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公开(公告)号：KR1020170074194A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020160174322
申请日：2016-12-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L49/02 , H01L27/108 , H01L21/02 , H01L21/28
Abstract: (과제) 불산에대한내성이높은것과, 산소계가스에의한스트레스변화가작은것을양립시킬수 있는 DRAM 커패시터의하부전극을제공한다. (해결수단) DRAM 커패시터에있어서의유전체막의하층에마련되는 TiN계재료로이루어지는하부전극(204)으로서, 양바깥쪽에마련된상대적으로산소농도가낮은 2층의제 1 TiON막(241)과, 그들의안쪽에각각형성된상대적으로산소농도가높은제 2 TiON막(242)과, 제 2 TiON막(242)의안쪽에마련된중심층을이루는 TiN막(243)을갖는 5층의적층구조로이루어진다.
Abstract translation: 本发明提供一种DRAM电容器的下部电极，其能够实现对氢氟酸的高耐受性和由氧基气体引起的小的应力变化。 由设置在DRAM电容器的电介质膜下面的由TiN基材料制成的下电极204具有设置在两个外侧上的具有相对低氧浓度的双层第一TiON膜241， 具有氧浓度较高的第二TiON膜242和形成在第二TiON膜242内侧的TiN膜243的分层结构。
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公开(公告)号：KR1020170037538A
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020160121397
申请日：2016-09-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/02186 , C23C16/308 , C23C16/45531 , H01L21/0228 , H01L21/02326 , H01L21/0234 , H01L21/67017 , H01L21/67213 , H01L27/11582 , H01L28/00
Abstract: (과제) 평활성이우수한 TiON막을성막할수 있는 TiON막의성막방법을제공한다. (해결수단) 성막초기단계에있어서, Ti 함유가스와질화가스의교대공급을 X1회반복한후, 산화제를공급하는사이클을, Y1 사이클행하고, 그후의성막단계에있어서, Ti 함유가스와질화가스의교대공급을 X2회반복한후, 산화제를공급하는사이클을, 소망하는막 두께가될 때까지 Y2 사이클행한다. 이때, 성막초기단계의반복수 X1과, 그후의성막단계의반복수 X2는, X1>X2가되도록설정된다.
Abstract translation: 提供一种形成能够形成平滑性优异的TiON膜的TiON膜的方法。 [解决问题的手段]沉积在早期阶段，含Ti气体，然后重复X1倍交替氮化气体的供给，用于供应氧化剂的循环中，进行Y1周期，在之后的膜形成工序中，含Ti气体和氮化气体 重复X 2次，进行Y 2循环的氧化剂供给循环直到获得所需的膜厚。 此时，沉积可以在早期阶段X1被重复，和X2被设定为使得X1> X2后，可以重复在成膜工序。
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公开(公告)号：KR1020120112237A
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：KR1020120033277
申请日：2012-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/02247 , C23C8/36 , H01L21/02238 , H01L21/02326 , H01L21/02332 , H01L21/76224
Abstract: PURPOSE: A plasma processing method and a device insulation method are provided to prevent oxygen in reaction gas from being diffused within silicon by forming a thin insulating layer along an inner wall surface of a trench. CONSTITUTION: A gas supply device(18) supplies gas to the inside of a processing container(1). An exhaust device includes a vacuum pump(24) for exhausting the inside of the processing container. A microwave leading device(27) leads microwave within the processing container. A loading table(2) is supported by a supporting member(3). A cover member(13) having a switching function is arranged on the top of the processing container. [Reference numerals] (19a) Inert gas supply source; (19b) Gas supply source containing nitrogen; (24) Vacuum pump; (38) Matching circuit; (39) Microwave generation device; (50) Control unit; (5a) Heater power supply
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理方法和器件绝缘方法，以通过沿着沟槽的内壁表面形成薄的绝缘层来防止反应气体中的氧被扩散到硅内。 构成：气体供给装置（18）向处理容器（1）的内部供给气体。 排气装置包括用于排出处理容器内部的真空泵（24）。 微波引导装置（27）引导处理容器内的微波。 装载台（2）由支撑构件（3）支撑。 具有切换功能的盖构件（13）设置在处理容器的顶部。 （附图标记）（19a）惰性气体供给源; （19b）含氮气体供应源; （24）真空泵; （38）匹配电路; （39）微波发生装置; （50）控制单元; （5a）加热器电源
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