Abstract:
본발명은, 피처리기판을가열처리하고, 이어서냉각하는열처리기술에있어서, 높은스루풋을얻을수 있으며, 열처리장치의전유면적이작은열처리기술을제공하는것을과제로한다. 웨이퍼(W)의가열처리를 LED 모듈(3)로부터웨이퍼(W)에그 흡수파장광인적외광을조사함으로써행하고있다. 이와같이복사에의해웨이퍼(W)를가열하고있기때문에, 웨이퍼(W)를신속하게가열할수 있다. 또한열원으로서 LED(35)를이용하고있으며, LED(35)의온도상승은작기때문에, 가열처리후의냉각처리를가열처리와동일한처리영역에서행할수 있다. 이때문에, 본열처리장치의설치면적을작게억제할수 있다. 또한가열처리영역과냉각처리영역사이의이동시간을절약할수 있기때문에, 가열처리및 그후의냉각처리를합한일련의처리시간을단축하는것이가능해져, 스루풋의향상을도모할수 있다.
Abstract:
본 발명은 반도체 웨이퍼 등에 대해 어닐을 실행하는 어닐 장치에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 웨이퍼 W의 면을 향하도록 마련되며, 웨이퍼에 대하여 광을 조사하는 복수의 LED (33)을 가지는 가열원 (17a, 17b)과 발광소자 (33)로부터의 광을 투과하는 광투과부재 (18a, 18b)와, 가열원에 직접 접촉하도록 마련된 Al로 구성된 냉각부재 (4a,4b)를 가지며, 상기 가열원(17a, 17b)은 표면에 상기 복수의 발광 소자를 은 페이스트 (56)에 의해 부착된 AlN로 이루어지는 지지체(32)와, 상기 지지체(32)의 이면측에 땝납 57에 의해 접합된 Cu제의 열확산 부재를 포함하고, 이들을 유닛화하여 구성된 복수개의 발광 소자 어레이를 구비하고, 상기 발광 소자 어레이는 실리콘 그리스를 거쳐서 상기 냉각 부재에 고정되어 있는 어닐 장치가 제공된다.
Abstract:
본 발명은 반도체 웨이퍼 등에 대해 어닐을 실행하는 어닐 장치에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 웨이퍼 W의 면을 향하도록 마련되며, 웨이퍼에 대하여 광을 조사하는 복수의 LED (33)을 가지는 가열원 (17a, 17b)과 발광소자 (33)로부터의 광을 투과하는 광투과부재 (18a, 18b)와, 가열원에 직접 접촉하도록 마련된 Al로 구성된 냉각부재 (4a,4b)를 가지며, 상기 가열원(17a, 17b)은 표면에 상기 복수의 발광 소자를 은 페이스트 (56)에 의해 부착된 AlN로 이루어지는 지지체(32)와, 상기 지지체(32)의 이면측에 땝납 57에 의해 접합된 Cu제의 열확산 부재를 포함하고, 이들을 유닛화하여 구성된 복수개의 발광 소자 어레이를 구비하고, 상기 발광 소자 어레이는 실리콘 그리스를 거쳐서 상기 냉각 부재에 고정되어 있는 어닐 장치가 제공된다.
Abstract:
피처리체(W)에 대하여 소정의 열처리를 실시하도록 한 열처리 장치(2)와, 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(4)와, 상기 처리 용기(4)내에 마련되어, 그 상면측에 상기 피처리체를 탑재시키기 위한 탑재대(18)와, 상기 탑재대(18)의 상부에 마련된 복수의 열전 변환 소자(22)와, 상기 처리 용기의 천장부를 기밀히 덮는 광투과창(8)과, 상기 처리 용기(4)내를 향해서 필요한 가스를 도입하는 가스 도입 수단(12)을 구비하고 있다. 상기 광투과창(8)의 상방에, 상기 피처리체를 향해서 가열용의 빛을 사출하는 반도체 광사출 소자(58)를 포함하는 복수의 가열 광원(52)으로 이루어지는 가열 수단(46)이 마련되어 있다. 이것에 의해, 가열 효율이 높고, 또한 피처리체에 대하여 한층 더 고속에서의 승온 및 강온이 가능해진다.
