公开(公告)号：KR1020140009379A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：KR1020137024652

申请日：2012-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈마사히로 ,  이토히토시

IPC: H01L21/288 ,  H05K3/22

CPC classification number: B05D7/02 ,  H01B19/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6776 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0097 ,  H05K3/10 ,  H05K3/1283 ,  H05K2203/102 ,  Y02E10/549

Abstract: 플라스틱 기판 위에 막 성분을 포함하는 도포 조성물을 도포해서 도포막을 형성하고, 그 도포막에 전자파를 조사해서 도포막을 건조 및/또는 개질하고, 막을 형성한다. 막으로서는 도전체막, 반도체막, 유전체막을 들 수 있고, 도전체막을 형성할 때에는 금속 나노 입자를 포함하는 도포 조성물을 이용하고, 반도체막을 형성할 때에는 도포 조성물로서 유기 반도체 재료를 이용하며, 유전체막을 형성할 때에는 도포 조성물로서 유기 유전체 재료를 이용한다.

公开(公告)号：KR1019940006191A

公开(公告)日：1994-03-23

申请号：KR1019930010670

申请日：1993-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 시미즈마사히로 ,  후까자와다가유끼 ,  야마자끼유이찌로 ,  미요시모도스게 ,  오까노하루오 ,  오꾸무라가쓰야

IPC: H01L21/306

Abstract: 웨이퍼(W)의 플라스마 에칭장치는 전자생성실, 가속실(B), 처리실(3)을 구비한다. 전자생성실에서 생성된 플라스마에서 전자(e
- )가 인출되고 가속되어 처리실에 전자빔으로서 도입된다. 처리실(3)에는 반도체 웨이퍼(W)가 전자빔의 도입방향과 평행하게 되도록 수평하게 배치된다.
처리실(3)에는 처리가스가 도입되고, 전자빔에 의해 여기되어 플라스마화되고, 이 플라스마를 사용하여 웨이퍼(W)의 에칭을 할 수 있다. 처리실(3)에는 자장이 형성되고, 이것은 조주에 있어서 전자빔을 수평면내에서는 양측으로 분기함과 동시에, 수직면내에 있어서는 압축하여 편평하게 하도록 형성된다. 또 자장은 웨이퍼(W)가 배치된 위치에 있어서 전자빔을 수평방향으로 반송하도록 형성된다. 따라서, 웨이퍼(W)전면에 걸쳐 고밀도이며 균일한 분포를 갖는 시트상 플라스마 영역이 형성된다.

公开(公告)号：KR1020100066571A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020107009011

申请日：2006-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈마사히로 ,  가사이시게루 ,  요네다마사타케

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109

Abstract: A heat treatment apparatus (2) for performing prescribed heat treatment to a subject to be treated is provided with a treatment container (4) air in which can be exhausted; a placing table arranged in the treatment container (4), for placing on an upper plane the subject to be treated; a plurality of thermoelectric conversion elements (22) arranged on an upper part of the placing table; a light transmitting window (8) for covering a ceiling portion of the treatment container airtight; and a gas introducing means (12) for introducing a required gas into the treatment container (4). A heating means (46), which is composed of a plurality of heating light sources (52) including a semiconductor light emitting element (58) for emitting heating light to the subject to be treated, is provided above the light transmitting window (8). Thus, heating efficiency is improved and temperature can be increased and reduced at a higher speed for the subject to be treated.

Abstract translation: 对待处理对象进行规定的热处理的热处理装置（2）具有处理容器（4）能够排出的空气; 布置在处理容器（4）中的放置台，用于在上平面上放置待处理的对象; 布置在所述放置台的上部的多个热电转换元件（22） 用于覆盖处理容器的顶部的气密的透光窗（8）; 和用于将所需气体引入处理容器（4）的气体导入装置（12）。 由多个加热光源（52）组成的加热装置（46）设置在透光窗（8）的上方，该加热光源包括用于向被处理物体发出加热光的半导体发光元件（58） 。 因此，提高加热效率并且可以以更高的速度提高和降低待处理对象的温度。

公开(公告)号：KR1020080047415A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：KR1020087006943

申请日：2006-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈마사히로 ,  가사이시게루 ,  요네다마사타케

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109

Abstract: A heat treatment apparatus (2) for performing prescribed heat treatment to a subject (W) to be treated is provided with a treatment container (4) air in which can be exhausted; a placing table (18) arranged in the treatment container (4), for placing on an upper plane the subject to be treated; a plurality of thermoelectric conversion elements (22) arranged on an upper part of the placing table (18); a light transmitting window (8) for covering a ceiling portion of the treatment container airtight; and a gas introducing means (12) for introducing a required gas into the treatment container (4). A heating means (46), which is composed of a plurality of heating light sources (52) including a semiconductor light emitting element (58) for emitting heating light to the subject to be treated, is provided above the light transmitting window (8). Thus, heating efficiency is improved and temperature can be increased and reduced at a higher speed for the subject to be treated.

