公开(公告)号：KR1020010110481A

公开(公告)日：2001-12-13

申请号：KR1020017012536

申请日：2000-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키도모히로 ,  가사이시게루 ,  시미즈마사히로 ,  야자와미노루

IPC: G01J5/10

Abstract: 본 발명은 방사식 온도계를 이용하여 웨이퍼 등의 피처리 물체의 온도 측정을 행하는 경우에, 가열용 램프에 의한 미광의 영향을 배제하는 것을 목적으로 하고 있다. 본 발명에서는, 램프(22)에 출력 제어부(28)로부터 공급되는 전력(W)과 램프(22)로부터 방사되는 빛 에너지 사이에 성립하는 관계를 이용한다. 램프(22)로부터 방사되는 빛이 포토다이오드(18)의 출력 전압에 미치는 영향을 전력(W)의 함수로서 미리 실험적으로 구하여 연산부(26)에 저장해 둔다. 연산부(26)는 출력 제어부(28)로부터 송신되는 전력(W)의 값에 기초하여 포토다이오드(18)의 출력 전압에 포함되는 램프(22)로부터의 미광의 영향분을 포토다이오드(18)의 출력값에서 감산하여 서셉터(8)의 온도를 산출한다.

公开(公告)号：KR1020150113851A

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：KR1020150038140

申请日：2015-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈마사히로

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/683

Abstract: 기판상에도포된유기재료막의건조처리와소성처리를효율좋게행하는것이가능한처리장치를제공한다. 유기재료막에전자파를조사하는전자파조사장치(5)는, 전자파원(21), 전자파원(21)에서생성한전자파를처리용기(1) 내로유도하는안테나부(23), 전자파원(21)과안테나부(23)를접속하는도파관(25) 및안테나부를덮는투과커버(27)를구비하고있다. 처리장치(100)에서는, 다수의슬롯(33)을가지는방사안테나(35)를, 또한다수배열하여안테나부(23)를구성함으로써, 안테나부(23)로부터대향하는기판(S)을향해, 그면적에따라면 형상으로전자파를조사할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供能够有效地进行涂布在基板上的有机材料层的干燥和固化工序的处理装置。 向有机材料层照射电磁波的电磁波照射装置（5）包括：电磁波源（21）; 引导从电磁波源产生的电磁波到处理容器（1）的天线单元（23）; 连接电磁波源（21）和天线单元（23）的波导（25）; 覆盖天线单元（23）的发送盖（27）。 在处理装置（100）中，可以通过配置多个辐射来配置天线单元（23），根据与天线单元（23）对应的基板（S）的面积，将电磁波照射成板状。 具有多个槽（33）的天线（35）。

公开(公告)号：KR1020110086065A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：KR1020117011239

申请日：2009-11-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈마사히로

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/324

CPC classification number: C21D1/773 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H05B6/02 ,  H05B6/101

Abstract: 피처리체(W)에 대해 전자파를 이용하여 열처리를 실시하도록 한 처리장치(2)에 있어서, 소정의 길이를 갖는 금속제의 처리용기(4)와, 처리용기의 일단에 설치된 반입출구(6)와, 반입출구를 폐쇄 및 개방 가능한 폐쇄체(52, 102)와, 반입출구로부터 처리용기내에 반출 반입되고, 복수개의 피처리체를 소정의 간격을 두고 유지하는 동시에 전자파를 투과하는 재료로 이루어지는 유지수단(42)과, 처리용기내에 저나파를 도입하는 전자파 공급수단(14)과, 처리용기내에 필요한 가스를 도입하는 가스 도입 수단(22)과, 처리용기내의 분위기를 배기하는 배기 수단(32)을 구비한다.

公开(公告)号：KR100910068B1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：KR1020067021277

申请日：2005-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네다마사타케 ,  가사이시게루 ,  시미즈마사히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: 본 발명은, 내부를 진공 배기가 가능하도록 한 처리 용기와, 상기 처리 용기내로 소정의 가스를 도입하는 가스 도입 수단과, 상기 처리 용기내에 마련된 지지대와, 상기 지지대 상에 마련된 피처리체를 지지하기 위한 링 형상의 지지부와, 상기 지지부의 내측의 상기 지지대의 상면에 마련된 복수의 열전변환소자와, 상기 지지부로 지지되는 피처리체의 하면과 상기 지지대의 상면과 상기 지지부와의 사이에서 형성되는 소자 수용 공간내를 진공배기하는 소자 수용 공간 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 피처리체의 처리 장치이다.