Abstract:
본 발명은 피처리체에 대해 성막 처리를 실시하기 위한 처리 챔버의 천정부에 설치되어 소정 가스를 공급하는 샤워 헤드 구조체로서, 복수의 가스 분사 구멍이 개구된 저부를 갖는 컵 형상으로 형성되고, 그 컵 형상의 개구측에 상기 천정부로의 장착용 접합 플랜지부가 일체적으로 형성된 헤드 본체와, 상기 헤드 본체의 저부 근방에 설치되어, 상기 헤드 본체를 원하는 온도로 조정하는 헤드 가열부를 구비하고, 저온하에서의 재현성을 향상시킨 성막 처리와 고온하에서의 반응 부생성물의 제거를 실행하는 샤워 헤드 구조체이다.
Abstract:
Processing equipment for an object to be processed is provided with a process container, the internal of which can be evacuated, a gas introducing means for introducing a prescribed gas into the process container, a supporting table provided in the process container, a ring-shaped supporting part provided on the supporting table for supporting the object to be processed, a plurality of thermoelectric conversion elements provided on an upper plane of the supporting table on an inner side of the supporting part, an element storing space evacuating means for evacuating inside the element storing space formed by a lower plane of the object to be treated, which is supported by the supporting part, an upper plane of the supporting table and the supporting part. ® KIPO & WIPO 2007
Abstract:
본 발명의 막 형성 장치는 대상물이 처리되는 처리실을 형성하는 용기와, 처리실내에 설치되어 대상물이 탑재되는 탑재대와, 탑재대에 설치되어 탑재대에 탑재되는 대상물을 가열하기 위한 제 1 가열 장치와, 용기에 설치되어 탑재대상에 탑재된 대상물에 고융점 금속막층을 형성하기 위한 처리 가스를 처리실내에 공급하는 제 1 가스 공급부와, 대상물의 주연부를 가압하여 대상물을 탑재대상에 유지하는 이동 가능한 클램프와, 클램프와 별도로 형성되어 클램프를 간접적으로 가열하기 위한 제 2 가열 장치와, 클램프가 대상물을 가압하는 위치로 이동되었을 때에 적어도 클램프와 제 2 가열 장치 사이에 형성되는 가스 유로와, 가스 유로에 백사이드 가스를 흘려보내는 제 2 가스 공급부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
가열 장치는, 금속제의 방열 기판(72)과, 방열 기판 상에 직접적으로 형성된 절연층(74)과, 절연층 상에 배열되어서 배선 패턴을 이루는 복수의 배선 요소(76)와, 복수의 각 배선 요소 상에 각각 마련된 복수의 LED 소자(70)와, 이웃하는 LED 소자 간을 전기적으로 직접 접속하는 금속 배선(82)을 갖는 LED 모듈(54)을 구비한다. 이 구성에 따라, LED 소자의 방열을 균일하게 또한 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.
Abstract:
가열 장치는, 금속제의 방열 기판(72)과, 방열 기판 상에 직접적으로 형성된 절연층(74)과, 절연층 상에 배열되어서 배선 패턴을 이루는 복수의 배선 요소(76)와, 복수의 각 배선 요소 상에 각각 마련된 복수의 LED 소자(70)와, 이웃하는 LED 소자 간을 전기적으로 직접 접속하는 금속 배선(82)을 갖는 LED 모듈(54)을 구비한다. 이 구성에 따라, LED 소자의 방열을 균일하게 또한 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.
Abstract:
PURPOSE: An apparatus and method for processing a liquid, and a recording medium for performing a program thereof are provided to reducing process time by preventing treatment solution from remaining on a substrate. CONSTITUTION: A substrate holding unit(40) holds a substrate. A treatment solution supply unit(70) supplies treatment solution to the substrate held by the substrate holding unit. A rinsing liquid supply unit(80) supplies rising liquid to the substrate. A light emitting element(112) emits light to a surface of the substrate. A control unit(200) controls the substrate holding unit, the treatment solution apply unit, the rinsing liquid supply unit and the light emitting unit.