公开(公告)号：KR1020150087120A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：KR1020150008665

申请日：2015-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아미쿠라노리히코 ,  사사키노리카즈 ,  사와치아츠시

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234

Abstract: 복수의가스공급관의각각으로부터처리용기내로공급되는처리가스의전환을고속또한균일하게행하는것이다. 플라즈마처리장치는, 피처리기판에플라즈마처리를실시하기위한처리용기와, 전환가능한제 1 및제 2 가스공급관에각각연통되고, 제 1 및제 2 가스공급관으로부터각각공급되는, 플라즈마처리에이용되는제 1 및제 2 처리가스를처리용기내로개별로유도하는제 1 및제 2 가스도입홀로서, 서로인접한상태로교호로배치된제 1 및제 2 가스도입홀을가지는가스도입부재를구비했다.

Abstract translation: 本发明的目的是从多个气体供给管中的每一个快速或均匀地切换供给处理容器的处理气体。 一种等离子体处理装置，包括：处理容器，对经处理的基板进行等离子体处理; 以及气体导入构件，其包括彼此相邻地交替布置的第一和第二气体引入孔。 此外，第一和第二气体导入孔与第一和第二气体供给管连接，分别切换，分别诱导用于等离子体处理并分别从第一和第二气体供给管供给的第一和第二处理气体， 处理容器。

公开(公告)号：KR1020140095440A

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：KR1020140008333

申请日：2014-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아미쿠라노리히코 ,  미요시리사코

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32091

Abstract: In a plasma processing apparatus of an embodiment of the present invention, an arrangement table which includes a lower electrode is arranged in a processing container. A shower head is arranged to form an upper electrode in the upper side of the arrangement table. A gas incoming pipe is arranged in the upper side of the shower head. In the shower head, multiple gas discharge holes are formed to be opened toward a lower side. A first gas diffusion chamber and a second gas diffusion chamber which are mutually separated are also arranged on the gas discharge holes in the shower head. The first gas diffusion chamber is extended along a central axis line which passes through the center of the arrangement table. The second gas diffusion chamber is extended around the first gas chamber in a circumference direction. The gas incoming pipe has a first pipe wall of a cylindrical shape and a second pipe wall of a cylindrical shape which is arranged on the outside of the first pipe wall, separately has a first gas incoming path in the first pipe wall, and separately has a second gas incoming path between the first pipe wall and the second pipe wall.

Abstract translation: 在本发明的实施方式的等离子体处理装置中，在处理容器中配置有包括下电极的配置表。 淋浴头被布置成在布置台的上侧形成上电极。 在喷淋头的上侧设置有气体输入管。 在喷淋头中，形成有多个气体排出孔向下侧开口。 相互分离的第一气体扩散室和第二气体扩散室也布置在淋浴喷头的排气孔上。 第一气体扩散室沿着穿过排列台的中心的中心轴线延伸。 第二气体扩散室沿圆周方向围绕第一气室延伸。 气体输入管具有圆柱形的第一管壁和布置在第一管壁的外侧的圆柱形的第二管壁，在第一管壁中分别具有第一气体入口路径，并且分别具有 在第一管壁和第二管壁之间的第二气体进入路径。

公开(公告)号：KR101915827B1

公开(公告)日：2019-01-07

申请号：KR1020140008333

申请日：2014-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아미쿠라노리히코 ,  미요시리사코

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：KR1020170033236A

公开(公告)日：2017-03-24

申请号：KR1020160115672

申请日：2016-09-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아미쿠라노리히코 ,  미요시리사코

IPC: G05D7/06 ,  G01M3/28 ,  H01L21/02

Abstract: 가스공급계에기존의요소를이용하여유량제어기의출력유량을구한다. 일실시형태에서는, 처리용기내의상류에있는가스공급계의제 3 밸브가열린상태에서, 복수의유량제어기중 측정대상의유량제어기에의해유량이조정된가스의처리용기내로의공급이개시된다. 이어서, 처리용기내로의가스의공급이계속되고있는상태에서, 복수의유량제어기중 압력측정용의유량제어기내의압력계의측정압력값이안정된후에, 제 3 밸브가닫힌다. 제 3 밸브가닫힌후에, 측정대상의유량제어기를개재하여공급되는가스가저류되는가스공급계의기지의용적, 및, 압력측정용의유량제어기내의압력계의측정압력값의시간에대한상승률로부터, 측정대상의유량제어기의출력유량이산출된다.

Abstract translation: 通过使用气体供应系统中的现有元件来获得流量控制器的输出流量。 在一个实施例中，在处理室打开供给上游的系列气体中的第三阀，它被供给到气体流率的处理容器是通过受试者中公开的多个流量控制器的测量的流量控制器调节。 然后，在一个状态，其中继续进行气体的供给到处理容器中，在用于测量多个流量控制器的压力的质量流量控制器的压力计的这种稳定的压力测量值后，关闭第三阀。 后操作第三阀关闭，从该经过测量对象存储的一个质量流量控制器，并且，测量在用于压力测量的流量控制器的压力计的压力值的时间提供的气体的气体供给系统的基体的体积的增加率， 计算要测量的流量控制器的输出流量。

公开(公告)号：KR1020160120660A

公开(公告)日：2016-10-18

申请号：KR1020160038419

申请日：2016-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노쿠미코 ,  츠지모토히로시 ,  사와치아츠시 ,  아미쿠라노리히코 ,  사사키노리카즈 ,  카와구치요시타카

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60 ,  G05D7/01

CPC classification number: G05D7/0647 ,  H01L21/02 ,  G05D7/0113 ,  H01L21/67005 ,  H01L2021/60187