公开(公告)号：KR1020060080216A

公开(公告)日：2006-07-07

申请号：KR1020067005788

申请日：2004-09-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈마사히로 ,  가사이시게루 ,  요네다마사타케

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109

Abstract: Disclosed is a heat treatment apparatus for conducting heat treatments such as annealing at a temperature not less than 400°C on an object such as a silicon wafer. The apparatus comprises a process chamber (4) which has a transmitting window (8) in a ceiling portion. A stage (10) on which an object to be treated (W) is placed is so arranged in the chamber as to face the transmitting window. Heating lamps (42A, 42B) are arranged above the process chamber for heating the object through the transmitting window by irradiating the object with heat rays. The stage (10) is provided with a thermoelectric converter (24) which is at least capable of cooling the object. Consequently, the object is mainly heated through irradiation of heat rays from the heating lamps, and forcedly cooled down using the thermoelectric converter.

Abstract translation: 公开了一种用于进行热处理的热处理装置，例如在诸如硅晶片的物体上在不低于400℃的温度下退火。 该装置包括处理室（4），其在顶部具有发射窗（8）。 放置待处理物体（W）的台架（10）配置在室内面对发射窗口。 加热灯（42A，42B）设置在处理室的上方，用于通过用热射线照射物体通过透射窗加热物体。 级（10）设置有至少能够冷却物体的热电转换器（24）。 因此，主要通过照射来自加热灯的热射线来加热物体，并使用热电转换器强制冷却。

公开(公告)号：KR1020010110480A

公开(公告)日：2001-12-13

申请号：KR1020017012533

申请日：2000-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키도모히로 ,  가사이시게루 ,  시미즈마사히로 ,  야자와미노루

IPC: G01J5/10

CPC classification number: G01J5/0003 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/04 ,  G01J5/046 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0818 ,  G01J5/0862 ,  G01J5/0875 ,  G01J5/0887

Abstract: 본발명은방사식온도계를이용하여웨이퍼등의피처리물체의온도측정을행하는경우에, 장치의구성을복잡하게하지않고가열용램프에의한미광의영향을배제하는것을목적으로하고있다. 챔버(2)의창 재료(6)로서수산기를함유하는석영유리를이용한다. 수산기를함유하는석영유리는그 자체가 2700 nm 부근의파장의빛을강하게흡수하는성질을갖는다. 광검출기(16)측의수광소자(18)와광필터(19)를적절하게선택하고, 광검출기(16)에의해 2700 nm 근방의파장의빛만을검출하도록하여, 램프미광의영향을배제한다. 창재료(6) 자체가필터기능을갖고있기때문에, 램프(22)와가열대상물사이에별개의필터를설치할필요가없게된다.

Abstract translation: 提供了一种简化的系统，其中待处理物体（例如晶片）的温度由非接触式温度计测量，同时消除来自加热灯的杂散光的影响。 室（2）的窗口材料（6）由含有羟基的熔融二氧化硅制成。 含有羟基的熔融二氧化硅能够强烈吸收波长在2700nm附近的光。 适当地选择光电检测器（16）上的光电检测器元件（18）和滤光器（19），使得光电检测器（16）可以仅检测波长在2700nm附近的光，从而消除杂散光的影响 从灯。 由于窗口材料（6）本身用作过滤器，所以在灯（22）和待加热物体之间不需要其它过滤器。

公开(公告)号：KR100246116B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019930010670

申请日：1993-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 시미즈마사히로 ,  후까자와다가유끼 ,  야마자끼유이찌로 ,  미요시모도스게 ,  오까노하루오 ,  오꾸무라가쓰야

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/3233

Abstract: 웨이퍼(W)의 플라스마 에칭장치는 전자생성실, 가속실(8), 처리실(3)을 구비한다. 전자생성실에서 생성된 플라스마에서 전자(e
- )가 인출되고 가속되어 처리실에 전자빔으로서 도입된다. 처리실(3)에는 반도체 웨이퍼(W)가 전자빔의 도입방향과 평행하게 되도록 수평하게 배치된다. 처리실(3)에는 처리가스가 도입되고, 전자빔에 의해 여기되어 플라스마화되고, 이 플라스마를 사용하여 웨이퍼(W)의 에칭을 할 수 있다. 처리실(3)에는 자장이 형성되고, 이것은 조주에 있어서 전자빔을 수평면내에서는 양측으로 분기함과 동시에, 수직면내에 있어서는 압축하여 편평하게 하도록 형성된다. 또 자장은 웨이퍼(W)가 배치된 위치에 있어서 전자빔을 수평방향으로 반송하도록 형성된다. 따라서, 웨이퍼(W) 전면에 걸쳐 고밀도이며 균일한 분포를 갖는 시트상 플라스마 영역이 형성된다.