公开(公告)号：KR100854543B1

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：KR1020037011210

申请日：2002-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야신고 ,  아키야마고지 ,  후루사와요시카즈 ,  아오키기미야

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  Y10S438/909

Abstract: 웨이퍼의 전체에 걸쳐 막두께 및 막질에 있어서 균일성이 높은 양질의 산화막을 유리하게 형성할 수 있는 산화막 형성방법을 제공하는 것. 산화막 형성방법은, 반응용기내에 배치된 웨이퍼에 대해서, 감압조건하에서, 활성산화종 또는 활성산화종을 포함하는 분위기에 의한 산화처리를 하는 것에 의해, 웨이퍼의 표면에 보호산화막을 형성하는 전처리공정과, 이 웨이퍼에 대해서, 감압조건하에서 소정의 온도로 산화처리하는 것에 의해, 산화막을 형성하는 산화막 형성공정을 갖는다. 산화막 형성공정은, 전처리공정이 행하여진 반응용기에 있어서 전처리공정에 연속하여 행하여지는 것이 바람직하다. 전처리공정은, 산화막 형성공정보다 낮은 온도로 행하여지는 것이 바람직하고, 또한, 산화막 형성공정보다 감압의 정도가 높은 감압조건하에서 행하여지는 것이 바람직하다. 이 산화막 형성방법에 의하면, 양호한 트랜지스터소자의 게이트절연막이 형성된다.

公开(公告)号：KR101124869B1

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：KR1020040051214

申请日：2004-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 아오키기미야 ,  스즈키가츠시 ,  시라카와아사미 ,  다고겐지 ,  스즈키게이스케 ,  사키가즈오 ,  모리신지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 실리콘 산화막을 형성하는 방법은 표면에 실리콘층을 갖는 피처리 기판을, 반응용기 내의 400℃ 이하의 반입 온도로 설정한 처리 영역내로 반입한다. 다음으로 피처리 기판을 수용한 처리 영역을 반입 온도로부터 650℃ 이상의 처리 온도까지 승온시킨다. 처리 영역의 승온중에 반응용기 내에 수증기를 공급한다. 여기에서, 처리 영역의 분위기에서의 수증기의 농도가 제 1 농도이고, 처리 영역의 압력이 제 1 감압 압력이 되도록 설정한다. 처리 영역을 처리 온도까지 승온시킨 후, 반응용기 내에 산화 가스를 공급하여, 실리콘층을 산화하여 실리콘 산화막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020030080230A

公开(公告)日：2003-10-11

申请号：KR1020037011210

申请日：2002-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야신고 ,  아키야마고지 ,  후루사와요시카즈 ,  아오키기미야

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  Y10S438/909

Abstract: 웨이퍼의 전체에 걸쳐 막두께 및 막질에 있어서 균일성이 높은 양질의 산화막을 유리하게 형성할 수 있는 산화막 형성방법을 제공하는 것. 산화막 형성방법은, 반응용기내에 배치된 웨이퍼에 대해서, 감압조건하에서, 활성산화종 또는 활성산화종을 포함하는 분위기에 의한 산화처리를 하는 것에 의해, 웨이퍼의 표면에 보호산화막을 형성하는 전처리공정과, 이 웨이퍼에 대해서, 감압조건하에서 소정의 온도로 산화처리하는 것에 의해, 산화막을 형성하는 산화막 형성공정을 갖는다. 산화막 형성공정은, 전처리공정이 행하여진 반응용기에 있어서 전처리공정에 연속하여 행하여지는 것이 바람직하다. 전처리공정은, 산화막 형성공정보다 낮은 온도로 행하여지는 것이 바람직하고, 또한, 산화막 형성공정보다 감압의 정도가 높은 감압조건하에서 행하여지는 것이 바람직하다. 이 산화막 형성방법에 의하면, 양호한 트랜지스터소자의 게이트절연막이 형성된다.

公开(公告)号：KR1020050004077A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：KR1020040051214

申请日：2004-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 아오키기미야 ,  스즈키가츠시 ,  시라카와아사미 ,  다고겐지 ,  스즈키게이스케 ,  사키가즈오 ,  모리신지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus of forming a silicon oxide layer are provided to reduce a thickness of the silicon oxide layer and improve the quality of the silicon oxide layer by using an oxidation method. CONSTITUTION: A target substrate having a silicon layer is loaded into a processing region having a temperature of 400 degrees centigrade within a reaction chamber. The processing region is heated to the temperature of 650 degrees centigrade. The water vapor is supplied into the reaction chamber while the processing region is heated. The processing region is heated to the processing temperature. An oxidation gas is supplied to the reaction chamber to form a silicon oxide layer by oxidizing the silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供一种形成氧化硅层的方法和装置，以通过使用氧化方法来减小氧化硅层的厚度并提高氧化硅层的质量。 构成：将具有硅层的靶基板在反应室内装载到温度为400摄氏度的加工区域。 将处理区域加热至650摄氏度的温度。 在处理区域被加热的同时将水蒸汽供给到反应室中。 将加工区域加热至加工温度。 通过氧化硅层，向反应室供给氧化气体，形成氧化硅层。

