamber(31) includes a first holding portion. The first holding portion maintains a silicon based material. A nozzle unit(5) forms gas clusters consisting of atoms or molecules of a process gas. The gas clusters are discharged on the silicon based material in order to form porous silicon based material. [Reference numerals] (3) Minute processing module; (31) First vacuum room; (32) Arrangement stand; (34) Y moving object; (35) Y guide; (36) X moving object; (37) X guide; (38) Inlet; (5) Nozzle unit; (55) Pressure control unit; (G3) Gate valve

Abstract translation: 目的：提供真空处理设备，真空处理方法和微加工设备，以通过使用气体团簇使硅基材料的表面多孔化并且保持表面清洁。 构成：第一真空室（31）包括第一保持部分。 第一保持部分保持硅基材料。 喷嘴单元（5）形成由工艺气体的原子或分子组成的气体簇。 为了形成多孔硅基材料，将气体簇排放在硅基材料上。 （附图标记）（3）分钟处理模块; （31）第一真空室; （32）安排; （34）Y移动物体; （35）Y导轨; （36）X移动物体; （37）X导轨; （38）进口; （5）喷嘴单元; （55）压力控制单元; （G3）闸阀

公开(公告)号：KR100853388B1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：KR1020077005759

申请日：2004-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간난히로시 ,  다무라노보루 ,  도바시가즈야

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  B08B7/0035 ,  C23G5/00 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 본 발명은 가스 입구와 가스 출구를 갖추고 있고 주회로를 형성하는 가스 통로와, 이 가스 통로의 일부에 권취된 코일을 포함하는 토로이달형 플라즈마 발생 장치에서의 플라즈마 발생 방법은 상기 가스 통로 안에 적어도 5%의 NF
3 를 함유하는 Ar 가스와 NF
3
가스의 혼합 가스를 공급하고, 상기 코일을 고주파 전력에 의해 구동하여 플라즈마를 착화하는 공정을 포함하며, 상기 플라즈마 착화 공정은 6.65∼66.5 Pa의 전체 압력 하에서 실행된다.

公开(公告)号：KR100797498B1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：KR1020057024535

申请日：2004-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간난히로시 ,  다무라노보루 ,  도바시가즈야

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01J37/321 ,  B08B7/0035 ,  C23G5/00 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 본 발명은 가스 입구와 가스 출구를 갖추고 있고 주회로를 형성하는 가스 통로와, 이 가스 통로의 일부에 권취된 코일을 포함하는 토로이달형 플라즈마 발생 장치에서의 플라즈마 발생 방법은 상기 가스 통로 안에 적어도 5%의 NF
3 를 함유하는 Ar 가스와 NF
3
가스의 혼합 가스를 공급하고, 상기 코일을 고주파 전력에 의해 구동하여 플라즈마를 착화하는 공정을 포함하며, 상기 플라즈마 착화 공정은 6.65∼66.5 Pa의 전체 압력 하에서 실행된다.

公开(公告)号：KR101800505B1

公开(公告)日：2017-11-22

申请号：KR1020150092221

申请日：2015-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: B08B5/02 ,  H01L21/67028

Abstract: 본발명의과제는가스클러스터를이용하여, 기판에대한파티클의재부착을억제하면서, 피처리기판에부착된파티클을높은제거율로제거하는것이다. 해결수단으로서, 처리용기내에피처리기판을배치하고그 내부를배기하여진공으로보지하고, 처리용기내의피처리기판을향하여, 하전가스클러스터를포함하는가스클러스터를조사하고, 하전가스클러스터를, 피처리기판에도달하기전에가속시키며, 가속된하전가스클러스터를포함하는가스클러스터를피처리기판에충돌시켜서피처리기판상의파티클을제거하고, 그때 대전된피처리기판및 파티클을제전하며, 피처리기판으로부터제거되고, 제전된파티클을배기류와함께처리용기로부터배출시킨다.

Abstract translation: 本发明要解决的问题是通过使用气体团簇来抑制颗粒与基板的重新附着，同时以高的去除率去除粘附到待处理基板的颗粒。 作为解决方案，将目标基板放置在处理容器中，将处理容器内部抽真空并保持在真空中，将包含充入气体簇的气体团簇朝处理容器中的目标基板照射， 在到达处理基板之前加速气体团簇，使包含加速充气气体团簇的气体团簇与目标基板碰撞以去除目标基板上的颗粒，此时排出带电的目标基板和颗粒， 将颗粒从基材上除去，并将排出的颗粒与排气流一起从处理容器排出。

公开(公告)号：KR1020170121258A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：KR1020177027268

申请日：2016-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  고시미즈치시오

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC classification number: B08B7/0035 ,  B08B5/00 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/67034

Abstract: 피처리체(S)가배치되고, 진공으로유지되는처리용기(1)와, 처리용기(1) 내를배기시키는배기기구(6)와, 가스클러스터를생성하기위한클러스터생성가스를포함하는가스를공급하기위한가스공급부(12)와, 처리용기(1) 내에설치되고, 가스공급부(12)로부터공급된클러스터생성가스를그 내부에서단열팽창시켜가스클러스터를생성시키고, 생성된가스클러스터를포함하는가스성분을처리용기(1) 내에분사하는클러스터노즐(11)과, 클러스터노즐(11) 부분에플라즈마를생성하는플라즈마생성기구(22)를구비하고, 클러스터노즐부분에서생성된플라즈마에의해가스클러스터가이온화되고, 이온화된가스클러스터가클러스터노즐(11)로부터분사되고, 피처리체(S)에조사하여미리정해진처리가행해진다.

Abstract translation: 待治疗受试者的（S）是气体设置之中，包括：处理容器（1）被保持在真空下，和用于排出处理容器（1），所述簇生成气体用于产生气体团簇的内部的排气机构（6） 和用于供给，在处理容器（1）被提供，通过从气体供给单元供给的聚集的产品气体的绝热膨胀的气体供给部12 12在其中产生气体团簇和，其中包括所产生的气体团簇 用于将气体成分注入到处理容器1内的簇喷嘴11和用于在簇喷嘴11处产生等离子体的等离子体产生机构22， 并且，从集束喷嘴11喷射离子化气体团簇，照射被处理物S，进行规定的处理。