公开(公告)号：KR1020040020820A

公开(公告)日：2004-03-09

申请号：KR1020030060523

申请日：2003-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간난히로시 ,  이시자카다다히로 ,  고지마야스히코 ,  오시마야스히로 ,  시게오카다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557

Abstract: PURPOSE: To provide a treatment apparatus and treatment method capable of shortening the time for switching gaseous raw materials by shortening the time required for evacuation of the gaseous raw materials and of maintaining the temperature on a substrate surface under treatment constant. CONSTITUTION: The treating gases containing gaseous raw materials(TiCl4 and NH3) and inert gas(N2) are supplied into a treating vessel 2. The pressure in the treating vessel 2 is detected by a pressure gage 6 and the flow rate of the treating gases supplied into the treating vessel 2 is controlled in accordance with the result of the detection. Purging of the gaseous raw materials is performed by the inert gas. The flow rate as the entire part of the gaseous raw materials is controlled and the pressure in the treating vessel 2 is maintained constant by maintaining the flow rate of the treating gaseous raw material constant and by controlling the flow rate of the inert gas.

Abstract translation: 目的：提供一种处理装置和处理方法，其能够缩短气态原料的切换时间，缩短气体原料抽真空所需的时间，并将处理温度保持在处理常数上。 构成：将含有气态原料（TiCl 4和NH 3）和惰性气体（N 2）的处理气体供给到处理容器2.处理容器2中的压力由压力计6检测，处理气体的流量 根据检测结果来控制供应到处理容器2中。 气态原料的清除是通过惰性气体进行的。 通过保持处理气态原料的流量恒定并控制惰性气体的流量，控制作为气态原料的整个部分的流量，并且处理容器2中的压力保持恒定。

公开(公告)号：KR100566468B1

公开(公告)日：2006-03-31

申请号：KR1020030060525

申请日：2003-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야슈지 ,  고지마야스히코 ,  이시자카다다히로 ,  간난히로시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544

Abstract: 본 발명은 다수 종류의 원료 가스를 반응실로 1회에 1종류씩 공급하는 박막 형성 장치에서, 원료 가스의 공급을 고속으로 전환함으로써 처리 시간을 감소시키는 박막 형성 장치 및 방법에 관한 것이다. 공급로를 반응실로 연결하여 원료 가스 및 불활성 가스를 반응실로 공급한다. 원료 가스 각각을 공급로로 공급하기 위한 원료 가스 공급 개구부를 공급로에 제공한다. 원료 가스 공급 개구부를 개폐하기 위한 원료 가스 밸브를 또한 공급로에 제공한다.

公开(公告)号：KR1020050101573A

公开(公告)日：2005-10-24

申请号：KR1020057016308

申请日：2004-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시마야스히로 ,  고지마야스히코 ,  시게오카다카시 ,  간난히로시 ,  이시자카다다히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: A method of rapidly forming a thin film of high quality through film formation by alternate feeding of raw gases. In particular, a method of forming a TiN thin film, comprising repeating operations including causing TiCl4 gas as a raw gas to be adsorbed on a substrate or TiCl4 molecules adsorbed on a substrate and feeding NH3 gas as a reactant gas in a treating chamber so as to effect reaction of TiCl4 and NH3 leading to formation of a TiN film, which method further comprises an operation of, prior to the adsorption of TiCl4 gas on the substrate, feeding reducing H2 gas in the treating chamber (30) so as to change TiCl4 to a state of enhanced likelihood of adsorption on the substrate (e.g., TiCl3).

Abstract translation: 通过交替进料原料气体，通过成膜快速形成高质量的薄膜的方法。 特别是形成TiN薄膜的方法，其特征在于，包括使作为原料气体的TiCl 4气体吸附在基板上的重复操作或吸附在基板上的TiCl 4分子，将NH 3气体作为反应气体供给到处理室中， 以实现TiCl 4和NH 3的反应，导致TiN膜的形成，该方法还包括在将TiCl 4气体吸附在衬底上之前，在处理室（30）中进料还原H 2气体以改变TiCl 4 达到在底物上吸附的可能性增加的状态（例如，TiCl 3）。

公开(公告)号：KR1020040101487A

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：KR1020047016441

申请日：2003-04-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간난히로시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103

Abstract: 챔버(12) 내의 탑재 부재(21) 상에는 피처리체(W)가 탑재된다. 탑재 부재(21)는 저저항층(25)을 구비하고 있다. 전원(28)은 챔버(12)의 외부에 설치된 유도 코일(27)에 전류를 흘림으로써, 유도 코일(27)의 주위에 자계를 형성한다. 저저항층(25)은 형성된 자계에 의해 생기는 유도 가열에 의해 가열되고, 탑재 부재(21) 상에 탑재된 피처리체(W)를 가열한다.

公开(公告)号：KR1020140119066A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020147021296

申请日：2013-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토도시카즈 ,  간난히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139 ,  H01L22/10 ,  H01L22/20 ,  H05H1/0037 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: [과제] 1회의 매엽 플라즈마 처리 중에 플라즈마 프로세스의 변동이나 불균일을 정밀하게 억제한다.
[해결수단] OES 계측부(110)는, 각 단계의 종료시 또는 종료 직후에 분광 계측치(MOES
i )를 출력한다. CD 추정부(140)는, 추정 모델 기억부(142)로부터 받아들이는 CD 추정 모델(AM
i )과 분광 계측치(MOES
i )를 이용하여 각 단계분의 CD 추정치(ACD
i )를 구한다. 프로세스 제어부(132)는, 다음 단계에 있어서, 레시피 기억부(136)로부터 받아들인 다음 단계분의 프로세스 조건 설정치(PC
i
+1 ) 및 제어 모델 기억부(138)로부터 받아들인 다음 단계분의 프로세스 제어 모델(CM
i
+1 )에 더하여, CD 추정부(140)로부터 수취한 앞 단계분의 CD 추정치(ACD
i )를 제어 대상(130)의 자동 제어에 이용한다.

