公开(公告)号：KR1020100040921A

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：KR1020107003036

申请日：2008-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토히로시

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0541

Abstract: Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, which is characterized by comprising a coating film-forming step (a) wherein a coating film is formed on a substrate by applying a coating liquid, which is obtained by dissolving a polymer conductive material in an insulating solvent, over the substrate; a heat treatment step (b) performed after the coating film-forming step (a), wherein the coating film is subjected to a heat treatment; and an electrode-forming step (c) performed before or after the consecutively performed coating film-forming step (a) and heat treatment step (b), wherein a gate electrode is formed on the substrate. This method for manufacturing a semiconductor device is further characterized in that a surface layer portion composed of an insulating layer and an inner layer portion composed of an organic semiconductor layer are formed separate from each other, and the surface layer portion and the inner layer portion may be respectively used as a gate insulating film and a channel of a field effect transistor.

Abstract translation: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：涂膜形成工序（a），其中通过涂布涂布液在基板上形成涂膜，所述涂布液通过将聚合物导电材料溶解在 绝缘溶剂，在基材上; 在涂膜形成步骤（a）之后进行热处理步骤（b），其中对所述涂膜进行热处理; 以及在连续执行的涂膜形成步骤（a）和热处理步骤（b）之前或之后进行的电极形成步骤（c），其中在该基板上形成栅电极。 该半导体器件的制造方法的特征还在于，由绝缘层和由有机半导体层构成的内层部分构成的表层部分彼此分开地形成，并且表层部分和内层部分可以 分别用作栅极绝缘膜和场效应晶体管的沟道。

公开(公告)号：KR100507019B1

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：KR1020037010383

申请日：2002-01-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토히로시

IPC: H01L21/288

CPC classification number: C23C18/31 ,  C23C18/40 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76877

Abstract: 처리체에 대하여, 환원제를 포함한 첨가제를 공급한 후, 처리체에 대하여 황산동 용액 등의 금속 이온을 포함하는 용액을 공급한다. 첨가제와 금속 이온을 포함하는 용액을 분리하기 때문에, 도금액의 조성의 조정이 용이해진다.

公开(公告)号：KR1020050057334A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020057004404

申请日：2003-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마루모요시노리 ,  조멘미호 ,  고미야다카유키 ,  사토히로시 ,  정기시

IPC: C23C18/31 ,  H01L21/288

CPC classification number: C23C18/1619 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/1678

Abstract: A plate is placed near a substrate held by a substrate holding section. A treating liquid is ejected from a treating liquid ejecting section, thereby plating the substrate electrolessly. The treating liquid flows through the gap between the substrate and the plate. Therefore a flow of the treating liquid occurs on the substrate. As a result, a fresh treating liquid can be supplied onto the substrate. Thus, a plating film can be formed very uniformly on the substrate even if the amount of treating liquid is small.

Abstract translation: 将板放置在由基板保持部保持的基板附近。 处理液从处理液喷射部喷出，由此无电解地镀覆基板。 处理液体流过基板和板之间的间隙。 因此，处理液的流动发生在基板上。 结果，可以将新鲜的处理液体供应到基底上。 因此，即使处理液的量少，也可以在基板上非常均匀地形成镀膜。

公开(公告)号：KR1020010102941A

公开(公告)日：2001-11-17

申请号：KR1020010024670

申请日：2001-05-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마루모요시노리 ,  가토요시노리 ,  사토히로시 ,  박경호

IPC: H01L21/00

Abstract: 처리액으로서 정리되어 폐기되는 빈도를 대폭 경감하여, 제조부담이 적고 원활하면서 또한 고품질로 액 처리가 가능한 액 처리 장치를 제공한다. 피 처리 기판에 액처리를 실시하는 처리액을 수용 가능한 처리액조와, 수용가능한 처리액을 처리액조 바깥과의 사이에서 순환시키는 처리액 순환계와, 순환되는 처리액중에 포함된 액 처리에 의한 반응 생성물을 제거하는 생성물 제거부를 포함한다. 수용된 처리액을 처리액조 외부와의 사이에서 순환시켜, 순환중인 처리액에 포함된 반응 생성물을 생성물 제거부에 의해 제거한다. 이것에 의해, 처리액에 잔류하는 화학 변화물, 분해물을 제거할 수 있으며, 처리액으로서의 열화를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR101217324B1

公开(公告)日：2013-01-21

申请号：KR1020107003036

申请日：2008-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토히로시

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055

Abstract: 본 발명은, 고분자 도전 재료를 절연성 용매에 용해하여 이루어지는 도포액을 기판 상에 도포하여, 그 기판 상에 도포막을 형성하는 도포막 형성 공정 (a)와, 도포막 형성 공정 (a) 후에 수행되는, 상기 도포막을 열처리하는 열처리 공정 (b)와, 일련의 도포막 형성 공정 (a) 및 열처리 공정 (b) 전 또는 후에, 상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 전극 형성 공정 (c)를 포함하고, 절연층인 표층부와 유기 반도체층인 내층부를 분리한 상태로 형성하여, 그 표층부 및 내층부를 각각 게이트 절연막 및 전계 효과형 트랜지스터의 채널로서 이용 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법이다.

