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公开(公告)号：KR101852310B1
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：KR1020170160011
申请日：2017-11-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/32651 , H01J2237/334
Abstract: 플라즈마처리장치는제 1 및제 2 안테나소자를구비한고주파안테나를포함한다. 제 1 안테나소자의일단부는접지되고, 타단부는고주파전원에접속된다. 제 2 안테나소자의일단부는개방단이고, 또한타단부는제 1 안테나소자의일단부및 타단부의한쪽에접속되고, 제 2 안테나소자의선로길이는 ((λ/4) + nλ/2)(λ는진공중의고주파의파장이며, n는자연수)에단축율을곱한값이다. 고주파전원으로부터고주파안테나측을보았을때의회로는, 고주파전력의주파수를변경했을때에, 임피던스조정부의조정에의해 2개의공진주파수가나타나도록구성되어있다.
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公开(公告)号：KR101757922B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100105166
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
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公开(公告)号：KR101757920B1
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020100105133
申请日：2010-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H05H1/46
Abstract: 본발명은유도결합형의플라즈마프로세스에있어서전기적으로플로팅상태에놓이는코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하기위한것이다. 본발명의유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향으로임의로제어하기때문에, 콘덴서를갖는플로팅코일(70)이 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자기장더 나아가서는챔버(10)내에서생성되는도넛형상의플라즈마의플라즈마밀도분포에대해소극적인작용혹은적극적인작용을얻는다.
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公开(公告)号：KR101720373B1
公开(公告)日：2017-03-27
申请号：KR1020130066588
申请日：2013-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 장치의구성을간소화할수 있음과아울러, 플라즈마의생성효율의저하를방지할수 있는플라즈마처리장치를제공한다. 플라즈마처리장치(10)는, 챔버(11)와, 상기챔버(11)의내부에배치되어기판 S를탑재하는탑재대(12)와, 챔버(11)의외부에있어서탑재대(12)와대향하도록배치되어고주파전원(26)에접속되는 ICP 안테나(13)와, 탑재대(12) 및 ICP 안테나(13)의사이에개재하는, 도전체로이루어지는창 부재(14)를구비하며, 창부재(14)는복수의분할편(27)으로분할되고, 복수의분할편(27)은서로절연됨과아울러도선(29)이나콘덴서부착된도선(30)으로접속되어폐회로(31)를형성한다.
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公开(公告)号：KR1020160130728A
公开(公告)日：2016-11-14
申请号：KR1020160144583
申请日：2016-11-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 유도결합형의플라즈마프로세스에있어서간이한보정코일을이용하여플라즈마밀도분포를자유롭고또한정밀하게제어하는것이다. 이유도결합형플라즈마처리장치는 RF 안테나(54)에근접하는유전체창(52)의아래에서유도결합의플라즈마를도넛형상으로생성하고, 이도넛형상의플라즈마를넓은처리공간내에서분산시켜, 서셉터(12) 근방(즉, 반도체웨이퍼 W상)에서플라즈마의밀도를평균화하도록하고있다. 그리고, 서셉터(12) 근방의플라즈마밀도분포를직경방향에서균일화하고, 또한 RF 안테나(54)가발생하는 RF 자계에대해보정링(70)에의해전자계적인보정을거는동시에, 프로세스조건에따라스위칭기구(110)에의해보정코일(70)의통전듀티비를가변하도록하고있다.
Abstract translation: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够通过使用简单的校正线圈来自由且精确地控制等离子体密度分布。 在电感耦合等离子体处理装置中，在RF天线54周围的电介质窗52下方的环形状中产生电感耦合等离子体，然后在大的处理空间中扩散，使得等离子体的密度在基座12周围变得均匀 （即，在半导体晶片W上），特别是在径向方向上。 RF天线54通过校正线圈70对所生成的RF磁场进行电磁场校正，并且根据预定的处理参数控制切换机构110在校正线圈70中流动的感应电流的占空比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160053824A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020150154648
申请日：2015-11-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H01J37/32651
Abstract: 본발명은, 피처리기판에대해플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치에있어서, 플라즈마밀도의면내분포를조정할수 있는기술을제공한다. 처리용기(1) 내의탑재대(21) 상에탑재된피처리기판 W에대해, 처리가스를플라즈마화하여플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치는유도결합에의해서처리가스를플라즈마화하는플라즈마발생부를구비한다. 플라즈마발생부의제 1 고주파안테나(541)는유전체창(53)을개재하여처리용기(10)에인접하여배치되는소용돌이코일로이루어진다. 제 2 고주파안테나(542)는제 1 고주파안테나(541)의외주측또는내주측에배치되는소용돌이코일로이루어진다. 또한, 임피던스조정부(62~64)는고주파전원(61)에서보았을때의회로의공진주파수를조정하고, 당해회로는고주파의주파수를바꾸어갈 때에, 2개의공진주파수가나타나도록구성되어있다.
