公开(公告)号：KR101121794B1

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：KR1020060005978

申请日：2006-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/00 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719

Abstract: 본 발명은 도포 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)에 도포막 형성용의 단위 블럭인 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)와 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1 ; B2)를 서로 적층하여 설치한다. 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 경우에 있어서도 TCT층 (B3); COT층 (B4) ;BCT층 (B5) 중 사용하는 단위 블럭을 선택함으로써 대응할 수 있고 이 때 반송 프로그램의 복잡화를 억제하여 소프트웨어의 간이화를 도모 할 수 있다.
레지스트막 형성용의 단위 블럭과 반사 방지막 형성용의 단위 블럭을 적층해 설치하는 것으로 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 것에 있어 공간절약화를 도모하는 것과 또 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 것에도 대응하는 것이 가능하고 이 때 소프트웨어의 간이화를 도모하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110128767A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：KR1020110106342

申请日：2011-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  G03F7/265 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A coating and developing apparatus is provided to obtain high carrier efficiency and carry freely a substrate by forming a reflection barrier layer on the top and the bottom of a resist film. CONSTITUTION: A substrate(W) is carried by a carrier(20) and is received in a processing block(S2). A coating film, which includes a resist film, is formed in the processing block. A substrate is processed by a light exposure through an interface which is connected to the opposite side of a carrier block(S1) in a corresponding processing block. The substrate is carried. The substrate, which returns through an interface block(S3) after being exposed by light, is developed in the processing block and received in the carrier block. The processing block includes a laminated unit block for forming a plurality of coating films and a laminated unit block for developing and processing. The carrier part for a unit block carries the substrate between units along a carrier way which is vertically extended from the carrier block to the interface block.

Abstract translation: 目的：提供涂覆和显影装置以通过在抗蚀剂膜的顶部和底部形成反射阻挡层来获得高载流子效率并自由地携带基板。 构成：衬底（W）由载体（20）承载并被接收在处理块（S2）中。 在处理块中形成包括抗蚀剂膜的涂膜。 通过在对应的处理块中连接到载体块（S1）的相对侧的界面通过曝光来处理衬底。 承载底物。 在光被曝光之后通过界面块（S3）返回的衬底在处理块中显影并被接收在载体块中。 处理块包括用于形成多个涂膜的层压单元块和用于显影和加工的层压单元块。 单元块的承载部件沿着从承载块垂直延伸到接口块的承载方式在单元之间承载基板。

公开(公告)号：KR101075733B1

公开(公告)日：2011-10-21

申请号：KR1020060009384

申请日：2006-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745

Abstract: 본발명은도포현상장치에관한것으로서복수의단위블럭의집합체로부터되는도포·현상장치가제공된다. 제 1의단위블럭적층체와제 2의단위블럭적층체가전후방향이다른위치에배치된다. 노광후의현상처리를실시하는현상유니트를포함한복수의처리유니트및 이들유니트간의기판의반송을실시하는반송수단을구비한현상용단위블럭이최하단에배치된다. 노광전의도포처리를실시하는도포유니트를포함한복수의처리유니트및 이들유니트간의기판의반송을실시하는반송수단을구비한도포용단위블럭은현상용단위블럭위에배치된다. 도포용단위블럭은제 1의단위블럭적층체및 제 2의단위블럭적층체의양쪽모두에배치된다. 반사방지막과레지스트막의적층위치관계에따라도포·현상장치내에있어서노광전의웨이퍼나경유하는도포용단위블럭을결정한다. 노광후의웨이퍼는도포용단위블럭을통과하는일 없이현상용단위블럭만을통과하는기술을제공한다.

公开(公告)号：KR1020110033160A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：KR1020110014021

申请日：2011-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/32 ,  G03F7/70691

Abstract: PURPOSE: A coating and developing system is provided to appropriately suppress the height and length of a device by securing high return efficiency in an apparatus. CONSTITUTION: In a coating and developing system, a carrier(20) accommodates 13 wafers(W) with airtight. A carrier block(S1) loads/ unloads the carrier in/ from the coating and developing system. An opening(22) and a transfer arm(IC) is installed in a placement table(21) and the front wall of the placement table(21) in the carrier block. A processing block(S2) and an interface block(S3) perform a coat processing and a developing process of the wafer. The processing block comprises a first unit block laminate(41) and a second unit block laminate(42).