公开(公告)号：KR100436823B1

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：KR1019990036480

申请日：1999-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시 ,  아오키기미야 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/24

CPC classification number: C23C16/42 ,  H01L21/28518

Abstract: A first tungsten silicide layer relatively rich in silicon is formed on an object by using a process gas having a phosphorus atom-containing gas added thereto, and a second tungsten silicide layer relatively rich in tungsten is formed on the first tungsten silicide layer, so that a tungsten silicide film is formed. The addition amount of the phosphorus atom-containing gas to the process gas is 0.02 to 0.2% by volume "in terms of a phosphine gas".

Abstract translation: 通过使用添加有含磷原子的气体的工艺气体在物体上形成硅相对富含的第一硅化钨层，并且在第一钨硅化物层上形成钨较浓的第二钨硅化物层，使得 形成硅化钨膜。 含有磷原子的气体在处理气体中的添加量以“按照磷化氢气体计”为0.02〜0.2体积％。

公开(公告)号：KR1020010081981A

公开(公告)日：2001-08-29

申请号：KR1020000083877

申请日：2000-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스에무라아사미 ,  아오키기미야

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C02F1/72 ,  C02F1/74 ,  C02F1/76 ,  H01L21/31662

Abstract: PURPOSE: An oxidization system and the cleaning method are provided to efficiently clean and selectively oxidize in a low-pressure atmosphere the silicon layer of an object having a silicon layer and a tungsten layer. CONSTITUTION: The oxidization system selectively oxidizes the side wall of the silicon layer of an electrode having a laminated structure of the silicon layer and tungsten layer and a dummy wafer to clean a metal adhering to the internal surface of the reaction tube(11). A tungsten and a tungsten compound adhering to the internal surface of the reaction tube(11), a wafer boat(31), and the dummy wafer are removed by supplying a halogen-based gas, such as HCl, etc., and oxygen into the reaction tube(11) through a cleaning gas introducing port(43).

Abstract translation: 目的：提供氧化系统和清洁方法，以有效地清洁和选择性地在低压气氛中氧化具有硅层和钨层的物体的硅层。 构成：氧化系统选择性地氧化具有硅层和钨层的层叠结构的电极的硅层的侧壁和伪晶片，以清洁附着在反应管（11）的内表面上的金属。 通过将诸如HCl等的卤素系气体和氧气供给到除去反应管（11）的内表面的钨和钨化合物，晶片舟（31）和虚设晶片 反应管（11）通过清洁气体导入口（43）。

公开(公告)号：KR1020000022806A

公开(公告)日：2000-04-25

申请号：KR1019990036480

申请日：1999-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠보가즈야 ,  다카하시츠요시 ,  아오키기미야 ,  마츠세기미히로

IPC: H01L21/24

CPC classification number: C23C16/42 ,  H01L21/28518

Abstract: PURPOSE: A methode for forming a tungsten silicide film is provided to arrange a decis ion direction of a tungsten silicide by adding a phosphorous atom-containing gas to a process gas. CONSTITUTION: A methode for forming a tungsten silicide film comprises the steps of: forming a first tungsten silicide layer(5) on an object by using a process gas adding a phosphorus atom-containing gas; and forming a second tungsten silicide layer(6) on the first tungsten silicide layer. The first tungsten silicide layer is formed by using the phosphorous atom-containing gas. The second tungsten silicide layer is formed by not using the phosphorous atom-containing gas, or a little amount of phosphorous atom-containing gas.

Abstract translation: 目的：提供一种形成硅化钨膜的方法，通过向处理气体中加入含磷原子的气体来布置硅化钨的决定方向。 构成：形成硅化钨膜的方法包括以下步骤：通过使用加入含磷原子的气体的工艺气体在物体上形成第一硅化钨层（5）; 以及在所述第一硅化钨层上形成第二硅化钨层（6）。 通过使用含磷原子的气体形成第一硅化钨层。 通过不使用含磷原子的气体或少量含磷原子的气体形成第二硅化钨层。