Abstract translation: 本发明在等离子体处理装置中，对待处理的基板进行等离子体处理，提供能够调整等离子体密度的面内分布的技术。 对处理容器（1）中的安装台（21）上进行等离子体处理的等离子体处理装置，通过将处理气体制成等离子体，对等待处理的基板W进行等离子体处理，其特征在于，包括： 通过电感耦合进入等离子体。 等离子体产生部分的第一高频天线（541）由与处理容器（10）相邻布置的螺旋线圈组成，介电窗口（53）介于其间。 第二高频天线（542）由布置在第一高频天线（541）的外周侧或内周侧的螺旋线圈构成。 此外，当从高频功率（61）看时，阻抗调节部件（62-64）调节电路的谐振频率。 相应的电路配置为在改变高频波频率时显示两个共振频率。
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公开(公告)号：KR1020130141397A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020130068486
申请日：2013-06-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/509 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: The present invention installs a plasma processing unit which is separated to the rotation direction of a rotation table for each processing gas nozzle. The present invention installs a bias electrode unit in a position which is touched to the plasma processing unit through a rotation table in order not to be touched to the rotation table. The present invention is provided to apply bias voltage from a voltage applying unit to the bias electrode unit, thereby applying a non-touch bias voltage to a wafer (W) on the rotation table. [Reference numerals] (120) Bias electrode unit;(AA) Plasma generation gas;(BB) O_2 gas;(CC,DD) N_2 gas
Abstract translation: 本发明安装一个等离子体处理单元，该等离子体处理单元与每个处理气体喷嘴的旋转台的旋转方向分开。 本发明通过旋转台将偏置电极单元安装在与等离子体处理单元接触的位置，以便不与旋转台接触。 本发明提供用于将偏置电压从电压施加单元施加到偏置电极单元，从而对旋转台上的晶片（W）施加非触摸偏置电压。 （附图标记）（120）偏置电极单元;（AA）等离子体产生气体;（BB）O_2气体;（CC，DD）N_2气体
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公开(公告)号：KR101247833B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020117031581
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.Abstract translation: 根据本发明，上部电极34和下部电极，作为用于在晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置的上部电极34，以产生16及其表面之间的处理气体等离子体 表面的磁偏压V达到可以获得适当溅射效果的程度
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公开(公告)号：KR1020120110060A
公开(公告)日：2012-10-09
申请号：KR1020120031448
申请日：2012-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66
CPC classification number: G01K11/14 , G01K5/48 , H01L21/67248
Abstract: PURPOSE: A composition member within a process chamber of a substrate processing apparatus and a temperature measuring method thereof are provided to accurately measure temperature of a temperature measuring part based on the length difference of an optical path of two reflective lights reflected on a non-consumption face and a consumption face. CONSTITUTION: A chamber accepts a wafer(W). A susceptor(12) of circumferential shape is arranged within the chamber. A lateral part exhaust duct(13) is formed at the side of the susceptor and at an inner wall of the chamber. A exhaust plate(14) is used for as a partition plate which divides the inner wall of the chamber into a top portion and a bottom portion. A TMP(Turbo Molecular Pump) and a DP(Dry Pump) are connected to an exhaust pipe(17).
Abstract translation: 目的：提供基板处理装置的处理室内的组成部件及其温度测量方法，以基于在不消耗的反射的两个反射光的光路的长度差来精确地测量温度测量部件的温度 脸和消费面。 构成：室接受晶圆（W）。 周围形状的基座（12）布置在腔室内。 侧部排气管（13）形成在基座的侧面和室的内壁处。 排气板（14）用作将室的内壁分成顶部和底部的隔板。 TMP（涡轮分子泵）和DP（干式泵）连接到排气管17。
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公开(公告)号：KR1020120107520A
公开(公告)日：2012-10-02
申请号：KR1020127021941
申请日：2005-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 스기모토마사루 , 히나타구니히코 , 고바야시노리유키 , 고시미즈치시오 , 오타니류지 , 기비가즈오 , 사이토마사시 , 마츠모토나오키 , 오오야요시노부 , 이와타마나부 , 야노다이스케 , 야마자와요헤이 , 하나오카히데토시 , 하야미도시히로 , 야마자키히로키 , 사토마나부
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.
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