Abstract translation: 对待处理对象（W）进行规定的热处理的热处理装置（2）具有处理容器（4）能够排出的空气; 布置在处理容器（4）中的放置台（18），用于在上平面上放置待处理的对象; 布置在所述放置台（18）的上部的多个热电转换元件（22）。 用于覆盖处理容器的顶部的气密的透光窗（8）; 和用于将所需气体引入处理容器（4）的气体导入装置（12）。 由多个加热光源（52）组成的加热装置（46）设置在透光窗（8）的上方，该加热光源包括用于向被处理物体发出加热光的半导体发光元件（58） 。 因此，提高加热效率并且可以以更高的速度提高和降低待处理对象的温度。

公开(公告)号：KR101020328B1

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：KR1020107009011

申请日：2006-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈마사히로 ,  가사이시게루 ,  요네다마사타케

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109

Abstract: 피처리체(W)에 대하여 소정의 열처리를 실시하도록 한 열처리 장치(2)와, 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(4)와, 상기 처리 용기(4)내에 마련되어, 그 상면측에 상기 피처리체를 탑재시키기 위한 탑재대(18)와, 상기 탑재대(18)의 상부에 마련된 복수의 열전 변환 소자(22)와, 상기 처리 용기의 천장부를 기밀히 덮는 광투과창(8)과, 상기 처리 용기(4)내를 향해서 필요한 가스를 도입하는 가스 도입 수단(12)을 구비하고 있다. 상기 광투과창(8)의 상방에, 상기 피처리체를 향해서 가열용의 빛을 사출하는 반도체 광사출 소자(58)를 포함하는 복수의 가열 광원(52)으로 이루어지는 가열 수단(46)이 마련되어 있다. 이것에 의해, 가열 효율이 높고, 또한 피처리체에 대하여 한층 더 고속에서의 승온 및 강온이 가능해진다.

Abstract translation: 本发明提供一种热处理装置（2），该热处理装置（2）对被处理物（W）进行规定的热处理，能够排出处理容器（4），处理容器（4） 设置在载置台18上的多个热电转换元件22;密封处理容器的顶部的透光窗8; 以及用于向腔室1的内部导入必要的气体的气体导入单元12。 包括多个加热光源52的加热装置46设置在光透射窗8的上方，所述加热光源52包括用于向待处理对象发射用于加热的光的半导体发光元件58 。 结果，加热效率高，并且待加工的物体可以以更高的速度被加热和冷却。

公开(公告)号：KR1020070004037A

公开(公告)日：2007-01-05

申请号：KR1020067021277

申请日：2005-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네다마사타케 ,  가사이시게루 ,  시미즈마사히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: Processing equipment for an object to be processed is provided with a process container, the internal of which can be evacuated, a gas introducing means for introducing a prescribed gas into the process container, a supporting table provided in the process container, a ring-shaped supporting part provided on the supporting table for supporting the object to be processed, a plurality of thermoelectric conversion elements provided on an upper plane of the supporting table on an inner side of the supporting part, an element storing space evacuating means for evacuating inside the element storing space formed by a lower plane of the object to be treated, which is supported by the supporting part, an upper plane of the supporting table and the supporting part. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 用于待处理物体的加工设备设置有可以抽真空的处理容器，用于将预定气体引入处理容器的气体引入装置，设置在处理容器中的支撑台，环形 支撑部件，设置在支撑台上，用于支撑待处理物体;多个热电转换元件，设置在支撑台的内侧的支撑台的上平面上;元件收纳空间抽出装置， 由被支撑部支撑的待处理对象的下平面形成的空间，支撑台的上平面和支撑部。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR100655250B1

公开(公告)日：2006-12-08

申请号：KR1020017012536

申请日：2000-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키도모히로 ,  가사이시게루 ,  시미즈마사히로 ,  야자와미노루