公开(公告)号：KR100853388B1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：KR1020077005759

申请日：2004-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간난히로시 ,  다무라노보루 ,  도바시가즈야

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  B08B7/0035 ,  C23G5/00 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 본 발명은 가스 입구와 가스 출구를 갖추고 있고 주회로를 형성하는 가스 통로와, 이 가스 통로의 일부에 권취된 코일을 포함하는 토로이달형 플라즈마 발생 장치에서의 플라즈마 발생 방법은 상기 가스 통로 안에 적어도 5%의 NF
3 를 함유하는 Ar 가스와 NF
3
가스의 혼합 가스를 공급하고, 상기 코일을 고주파 전력에 의해 구동하여 플라즈마를 착화하는 공정을 포함하며, 상기 플라즈마 착화 공정은 6.65∼66.5 Pa의 전체 압력 하에서 실행된다.

公开(公告)号：KR100797498B1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：KR1020057024535

申请日：2004-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간난히로시 ,  다무라노보루 ,  도바시가즈야

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01J37/321 ,  B08B7/0035 ,  C23G5/00 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 본 발명은 가스 입구와 가스 출구를 갖추고 있고 주회로를 형성하는 가스 통로와, 이 가스 통로의 일부에 권취된 코일을 포함하는 토로이달형 플라즈마 발생 장치에서의 플라즈마 발생 방법은 상기 가스 통로 안에 적어도 5%의 NF
3 를 함유하는 Ar 가스와 NF
3
가스의 혼합 가스를 공급하고, 상기 코일을 고주파 전력에 의해 구동하여 플라즈마를 착화하는 공정을 포함하며, 상기 플라즈마 착화 공정은 6.65∼66.5 Pa의 전체 압력 하에서 실행된다.

公开(公告)号：KR100715065B1

公开(公告)日：2007-05-07

申请号：KR1020057016308

申请日：2004-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시마야스히로 ,  고지마야스히코 ,  시게오카다카시 ,  간난히로시 ,  이시자카다다히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 원료로 되는 가스를 교대로 공급하므로써 성막을 실행하는 박막의 형성으로서 고품질의 박막을 신속히 형성하는 방법에 관한 것으로, 원료가스인 TiCl
4 가스를 기판상 혹은 기판에 흡착하고 있는 TiCl
4 의 분자상에 흡착시키고, 반응가스인 NH
3 가스를 처리용기내에 공급하여, 이 NH
3 와 TiCl
4 를 반응시켜 TiN을 성막하는 공정을 갖고, 이들의 공정을 되풀이하여 실시하므로써 TiN 박막을 형성하는 방법에 있어서, 또한 TiCl
4 가스가 기판상에 흡착하기 전에, 환원성을 갖는 H
2 가스를 처리용기 내에 공급하여, TiCl
4 를 기판에 흡착하기 쉬운 상태(예컨대, [TiCl
3 ]
+ )로 변화시키는 공정을 마련한다.

公开(公告)号：KR1020040020821A

公开(公告)日：2004-03-09

申请号：KR1020030060525

申请日：2003-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야슈지 ,  고지마야스히코 ,  이시자카다다히로 ,  간난히로시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544

Abstract: PURPOSE: To provide a thin film forming apparatus which alternately supplies gaseous raw materials and can rapidly switch the supply of the gaseous raw materials and a method for the same. CONSTITUTION: When diaphragm energizing mechanisms 86-a and 86-b energize a diaphragm valve 83 to a casing side, a supply side aperture 92 of a supply line 91 for TiCl4 which is disposed in the upper face of a projecting part 85 and is connected to a supply line 21 of N2 is completely and directly shut off.

Abstract translation: 目的：提供交替供应气态原料并可快速切换气态原料供应的薄膜形成装置及其方法。 构成：当隔膜通电机构86-a和86-b将隔膜阀83通电到壳体侧时，设置在突出部分85的上表面中并连接的用于TiCl4的供应线91的供应侧孔92 到N2的供应管线21完全和直接关闭。

公开(公告)号：KR1020070037658A

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：KR1020077005759

申请日：2004-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 간난히로시 ,  다무라노보루 ,  도바시가즈야

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  B08B7/0035 ,  C23G5/00 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 본 발명은 가스 입구와 가스 출구를 갖추고 있고 주회로를 형성하는 가스 통로와, 이 가스 통로의 일부에 권취된 코일을 포함하는 토로이달형 플라즈마 발생 장치에서의 플라즈마 발생 방법은 상기 가스 통로 안에 적어도 5%의 NF
3 를 함유하는 Ar 가스와 NF
3
가스의 혼합 가스를 공급하고, 상기 코일을 고주파 전력에 의해 구동하여 플라즈마를 착화하는 공정을 포함하며, 상기 플라즈마 착화 공정은 6.65∼66.5 Pa의 전체 압력 하에서 실행된다.