Abstract translation: 目的：提供涂层和显影系统，以通过确保设备中的高回报效率来适当地抑制装置的高度和长度。 构成：在涂层和显影系统中，载体（20）可气密地容纳13个晶片（W）。 载体块（S1）将载体载入/卸载涂布和显影系统。 一个开口（22）和一个传送臂（IC）安装在放置台（21）和放置台（21）的前壁中的载体块中。 处理块（S2）和界面块（S3）进行晶片的涂层处理和显影处理。 处理块包括第一单元块叠层（41）和第二单元块叠层（42）。

公开(公告)号：KR101125340B1

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：KR1020110014021

申请日：2011-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67745

Abstract: 본 발명은 도포 현상장치에 관한 것으로서 복수의 단위 블럭의 집합체로부터 되는 도포?현상 장치가 제공된다. 제 1의 단위 블럭 적층체와 제 2의 단위 블럭 적층체가 전후방향이 다른 위치에 배치된다. 노광 후의 현상 처리를 실시하는 현상 유니트를 포함한 복수의 처리 유니트 및 이들 유니트간의 기판의 반송을 실시하는 반송 수단을 구비한 현상용 단위 블럭이 최하단에 배치된다. 노광전의 도포 처리를 실시하는 도포 유니트를 포함한 복수의 처리 유니트 및 이들 유니트간의 기판의 반송을 실시하는 반송 수단을 구비한 도포용 단위 블럭은 현상용 단위 블럭 위에 배치된다. 도포용 단위 블럭은 제 1의 단위 블럭 적층체 및 제 2의 단위 블럭 적층체의 양쪽 모두에 배치된다. 반사 방지막과 레지스트막의 적층 위치 관계에 따라 도포?현상 장치내에 있어서 노광전의 웨이퍼나 경유하는 도포용 단위 블럭을 결정한다. 노광 후의 웨이퍼는 도포용 단위 블럭을 통과하는 일 없이 현상용 단위 블럭만을 통과하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR101126865B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020060005910

申请日：2006-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  키무라요시오 ,  우에다이세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719

Abstract: 본 발명은 도포 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)에 도포막 형성용의 단위 블럭인 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)와 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1; B2)를 서로 적층하여 설치한다. 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 경우에 있어서도 TCT층 (B3); COT층 (B4) ; BCT층 (B5) 중 사용하는 단위 블럭을 선택함으로써 대응할 수 있고 이 때 반송 프로그램의 복잡화를 억제하여 소프트웨어의 간이화를 도모 할 수 있다.
레지스트막 형성용의 단위 블럭과 반사 방지막 형성용의 단위 블럭을 적층해 설치하는 것으로 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 것에 있어 공간절약화를 도모하는 것과 또 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 것에도 대응하는 것이 가능하고 이 때 소프트웨어의 간이화를 도모하는 기술을 제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种涂布显影装置及其方法，其包括作为用于在处理块（S2）上形成涂膜的单位块的TCT层（B3）; COT层B4; 作为用于显影处理的单位块的BCT层B5和DEV层B1（B2）彼此堆叠。 在TCT层B3中也包括形成防反射膜的情况和未形成防反射膜的情况; COT层B4; 通过选择在BCT层（B5）中使用的单位块响应，并且抑制传输程序的复杂性时，它能够实现软件的简化。

公开(公告)号：KR100762522B1

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：KR1020060021016

申请日：2006-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  기무라요시오 ,  유에다잇세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67742 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178

Abstract: 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있고, 공간 절약화를 도모할 수 있는 도포, 현상 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 도포, 현상 장치에 있어서, 처리 블록(S2)에, 3층의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)과, 2층의 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)을 서로 적층하여 마련한다. 상기 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 각각에는, 레지스트막의 하방측 또는 상방측의 반사 방지막을 형성하는 제 1 또는 제 2 반사 방지막 유닛(31, 33)과, 도포 유닛(32)이 마련되어 있기 때문에, 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 공간 절약화를 도모할 수 있고, 또한 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060097613A

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：KR1020060021016

申请日：2006-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  하야시신이치 ,  하야시다야스시 ,  마츠오카노부아키 ,  기무라요시오 ,  유에다잇세이 ,  이토히카루

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67742 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178

Abstract: 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있고, 공간 절약화를 도모할 수 있는 도포, 현상 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 도포, 현상 장치에 있어서, 처리 블록(S2)에, 3층의 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)과, 2층의 현상 처리용의 단위 블록(B1, B2)을 서로 적층하여 마련한다. 상기 도포막 형성용의 단위 블록(B3~B5)의 각각에는, 레지스트막의 하방측 또는 상방측의 반사 방지막을 형성하는 제 1 또는 제 2 반사 방지막 유닛(31, 33)과, 도포 유닛(32)이 마련되어 있기 때문에, 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는데 있어서, 공간 절약화를 도모할 수 있고, 또한 반사 방지막을 형성하는 경우, 하지 않는 경우 중 어디에도 대응할 수 있다.