IPC: G01J5/10

CPC classification number: G01J5/0003 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/04 ,  G01J5/046 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0818 ,  G01J5/0862 ,  G01J5/0875 ,  G01J5/0887 ,  G01J2005/0048

Abstract: 본 발명은 방사식 온도계를 이용하여 웨이퍼 등의 피처리 물체의 온도 측정을 행하는 경우에, 가열용 램프에 의한 미광의 영향을 배제하는 것을 목적으로 하고 있다. 본 발명에서는, 램프(22)에 출력 제어부(28)로부터 공급되는 전력(W)과 램프(22)로부터 방사되는 빛 에너지 사이에 성립하는 관계를 이용한다. 램프(22)로부터 방사되는 빛이 포토다이오드(18)의 출력 전압에 미치는 영향을 전력(W)의 함수로서 미리 실험적으로 구하여 연산부(26)에 저장해 둔다. 연산부(26)는 출력 제어부(28)로부터 송신되는 전력(W)의 값에 기초하여 포토다이오드(18)의 출력 전압에 포함되는 램프(22)로부터의 미광의 영향분을 포토다이오드(18)의 출력값에서 감산하여 서셉터(8)의 온도를 산출한다.

公开(公告)号：KR1020120042864A

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020127002124

申请日：2010-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호징 야마나시다이가쿠

Inventor： 시미즈마사히로 ,  코마츠시게카즈 ,  니시무라에이치 ,  기무라요시오 ,  오오아사타카히코 ,  오쿠자키히데노리

IPC: H01L21/3065 ,  H02N11/00 ,  H02N2/00

CPC classification number: F03G7/005

Abstract: 액추에이터 소자(10)는, 실리콘을 포함하는 엘라스토머와 이온 액체의 혼합물로 이루어지고, 전압이 인가됨으로써 변위하는 변위자(11), 및 변위자(11)에 전압을 인가하기 위한 전극(12, 13)을 가지는 소자 본체(14)와, 변위자(11)의 변위에 의해 면외 방향으로 변위하는 변위 전달부(15)를 구비한다.

公开(公告)号：KR100977886B1

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：KR1020087006943

申请日：2006-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈마사히로 ,  가사이시게루 ,  요네다마사타케

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109

Abstract: 피처리체(W)에 대하여 소정의 열처리를 실시하도록 한 열처리 장치(2)와, 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(4)와, 상기 처리 용기(4)내에 마련되어, 그 상면측에 상기 피처리체를 탑재시키기 위한 탑재대(18)와, 상기 탑재대(18)의 상부에 마련된 복수의 열전 변환 소자(22)와, 상기 처리 용기의 천장부를 기밀히 덮는 광투과창(8)과, 상기 처리 용기(4)내를 향해서 필요한 가스를 도입하는 가스 도입 수단(12)을 구비하고 있다. 상기 광투과창(8)의 상방에, 상기 피처리체를 향해서 가열용의 빛을 사출하는 반도체 광사출 소자(58)을 포함하는 복수의 가열 광원(52)으로 이루어지는 가열 수단(46)이 마련되어 있다. 이것에 의해, 가열 효율이 높고, 또한 피처리체에 대하여 한층 더 고속에서의 승온 및 강온이 가능해진다.

公开(公告)号：KR100833386B1

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：KR1020067005788

申请日：2004-09-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈마사히로 ,  가사이시게루 ,  요네다마사타케

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109

Abstract: 실리콘 웨이퍼 등의 피처리체에 400℃이상의 온도에서 어닐 처리 등의 열처리를 실시하기 위한 열처리 장치이다. 이 장치는, 천정부에 투과창(8)을 갖는 처리 용기(4)를 구비하고 있다. 이 용기 내는, 투과창과 대향하도록 피처리체(W)를 탑재하는 탑재대(10)가 설치된다. 처리 용기의 윗쪽은, 투과창을 통해서 피처리체에 열선을 조사함으로써 피처리체를 가열하는 복수의 가열 램프(42A, 42B)가 설치된다. 탑재대에는, 피처리체를 적어도 냉각 가능한 열전 변환기(24)가 설치된다. 피처리체의 승온 시에는 주로 가열 램프로부터의 열선에 의해 가열하고, 온도 하강시에는 열전 변환기를 이용하여 강제적으로 냉각한다.