公开(公告)号：KR1020120112237A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120033277

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네자와료타 ,  야마자키가즈요시 ,  사노마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02247 ,  C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/76224

Abstract: PURPOSE: A plasma processing method and a device insulation method are provided to prevent oxygen in reaction gas from being diffused within silicon by forming a thin insulating layer along an inner wall surface of a trench. CONSTITUTION: A gas supply device(18) supplies gas to the inside of a processing container(1). An exhaust device includes a vacuum pump(24) for exhausting the inside of the processing container. A microwave leading device(27) leads microwave within the processing container. A loading table(2) is supported by a supporting member(3). A cover member(13) having a switching function is arranged on the top of the processing container. [Reference numerals] (19a) Inert gas supply source; (19b) Gas supply source containing nitrogen; (24) Vacuum pump; (38) Matching circuit; (39) Microwave generation device; (50) Control unit; (5a) Heater power supply

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理方法和器件绝缘方法，以通过沿着沟槽的内壁表面形成薄的绝缘层来防止反应气体中的氧被扩散到硅内。 构成：气体供给装置（18）向处理容器（1）的内部供给气体。 排气装置包括用于排出处理容器内部的真空泵（24）。 微波引导装置（27）引导处理容器内的微波。 装载台（2）由支撑构件（3）支撑。 具有切换功能的盖构件（13）设置在处理容器的顶部。 （附图标记）（19a）惰性气体供给源; （19b）含氮气体供应源; （24）真空泵; （38）匹配电路; （39）微波发生装置; （50）控制单元; （5a）加热器电源

公开(公告)号：KR101389247B1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：KR1020127028202

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네자와료타 ,  다카하시데츠로 ,  오사키요시노리 ,  스즈키고우키 ,  사이토도모히로 ,  야마시타쥰 ,  사토요시히로 ,  시오자와도시히코 ,  야마자키고이치 ,  후루키가즈히로

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 유전체판(28)과 덮개 부재(13)의 지지부(13a) 사이에 링 형상의 O링(29a)을 가짐과 아울러, 당해 O링(29a)의 외주측에, 처리 용기(1)의 상부에 배치된 덮개 부재(13)의 지지부(13a)와 유전체판(28) 사이에 간극 d를 형성하기 위한 스페이서(60)를 마련하였다. 간극 d에 의해서, 처리 용기(1) 내에서의 플라즈마의 열에 의해 덮개 부재(13)나 유전체판(28)이 열팽창하더라도, 덮개 부재(13)와 유전체판(28)이 접촉하여, 갈리는 것이 없어져, 유전체판(28)의 파손이나 파티클의 발생을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130023220A

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：KR1020127028202

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네자와료타 ,  다카하시데츠로 ,  오사키요시노리 ,  스즈키고우키 ,  사이토도모히로 ,  야마시타쥰 ,  사토요시히로 ,  시오자와도시히코 ,  야마자키고이치 ,  후루키가즈히로

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 유전체판(28)과 덮개 부재(13)의 지지부(13a) 사이에 링 형상의 O링(29a)을 가짐과 아울러, 당해 O링(29a)의 외주측에, 처리 용기(1)의 상부에 배치된 덮개 부재(13)의 지지부(13a)와 유전체판(28) 사이에 간극 d를 형성하기 위한 스페이서(60)를 마련하였다. 간극 d에 의해서, 처리 용기(1) 내에서의 플라즈마의 열에 의해 덮개 부재(13)나 유전체판(28)이 열팽창하더라도, 덮개 부재(13)와 유전체판(28)이 접촉하여, 갈리는 것이 없어져, 유전체판(28)의 파손이나 파티클의 발생을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120112247A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120033370

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  요네자와료타

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76224

Abstract: PURPOSE: A plasma processing method is provided to prevent an angle of an upper pattern on a trench from being etched by making an oxide film on the side of the trench formed on a substrate. CONSTITUTION: A processing chamber(12) receives a susceptor(11) which supports a wafer(W). A heater(11a) and an electrode(11b) for bias are built in the susceptor. A cover member(18) opens and closes the processing chamber. An antenna(20) is located on the top of a dielectric window(17). A dielectric plate(21) is located on an upper side of an antenna.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理方法，以通过在衬底上形成的沟槽侧上形成氧化膜来防止沟槽上的上部图案的角度被蚀刻。 构成：处理室（12）接收支撑晶片（W）的基座（11）。 在基座中内置有用于偏置的加热器（11a）和电极（11b）。 盖构件（18）打开和关闭处理室。 天线（20）位于电介质窗（17）的顶部。 电介质板（21）位于天线的上侧。