公开(公告)号：KR101024449B1

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：KR1020077029779

申请日：1999-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  다다구니히로 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: TiSiN막은 Cu의 확산을 방지하기 위해 반도체장치에 있어서 배리어 금속층으로서 이용된다. TiSiN막은 플라즈마 CVD 또는 열CVD에 의해 성막된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스 및 NH
3 가스는 열CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스, H
2 가스 및 N
2 가스는 플라즈마 CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다.

公开(公告)号：KR100983165B1

公开(公告)日：2010-09-20

申请号：KR1020097008625

申请日：1999-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  다다구니히로 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: TiSiN막은 Cu의 확산을 방지하기 위해 반도체장치에 있어서 배리어 금속층으로서 이용된다. TiSiN막은 플라즈마 CVD 또는 열CVD에 의해 성막된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스 및 NH
3 가스는 열CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다. TiCl
4 가스, 수소화 규소가스, H
2 가스 및 N
2 가스는 플라즈마 CVD에 의해 TiSiN막을 성막하는 경우에 성막가스로서 이용된다.

公开(公告)号：KR100436823B1

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：KR1019990036480

申请日：1999-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시 ,  아오키기미야 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/24

CPC classification number: C23C16/42 ,  H01L21/28518

Abstract: A first tungsten silicide layer relatively rich in silicon is formed on an object by using a process gas having a phosphorus atom-containing gas added thereto, and a second tungsten silicide layer relatively rich in tungsten is formed on the first tungsten silicide layer, so that a tungsten silicide film is formed. The addition amount of the phosphorus atom-containing gas to the process gas is 0.02 to 0.2% by volume "in terms of a phosphine gas".

Abstract translation: 通过使用添加有含磷原子的气体的工艺气体在物体上形成硅相对富含的第一硅化钨层，并且在第一钨硅化物层上形成钨较浓的第二钨硅化物层，使得 形成硅化钨膜。 含有磷原子的气体在处理气体中的添加量以“按照磷化氢气体计”为0.02〜0.2体积％。

公开(公告)号：KR1020020063206A

公开(公告)日：2002-08-01

申请号：KR1020027007343

申请日：1999-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠키하야시 ,  다다구니히로 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L23/485 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: TiSiN막은 Cu의확산을방지하기위해반도체장치에있어서배리어금속층으로서이용된다. TiSiN막은플라즈마 CVD 또는열CVD에의해성막된다. TiCl가스, 수소화규소가스및 NH가스는열CVD에의해 TiSiN막을성막하는경우에성막가스로서이용된다. TiCl가스, 수소화규소가스, H가스및 N가스는플라즈마 CVD에의해 TiSiN막을성막하는경우에성막가스로서이용된다.

Abstract translation: 使用TiSiN膜作为半导体器件的阻挡金属层，以防止Cu的扩散。 TiSiN膜通过等离子体CVD法或热CVD法形成。 使用TiCl 4气体，氢化硅气体和NH 3气体作为用于通过热CVD法形成TiSiN膜的源气体。 使用TiCl 4气体，氢化硅气体，H 2气体和N 2气体作为用于通过等离子体形成TiSiN膜的源气体 CVD工艺。

公开(公告)号：KR1020000022806A

公开(公告)日：2000-04-25

申请号：KR1019990036480

申请日：1999-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시 ,  아오키기미야 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/24

CPC classification number: C23C16/42 ,  H01L21/28518

Abstract: PURPOSE: A methode for forming a tungsten silicide film is provided to arrange a decis ion direction of a tungsten silicide by adding a phosphorous atom-containing gas to a process gas. CONSTITUTION: A methode for forming a tungsten silicide film comprises the steps of: forming a first tungsten silicide layer(5) on an object by using a process gas adding a phosphorus atom-containing gas; and forming a second tungsten silicide layer(6) on the first tungsten silicide layer. The first tungsten silicide layer is formed by using the phosphorous atom-containing gas. The second tungsten silicide layer is formed by not using the phosphorous atom-containing gas, or a little amount of phosphorous atom-containing gas.

Abstract translation: 目的：提供一种形成硅化钨膜的方法，通过向处理气体中加入含磷原子的气体来布置硅化钨的决定方向。 构成：形成硅化钨膜的方法包括以下步骤：通过使用加入含磷原子的气体的工艺气体在物体上形成第一硅化钨层（5）; 以及在所述第一硅化钨层上形成第二硅化钨层（6）。 通过使用含磷原子的气体形成第一硅化钨层。 通过不使用含磷原子的气体或少量含磷原子的气体形成第二硅化钨层。