Abstract: 챔버내에신속하게원하는유량의가스를공급한다. 압력제어식유량계와, 압력제어식유량계의상류측의제 1 밸브와, 하류측의제 2 밸브를이용한가스공급제어방법으로서, 압력제어식유량계는, 제 1및제 2 밸브에접속되는컨트롤밸브와, 컨트롤밸브와제 2 밸브사이에마련되는오리피스를가지고, 오리피스및 컨트롤밸브간의가스공급관의용적(V)과오리피스및 제 2 밸브간의가스공급관의용적(V)은 V/ V≥ 9이며, 오리피스및 컨트롤밸브간의가스공급관의압력(P)과오리피스및 제 2 밸브간의가스공급관의압력(P)은, 가스를공급하는동안 P> 2 × P로유지되고, 제 1 밸브를열고, 컨트롤밸브를제어한상태에서제 2 밸브의개폐제어에의해가스의공급을제어하는가스공급제어방법이제공된다.

Abstract translation: 气体供给控制方法使用压力控制用流量计和分别设置在气体供给管路中的压力控制用流量计的上游和下游的第一阀和第二阀。 压力控制流量计包括控制阀和孔。 气体供给控制方法包括：保持孔和控制阀之间的第一气体供给管的压力P1和孔与第二阀之间的第二气体供给管的压力P2，以满足P1> 2×P2。 通过控制第一阀打开并控制控制阀来控制第二阀的打开和关闭来控制气体供应。 第一气体供给管的体积V1和第二气体供给管的体积V2具有V1 /V2≥9的关系。

公开(公告)号：KR100964041B1

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：KR1020080009433

申请日：2008-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시에이지 ,  아미쿠라노리히코

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/02071

Abstract: 처리실 내의 압력을 고압으로 제어할 수 있음과 아울러 처리실 내의 가스를 고속 배기할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다.
기판 처리 시스템(10)은 웨이퍼(W)에 화학반응 처리를 시행하는 제 2 프로세스 모듈(28)을 구비하고, 제 2 프로세스 모듈(28)은 처리실(챔버)(33)과, 이 챔버(33) 내의 가스 등을 배기함과 아울러 챔버(33) 내의 압력을 제어하는 배기 제어계(37)를 가지며, 챔버(33)에 수용된 웨이퍼(W)에 화학반응 처리를 시행할 때, 챔버(33) 내의 압력을 비교적 구경이 작은 APC 밸브(55)에 의해 제어하고, 웨이퍼(W)에 화학반응 처리를 시행한 후에, 챔버(33) 내의 불화수소 가스 등을 APC 밸브(55)를 개방하여 배기관(53)을 통하여 드라이 펌프(46)에 의해 배기하고, 또한, APC 밸브(55)를 폐쇄하고 또한 아이솔레이션 밸브(51)를 개방하여 배기관(47)을 통하여 TMP(50)에 의해 배기한다.

Abstract translation: 一种基板处理方法，其能够将处理室内的压力控制为高压并且高速地将处理室内的气体排出。

公开(公告)号：KR1020080071918A

公开(公告)日：2008-08-05

申请号：KR1020080009433

申请日：2008-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시에이지 ,  아미쿠라노리히코

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/02071

Abstract: A substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to control a high pressure in a process chamber by ventilating the process chamber at a high speed using a turbo molecular pump. A substrate processing apparatus includes a process chamber(33), a supply unit(35), a first tube(47), a turbo molecular pump(50), a block valve(51), a second tube(53), a pressure control valve(55), and a dry pump(46). A substrate is contained in the process chamber. The supply unit supplies a process gas into the process chamber. One end of the first tube is connected to the process chamber. The turbo molecular pump is arranged in the middle of the first tube. The block valve is arranged between the process chamber and the turbo molecular pump in the first tube. One end of the second tube is connected to the process chamber. The second tube is smaller than the first tube. The pressure control valve is arranged in the middle of the second tube. The dry pump is connected to the other ends of the first and second tubes.

Abstract translation: 提供基板处理方法和基板处理装置，以通过使用涡轮分子泵使处理室高速通风来控制处理室中的高压。 基板处理装置包括处理室（33），供给单元（35），第一管（47），涡轮分子泵（50），截止阀（51），第二管（53） 控制阀（55）和干式泵（46）。 基板被包含在处理室中。 供应单元将处理气体供应到处理室中。 第一管的一端连接到处理室。 涡轮分子泵布置在第一管的中间。 阻塞阀布置在第一管中的处理室和涡轮分子泵之间。 第二管的一端连接到处理室。 第二管小于第一管。 压力控制阀设置在第二管的中间。 干泵连接到第一和第二管的另一端。

公开(公告)号：KR100827855B1

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：KR1020067016031

申请日：2005-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아미쿠라노리히코 ,  데즈카가즈유키 ,  미요시리사코

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67167 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45561

Abstract: 반도체 처리 장치(1)는, 공통 반송실(8)에 접속된, 피처리 기판(W)에 처리를 실시하기 위한 복수의 처리실(2)을 포함한다. 각 처리실(2)에 소정의 가스를 공급하기 위한 가스 공급 시스템(40)이 부설된다. 가스 공급 시스템(40)은, 소정 가스의 가스원에 접속된 일차측 접속 유닛(23)과 유량 제어 유닛(13)을 가진다. 일차측 접속 유닛(23)은, 대응하는 처리실(20)의 하측에 배치된다. 유량 제어 유닛(13)은, 일차측 접속 유닛(23)으로부터 대응하는 처리실(2)내에 가스를 공급하는 가스 라인 상에 배치된다. 유량 제어 유닛(13)은 일차측 접속 유닛(23)의 상측에 적어도 일부가 겹치도록 배치된다.