公开(公告)号：KR1020120132553A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：KR1020127027017

申请日：2011-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이토히토시 ,  사토히로시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 성막 방법은 성막 장치(100)의 처리용기(1) 내에, 절연막이 마련된 웨이퍼(W)를 배치하는 공정과, 처리용기(1) 내에, TEOS 등의 실리콘 원자를 포함하는 화합물의 가스와 수증기 등의 OH기 공여성 가스를 공급하고, 상기 절연막의 표면에 Si-OH기를 형성시키는 표면 개질 공정과, 처리용기(1) 내에 망간함유 재료를 포함하는 성막 가스를 공급하고, CVD법에 의해 Si-OH기가 형성된 절연막의 표면에 망간함유막을 성막하는 성막 공정을 구비하고 있다. 표면 개질 공정에서는 실리콘 원자를 포함하는 화합물의 가스와, OH기 공여성 가스를, 처리 용기 내에 동시에 공급해도 좋고, 교대로 공급해도 좋다.

公开(公告)号：KR1020090076998A

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020097011007

申请日：2007-11-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토히로시

IPC: B05C11/00 ,  B05C5/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H05K3/125 ,  H01L27/1292 ,  H05K2203/013 ,  H05K2203/086 ,  H05K2203/1147

Abstract: A sealing member (21) is lifted to cause its edge (21a) to be in contact with a contact surface (17a) of a support member (13). With a precision discharge nozzle (5) isolated, a gas discharge device (41) is operated to discharge gas inside a chamber (1) to reduce the pressure in the chamber (1) to a predetermined level. Then, purge gas is introduced into the chamber (1) from a purge gas supply source (31) via a gas introduction section (26) to replace the atmosphere in the chamber (1) with the purge gas, and the pressure in the chamber (1) is returned to the atmospheric pressure. After that, the sealing member (21) is lowered to release the precision discharge nozzle (5) from the isolation. Then, liquid drops of a liquid device material are discharged toward the surface of a substrate (S) while a carriage (7) is reciprocated in the X direction.

Abstract translation: 提升密封构件（21）使其边缘（21a）与支撑构件（13）的接触表面（17a）接触。 在分离出精密排放喷嘴（5）的情况下，气体排出装置（41）被操作以排出腔室（1）内的气体，以将腔室（1）中的压力降低至预定水平。 然后，吹扫气体通过气体引入部分（26）从吹扫气体供应源（31）引入室（1），以用吹扫气体代替室（1）中的气氛，并且室中的压力 （1）返回到大气压。 之后，密封构件（21）被降低，以将精密排出喷嘴（5）从隔离件释放。 然后，液体装置材料的液滴在托架（7）沿X方向往复运动的同时朝向基板（S）的表面排出。

公开(公告)号：KR1020080113109A

公开(公告)日：2008-12-26

申请号：KR1020087028144

申请日：2007-04-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 트리케미컬 겐큐쇼

Inventor： 마츠모토겐지 ,  사토히로시 ,  오히라다츠야 ,  마치다히데아키 ,  이시카와마사토

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4482 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Provided are a film forming apparatus and a film forming method for forming a manganese film by a CVD method on the surface of a subject to be processed. The film forming apparatus is provided with a process container (14) which can be vacuumized; a placing table (16) arranged inside the process container (14) for placing the subject to be processed; and a material gas supply section (18), which is connected to the process container (14) and supplies a material gas, which includes an organic metal material containing manganese or a metallic complex material containing manganese into the process container (14). The film forming method is provided with a step of storing the subject inside the process container (14) which can be vacuumized; and a step of forming the manganese film on the surface of the subject inside the process container (14) by the CVD method by using the material gas including the organic metal material containing manganese or the metallic complex material containing manganese. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 提供了一种通过CVD法在被处理物的表面上形成锰膜的成膜装置和成膜方法。 成膜装置设置有可以抽真空的处理容器（14） 布置在处理容器（14）内部以放置待处理对象的放置台（16） 和材料气体供给部分（18），其连接到处理容器（14）并且将含有锰的有机金属材料或含有锰的金属络合物的物质气体供应到处理容器（14）中。 成膜方法具有将被处理容器（14）内的被吸收的物体进行存储的步骤; 以及通过使用包含含有锰的有机金属材料或含有锰的金属络合物的材料气体，通过CVD法在处理容器（14）内部的被处理体的表面上形成锰膜的步骤。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020060049130A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050099672

申请日：2005-10-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  곤도 에이이치

Inventor： 마츠자와고우메이 ,  사토히로시 ,  고미야다카유키 ,  곤도에이이치 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/208

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/04 ,  C23C18/08 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12903

Abstract: 기판 상에 형성된 Cu 확산 방지막 상에 Cu막을 형성하는 성막 방법에 있어서, Cu 확산 방지막과 Cu막을 밀착시키기 위해 제공되는 밀착막을 Cu 확산 방지막 상에 형성하고, 초임계 상태의 매체에 전구체를 용해시킨 처리 매체를 기판으로 공급하여 밀착막 상에 Cu막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020050059178A

公开(公告)日：2005-06-17

申请号：KR1020057004928

申请日：2003-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마루모요시노리 ,  사토히로시 ,  조멘미호

IPC: C23C18/31 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/6715 ,  C23C18/28 ,  H01L21/288

Abstract: A method of elctroless plating, which comprises forming catalytically active nuclei comprising a catalytically active material having a catalytic activity toward a reducing agent contained in an electroless plating solution on a diffusion inhibiting layer (such as a barrier layer), and then carrying out an electroleless plating using the electroless plating solution. The method allows the formation of an electrolessly plated coating on a barrier layer through the acceleration of the reaction of a reducing agent contained in an electroless plating solution by catalytically active nuclei.

Abstract translation: 一种无电极电镀方法，其包括形成催化活性核，其包含对扩散抑制层（例如阻挡层）上的化学镀溶液中所含的还原剂具有催化活性的催化活性材料，然后进行无电极 使用无电镀液进行电镀。 该方法允许通过催化活性核加速化学镀溶液中包含的还原剂的反应，在阻挡层上形成无电镀涂层。